Способ изготовления кремниевых тензодатчиков

0 ПИСЛНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 18 ЯОО Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт, свидетельстваЗаявлено 22.17,1965 ( 1004243/25-28) Кл. 421 с, 45/03 с присоединением заявкиПриоритетОпубликовано 30.И 1,1966, Бюллетень16Дата опубликования описания 12.1 Х.1966 ПК 6 011 Комитет оа делам зобретеиий и открытии ори Совете Министров СССРАвторыизобретения И. Г. Гампер и Б. Н. Федо аявитель Ленинградский электротехнический институт име льянова (Лени ОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЬ 1 Х ТЕНЗОДАТЧИКО Известны способы изготовления кремниевых тензодатчиков, заключающиеся в том, что на монокристаллические пластины кремния наносят электроды.Предлагаемый способ снижает разброс по сопротивлению в партии тензодатчиков. Для образования электродов по этому способу монокристаллическую пластину никелируют, затем фотомаскируют и стравливают никель с рабочих частей тензодатчиков, Для изготовления из пластины нескольких тензодатчиков ее разрезают на отдельные элементы после никелирования и травления.Монокристаллическую пластину кремния ориентируют с помощью рентген-гониометра с точностью+ 0,5 и режут обычным способом на пластины толщиной 200 - 150 мк. Направление максимального эффекта должно лежать в плоскости пластины.Одну сторону пластины шлифуют последовательно порошками с размером зерен 20, 14, 7 и 1 мк, тщательно промывают водой и обезжиривают. Пластины подвергают химическому никелированию: погружают на 30 сек в кипящий 3%-ный раствор щелочи, затем окунают в теплой дистиллированной воде и помещают в никелирующий раствор на 20 мин. После никелирования пластины промывают в горячей дистиллированной воде и сушат. На шлифованную поверхность пластины разбрызгиванием (пульверизацией) или (лучше) цептрифугированием наносят тонкий слой фоторезиста, который после сушки при 40"С экспонируют через трафарет в свете ртутной 5 лампы. Трафарет представляет собой фотопленку с чередующимися высокой плотности черными полосами и просветами, Ширина просвета должна быть равна двум длинам контакта плюс толщина реза, а ширина полос 10 равна длине рабочей части датчика. При экспонировании направление полос должно быть перпендикулярно оптимальному направлению тензоэффекта. 15 После экспонирования пленку проявляют втеплой (70 С) дистиллированной воде. При этом пленка спирта с неосвещенных участков растворяется. Оставшуюся пленку закрепляют по 5 лгин в хромовом ангидриде и в термо стате при 200 С. С участков, оставшихся незащищенными, никель стравливают в концентрированной азотной кислоте. После тщательной промывки пластину погружают на 3 мин в кипящую соляную кислоту для снятия слоя 25 фоторезиста.Потом пластины помещают в вакуумнуюпечь, где при давлении 10 3 - 10-4 люлю рт, ст, и температуре около 600 С происходит вжигание никеля в течение 15 - 20 мин, (Вжигание Зо можно проводить на воздухе при 800 - 900 С185100 Предмет изобретения Составитель Г, Ф. КорчагинаРедактор Т. В. Данилова Техред Т, П. Курилко Корректор Т, Н. Костикова Заказ 276/8 Тираж 1460 Формат бум. 60 Х 90/8 Объем 0,13 изд. л. ПодписноеЦНИИПИ Комитета яо делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Центр, пр. Серова, д. 4 Типография, пр. Сапунова, 2 1; течение 2 - 5 иин, ио качество контактов ир. этом снижается).После вжигания для облегчения пайки к полученным электродам проводят повторное никелирование в течение 10 - 15 мин, В случае вжигания никеля в вакууме никелируют всю поверхность пластины и повторяют маскировку и травление. В случае вжигания никеля на гоздухе свободные от никеля участки кремния обычно покрываются слоем окисла, защищающего поверхность при никелировании, и повторной фотомаскировки не требуется,После промывки пластины доводят по второй, свободной от электродов, плоскости до толщины 100 - 80 мк и режут иа отдельные элементы.С готовых элементов легким травлением в кипящем 3%-ном (слабом) растворе щелочи удаляют механические повреждения поверхности. Послсл 51 я операция - паЙка выводЫхмедных проводичков диаметром 50 л 1 к, которую осуществляют свинцово-оловянным припоем.5 1. Способ изготовления кремниевых тензодатчиков, заключающийся в том, что на моно кристаллические пластины кремния наносятэлектроды, отличающийся тем, что, с целью снижения разброса по сопротивлению в партии тензодатчиков, для образования электродов пластины никелируют, затем фотомаски руют и стравливают никель с рабочих частейтензодатчиков.2, Способ по п, 1, отличающийся тем, чтодля изготовления из пластины нескольких тензодатчиков, ее разрезают на отдельные 20 элементы после никелирования и травления.