Патенты с меткой «металлизации»

Номер патента: 1707995

Опубликовано: 30.07.1994

Авторы: Валеев, Глебов, Железнов, Кузьмин, Лезгян, Фишель, Хрусталев

МПК: C23C 14/35

Метки: интегральных, межсоединений, металлизации, схем, формирования

...камере держать относитезльно высокое рабочее давление (7 10 - 1 10) мм рт.ст, и обеспечивать откачку диссорбированных атомов гаэоотделения со стенок рабочей камеры при значительном их нагреве во время процесса распыления сплавной мишени АТ 0,5, для стабильности режимов распыления подбирают размер щели между рабочей и общей камерами или в камере делают калибровочное отверстие, чтобы одновре 10 15 20 25 30 35 40 менно обеспечить сопротивление газовому потоку откачки и выдержать необходимый перепад давлений. При этом необходимо отрегулировать подачу плазмообраэующего Аг и откачку потока газоотделений, при этом необходимым условием является Ррвб.квмерыРдегвзвции+ Р дг где РдгРдегазвций активных примесей, в составе Рдегвзвции пик М 2 должен...

Номер патента: 1591421

Опубликовано: 30.07.1994

Авторы: Боброва, Бухарин, Курнышева

МПК: C04B 41/88

Метки: алюминия, керамики, металлизации, нитрида, основе, паста

ПАСТА ДЛЯ МЕТАЛЛИЗАЦИИ КЕРАМИКИ НА ОСНОВЕ НИТРИДА АЛЮМИНИЯ, содержащая молибден и глазурь, включающую SiO2, Al2O3, CaO, MgO, B2O3, отличающаяся тем, что, с целью повышения механической прочности при сохранении термостойкости спая, глазурь дополнительно содержит MnO и ZrO2 при следующем соотношении, мас.%:SiO2 51,5Al2O3 20CaO 10MgO 4B2O3 1,5MnO 5,5ZrO2 7,5при соотношении компонентов пасты, мас.%:Молибден 85 - 90Глазурь 10 - 15

Номер патента: 1477175

Опубликовано: 30.07.1994

Авторы: Алексеев, Валеев, Гущин, Сулимин, Шишко

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, металлизации, создания, схем

1. СПОСОБ СОЗДАНИЯ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование на полупроводниковой подложке с активными и пассивными элементами проводников различной ширины, нанесение диэлектрической пленки, нанесение пленки резиста, локальное удаление пленки резиста с использованием литографического процесса, формирование органической пленки из жидкой фазы, одновременное травление органической и диэлектрической пленок до вскрытия проводников, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности и процента выхода годных схем за счет улучшения планаризации рельефа проводников, локальное удаление пленки резиста проводят над центральной частью поверхности проводников так, что оставшаяся часть пленки резиста покрывает пространство между...

Номер патента: 1757432

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Лялюшкин, Павлов

МПК: C25D 19/00, H05K 3/18

Метки: линия, металлизации, печатных, плат

1. ЛИНИЯ ДЛЯ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ПЕЧАТНЫХ ПЛАТ, содержащая рабочие ванны для технологических растворов, аноды и автооператор с направляющими для его перемещения, отличающаяся тем, что, с целью улучшения эксплуатационных возможностей, она снабжена баками для технологических растворов и средствами перекачивания технологических растворов из баков в ванны, а каждая ванна снабжена сифонным разделителем потока, причем каждый из баков соединен трубопроводом с одним из сифонов сифонного разделителя потока.2. Линия по п.1, отличающаяся тем, что она снабжена средствами смены анодов, выполненными в виде подъемника с поворотной траверсой, установленного снаружи стенки ванны, а аноды установлены на противоположных концах траверсы.

Номер патента: 1720467

Опубликовано: 30.11.1994

Авторы: Болотова, Галецкий, Григорьева, Могуленко, Старикова, Фриденберг

МПК: H05K 3/18, H05K 3/42

Метки: металлизации, отверстий, печатных, плат

1. СПОСОБ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ОТВЕРСТИЙ ПЕЧАТНЫХ ПЛАТ, включающий активирование диэлектрической подложки в совмещенном растворе, содержащем хлористый палладий и хлористое олово, промывку, обработку в растворе ускорителя, содержащем неорганические кислоты или их соли, или едкий натр, промывку и химическое меднение, отличающийся тем, что, с целью повышения качества металлизации печатных плат, перед операцией химического меднения проводят обработку плат в водном растворе восстановителя - гидразина или его производных, или гидроксиламина, или его производных.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью повышения экономичности способа, обработку проводят в течение 0,5 - 1,5 мин при концентрации восстановителя в растворе 10 - 30 г/л,...

Номер патента: 1671071

Опубликовано: 30.04.1995

Авторы: Козейкин, Перинский, Школьников

МПК: H01L 21/265

Метки: металлизации, формирования

СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МЕТАЛЛИЗАЦИИ, включающий формирование фоторезистивной маски поверх металлизированной разводки из меди или медных сплавов, имплантацию ионов электрически неактивных примесей, удаление фоторезистивной маски и формирование топологии металлических контактов, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет исключения растрава металлизации и повышения технологичности за счет снижения металлоемкости процесса, имплантацию проводят в участки поверхности металлизированной разводки вне областей контактов дозой Ф 6,0 1014 см-2 с энергией 40 90 кэВ, а топологию контактов формируют гальваническим осаждением...

Номер патента: 1739833

Опубликовано: 09.07.1995

Авторы: Гуляев, Ковалев, Кудряшов, Носов, Чулкевич

МПК: H05K 3/18

Метки: металлизации, отверстий, печатных, плат

1. СПОСОБ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ОТВЕРСТИЙ ПЕЧАТНЫХ ПЛАТ, включающий предварительную обработку подложки в водном растворе основания и ее химическую металлизацию в водном растворе фосфорсодержащей соли меди и основания, термообработку, промывку и гальваническое наращивание металла, отличающийся тем, что, с целью повышения качества металлизации отверстий, в качестве основания при предварительной обработке подложки используют аммиак с концентрацией его в растворе 5 20 мас. либо моноэтаноламин с концентрацией его в растворе 3 25 мас. либо их смесь при массовом отношении аммиака к моноэтаноламину в растворе 0,2 6,3 и общей концентрации смеси 3 25 мас. причем обработку проводят 0,5 5,0 мин.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве основания...

Номер патента: 1757433

Опубликовано: 27.08.1995

Авторы: Жуков, Сундуков, Чечеткин

МПК: C25D 1/00, H05K 3/42

Метки: заготовок, металлизации, печатных, плат

СПОСОБ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ЗАГОТОВОК ПЕЧАТНЫХ ПЛАТ, включающий формирование отверстий в заготовке из фольгированного с двух сторон диэлектрика, химическое осаждение меди в отверстия и на поверхность заготовки, размещение заготовки между двумя электродами и гальваническое осаждение металла в отверстия и на поверхность заготовки в процессе ее перемещения между электродами, отличающийся тем, что, с целью повышения качества металлизации за счет улучшения равномерности гальванического покрытия по толщине в отверстиях и на поверхности, электроды выполняют в виде пластин с отверстиями, расположенными в соответствии с рисунком отверстий платы, при размещении заготовки электроды смещают один относительно другого, на расстояние половины шага отверстий,...

Номер патента: 1679911

Опубликовано: 27.11.1995

Авторы: Кастрюлев, Розес, Сидорова, Ткачева

МПК: H01L 21/28

Метки: металлизации, полупроводниковых, приборов, создания

1. СПОСОБ СОЗДАНИЯ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, включающий формирование пленки барьерного металла Tiw, нанесение пленки Al Si, нанесение пленки фоторезиста, формирование рисунка межсоединений, удаление фоторезиста, ионно-химическое травление Tiw, отличающийся тем, что с целью повышения надежности полупроводниковых приборов, ионно-химическое травление пленки Tiw ведут на 2/3 толщины с дотравливанием в растворе перекиси водорода и уксусной кислоты.2.Способ по п.1, отличающийся тем, что дотравливание в растворе перекиси водорода и уксусной кислоты проводят при соотношении 1 1 и температуре 40 - 45oС.

Номер патента: 1820831

Опубликовано: 10.03.1996

Авторы: Орлова, Серянов, Соколова

МПК: H05K 3/18, H05K 3/42

Метки: диэлектрической, металлизации, отверстий, подложке

...в растворе РсС 2, после финишной химической игальванической металлизации составляли0,016-0,03 Ом, что не отличается от результатов, обеспечиваемых технологией-прототипом и удовлетворяет техническимтребованиям (менее 0,5 Ом).Активация в растворе МС 12. Процесспроводится так же, как указано выше, но сцелью устранения расхода драгметалла РОиспользуется раствор Й 1 С 12 5 г/л ИС 2 4.5НгО, После лазерной прошивки с одновременной растворной активацией образуютсяконические отверстия со средним радиусомй = 117-148 мкм (фиг,З) при скорости осаждения= 11-12 мкмс и толщине активирующего слоя гт= 11 - 13,5 нм. Сопротивлениеактивированного никелем отверстия составляет 3,9 10 Ом. что отвечает обраэо 9ванию сплошной пленки узкозонногополупроводникового...

Номер патента: 1568562

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Ипатов, Кейлин, Кривых, Новиков, Ребеченков, Рычагов, Свалов, Сытников

МПК: C23C 2/00, C23C 2/36

Метки: горячей, длинномерных, линия, металлизации

1. ЛИНИЯ ГОРЯЧЕЙ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ДЛИННОМЕРНЫХ ИЗДЕЛИЙ, комбинированных из двух и более функциональных элементов, содержащая последовательно и соосно установленные ванны флюсования и металлизации, размещенные в них погружатели с направляющими роликами, калибрующее устройство с каналом прямоугольного сечения, охлаждающую камеру со спреерным устройством и приемно-отдающий механизм, отличающаяся тем, что, с целью увеличения надежности путем упрощения конструкции и улучшения качества металлизации путем повышения сплошности паяного соединения и стабильности геометрических размеров изделия, она снабжена изгибным приспособлением, установленным внутри камеры охлаждения и выполненным в виде одного или нескольких роликов, образующих своей несущей...

Номер патента: 1804274

Опубликовано: 20.07.1996

Авторы: Курноскин, Рогожин, Рябов, Флеров

МПК: C23C 18/16, H05K 3/18

Метки: диэлектриков, металлизации, химической

...плотности загрузки 1,5дм /л и температуре 85 С осаждаетсяпокрытие толщиной 6,0 мкм состава, мас, 0:Бор 3,15Фосфор 2,5Таллий 3,5Никель ОстальноеДалее детали промывают в холодной игорячей воде, обезвоживают в спирто-ацетоновой смеси, сушат,После этого тонкопленочную микросхемутравят в концентрированной соляной кислоте, промывают и помещают в растворзолочения следующего состава, г/л:Дицианоаурат калия 5Лимонная кислота 30Хлористый аммоний 70Гидразин сернокислый 75Процесс ведут при температуре 95 С иплотности загрузки 3 дм /л. Скоростьосаждения золота - 4,5 мкм/ч. Покрытыетонкопленочные микросхемы промывают вгорячей воде, обрабатывают в растворещавелевой кислоты (10 г/л), промывают,обезвоживают в спирто-ацетоновой смеси ивзвешивают.После...

Номер патента: 1795587

Опубликовано: 20.09.1996

Авторы: Васильев, Духовских, Казьмин

МПК: B05B 7/22

Метки: металлизации, напылением

...покрытия и производительности металлизации.Указанная цель достигается тем, что в устройстве для металлизации напылением, содержащем удлинительную пластину, электродвигатель, цепную передачу, проволокопротягивающий механизм с тянуще-направляющими роликами и распылительную головку, согласно изобретению тянуще-направляющие ролики выполнены с конусными пазами и расположены на ведущем валу с двумя звездочками, кроме Устройство для металлизации напылением, содержащее удлинительную пластину, электродвигатель, цепную передачу, проволокопротягивающий механизм с тянуще-направляющими роликами и распылительную этого, на ведомом валу расположены два тянуще-при жимающих ролика, поджатых пластинчатой напорной пружиной, а также установлены с...

Номер патента: 1152449

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Воронов, Иванова, Ларионов, Родионов, Рубаха, Стесин

МПК: H01L 21/66

Метки: качества, металлизации

Способ контроля качества металлизации, основанный на создании на полупроводниковой пластине тестовой структуры, выполненной в виде дорожки металлизации с контактными площадками, и пропускании через тестовую структуру тока с помощью зондов, прижимаемых к контактным площадкам, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности контроля и процента выхода годных изделий, через тестовую структуру пропускают импульс тока с длительностью фронта нарастания не более 1 мкс и с амплитудой, обеспечивающей разрушение бездефектной тестовой структуры в статическом режиме, регистрируют время от начала подачи импульса тока до момента разрушения тестовой структуры и по величине этого времени судят о качестве металлизации полупроводниковой пластины.

Номер патента: 1736304

Опубликовано: 20.03.1998

Авторы: Валеев, Волк, Воротилов, Петровский

МПК: H01L 21/324

Метки: диэлектрического, изолирующего, интегральных, металлизации, многоуровневой, планаризации, слоя, схемах

Способ планаризации изолирующего диэлектрического слоя многоуровневой металлизации в интегральных схемах, включающий нанесение плазмохимическим методом на поверхность интегральной схемы с металлизацией первого слоя диоксида кремния, последующее нанесение пленкообразующего спиртового раствора тетраэтоксисилана, отжиг при 100-150oC при нагревании со стороны подложки с образованием планаризующего слоя диоксида кремния, плазмохимическое травление этого слоя, нанесение второго слоя диоксида кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения качества планаризации за счет устранения растрескивания и отслаивания слоев диоксида кремния, нанесение пленкообразующего раствора производят при температуре подложки 40-60oC, а отжиг...

Номер патента: 1618268

Опубликовано: 10.07.2006

Авторы: Афанасьев, Касаткин, Медведев, Порфирьев, Савровский

МПК: H05K 3/00

Метки: двухсторонних, качества, металлизации, отверстий, печатных, плат

Способ определения качества металлизации отверстий двухсторонних печатных плат, основанный на регистрации значения физического параметра металлизации, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности и достоверности контроля, а также упрощения способа, в процессе регистрации производят равномерный нагрев поверхности одной стороны печатной платы и за время, не превышающее время установления теплового равновесия, определяют температурное поле поверхности другой стороны печатной платы, а в качестве физического параметра металлизации регистрируют разность температур между материалом металлизации и материалом диэлектрической подложки печатной платы.

Номер патента: 1739801

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Коваленко, Красницкий, Наливайко, Турцевич, Шкуть

МПК: H01L 21/285

Метки: контактно-барьерной, металлизации

Способ изготовления контактно-барьерной металлизации, включающий предварительное удаление естественного окисла с поверхности кремниевых подложек путем обработки в водном растворе фтористоводородной кислоты, нанесение на поверхность подложек диэлектрического слоя и формирование в нем контактных окон, размещение кремниевых подложек в реакторе, вакуумирование реактора, продувку реактора водородом и селективное осаждение вольфрама при 270-350°C из парогазовой смеси гексафторида вольфрама и водорода при соотношении компонентов 1:(10-100) и общем давлении 13,3-66,5 Па, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности контактно-барьерной металлизации на основе слоев вольфрама путем...

Номер патента: 1489189

Опубликовано: 10.03.2012

Авторы: Ватолин, Горбачев, Дмитриев, Киселев, Кобелев, Леонтьев, Сапожникова, Ченцов, Шаврин, Шариков

МПК: C21B 13/08

Метки: вращающихся, железорудных, магнийсодержащих, металлизации, печах

1. Способ металлизации магнийсодержащих железорудных материалов во вращающихся печах, включающий предварительный окислительный обжиг, восстановление совместно с восстановителем, десульфуратором и хвостами магнитной сепарации, охлаждение и магнитную сепарацию, отличающийся тем, что, с целью повышения удельной производительности и качества металлизованного продукта и снижения тепловых затрат, перед восстановлением флюсотопливную смесь предварительно нагревают до 600 - 1000°С, смешивают с окисленным железорудным материалом крупностью более 5 мм и восстанавливают при 1200 - 1500°С. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что окислительному обжигу подвергают материал крупностью...

Номер патента: 782616

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Данилов, Снитовский

МПК: H01L 21/30

Метки: металлизации, свч-транзисторов, создания

Способ создания металлизации СВЧ-транзисторов, включающий создание окон к активным областям, напыление слоя металла на всю поверхность пластины и фотолитографический процесс формирования рисунка металлизации с использованием фотошаблона, содержащего эмиттерные и базовые дорожки, отличающийся тем, что, с целью уменьшения ширины эмиттерных дорожек при большой толщине напыленного слоя металла, после напыления металла проводят дополнительный фотолитографический процесс с использованием вспомогательного фотошаблона, содержащего только эмиттерные дорожки, ширина которых равна 1,4-1,6 ширины эмиттерных дорожек основного фотошаблона, и травление металла в этом процессе ведут на глубину 0,4-0,6...

Номер патента: 1459539

Опубликовано: 10.05.2012

Авторы: Гурский, Сенько, Снитовский

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, металлизации, системы, схем

1. Способ изготовления системы металлизации интегральных схем, включающий нанесение на полупроводник изоляционного слоя полиамидокарбоновой кислоты, формирование на нем фоторезистивной маски, вскрытие контактных окон к поверхности полупроводника, удаление фоторезистивной маски, напыление металлического слоя, полное отверждение слоя полиамидокарбоновой кислоты в полиимид, формирование рисунка металлической разводки, вжигание металлизации, отличающийся тем, что, с целью повышения качества системы металлизации за счет увеличения напряжения пробоя изоляции и адгезии металлического слоя, полное отверждение слоя полиамидокарбоновой кислоты в полиимид проводят перед формированием на нем...

Номер патента: 1069571

Опубликовано: 10.05.2012

Авторы: Гурский, Заико, Румак, Снитовский, Тарасевич

МПК: H01L 21/28

Метки: металлизации, свч-транзисторов, создания

Способ создания металлизации СВЧ-транзисторов, включающий последовательное нанесение на полупроводниковую подложку с активными областями слоев алюминия, молибдена и алюминия, формирование разводки и нанесение слоя двуокиси кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных транзисторов за счет увеличения стойкости к электромиграции, перед формированием разводки дополнительно подложку со слоями металлов нагревают в инертной среде до 90-110°С, выдерживают при этой температуре, нагревают до 450-550°С и выдерживают, охлаждают со скоростью 60-80°/мин до 90-100°С и выдерживают при этой температуре, причем время выдержки при каждой температуре 5-7 мин.

Номер патента: 1241937

Опубликовано: 10.05.2012

Авторы: Гурский, Заико, Румак, Снитовский

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, металлизации, микросхем, создания

Способ создания металлизации интегральных микросхем, включающий нанесение на полупроводниковую пластину с активными и пассивными областями металлических слоев, преимущественно алюминия, формирование разводки, термообработку, осаждение диэлектрического слоя и его травление в области контактных площадок, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности микросхем, термообработку осуществляют в инертной среде после травления диэлектрического слоя, при этом нагревают полупроводниковую пластину до температуры 363-383 K, выдерживают при этой температуре 4-6 мин, нагревают до температуры 473-823 K, выдерживают 20-30 мин, охлаждают со скоростью 60-80 град/мин до температуры 363-383 K и...

Номер патента: 1331364

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Васильев, Пухов, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/283

Метки: интегральных, металлизации, схем, элементов

Способ изготовления элементов металлизации интегральных схем, включающий нанесение на полупроводниковую подложку со сформированными активными слоями слоя металлизации методом магнетронного распыления в две стадии в едином цикле в среде аргона при давлении 1·10 -2 - 1·10-1 Па: на первой - нанесение тонкого слоя металлизации, на второй - нанесение слоя металлизации до требуемой толщины, формирование рисунка элементов металлизации с помощью фотолитографии, отличающийся тем, что, с целью повышения качества элементов металлизации при одновременном увеличении выхода годных приборов на операции фотолитографии, на первой стадии слой металлизации наносят при...