Архив за 1992 год

Номер патента: 1774386

Опубликовано: 07.11.1992

Автор: Ханбутаев

МПК: H01F 41/00

Метки: обмоток, подъема, транспортировки, трансформаторов

...возможностью перемещения вдоль захвата, причем на захватах выполнены лунки дляввода стопора, выполненные по длине захвата с расстоянием между ними равнымширине шин обмотки, а оси лунок параллельны оси полки захвата.Сопоставительный анализ с прототипом показывает, что в предлагаемом устройстве:- грузовые захваты снабжены муфтой,- муфта имеет фиксатор от поворотазахвата в зоне обмотки,- муфта имеет стопор,- муфта имеет возможность перемещения вдоль захвата,- на захватах выполнены лунки для ввода стопора,- лунки для ввода стопора выполненыпо длине захвата,- расстояние между лунками равно ширине ший обмотки,- оси лунок параллельны оси полки захвата,Таким образом, данное устройство дляподъема и трансформировки обмоток трансформатора...

Номер патента: 1774387

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Бондаренко, Бородина, Лебедева, Овчинникова, Поплавко

МПК: H01G 13/00

Метки: гармошечного, конденсаторов, типа

...ной пленкипоступает в сужающееся приемное приспособление и заполняет ее складками. Благодаря движению лент 4 в сторону сужения уроликов 7 гармошечная структура постепенно сминается и уплотняется. Полученная уп- алотненная ленточная заготовка поступает вмеханизм 8 термоопрессования, где при одновременном действии температуры и давления ленточная заготовка спекается собразованием монолитной структуры, Полученная монолитная структура направляется в приспособление для шоопированияторцов, где на противоположные торцы монолитной структуры, имеющей открытый доступ к металлическим обкладкам, с помощью форсунок наносятся контактные металлические слои, осуществляющие 5 токоподвод к противоположным металлическим обкладкам будущего...

Номер патента: 1774388

Опубликовано: 07.11.1992

Автор: Юматов

МПК: H01H 9/28

Метки: рычага, тумблера, фиксации

...другой с образованиемпри этом угла 2 а между двумя положениямипродольной оси рычага 4 тумблера 3. Нареэьбовую часть тумблера 3 навинчена накидная гайка 6 с укрепленным на ней Г-образным кронштейном 7. В кронштейне 7выполнено направляющее отверстие, оськоторого совмещена с продольной осьюрезьбовой части тумблера 3. В отверстии размещен штырь 8, являющийся ограничителем перемещения рычага 4 тумблера 3, Наконце 9 штыря в плоскости углового перемещения рычага 4 тумблера 3 выполнены два5 диаметрально расположенных паза 10. Онипредназначены для взаимодействия с рычагом 4 тумблера 3. Штырь 8 и может бытьснабжен пружиной сжатия 11, размещенной между его концом 9 и кронштейном 7,10 Произвольное перемещениештыря 8 можетбыть исключено и посредством...

Номер патента: 1774389

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Макаров, Пупынин

МПК: H01H 33/66, H01H 9/30

Метки: вакуумный, выключатель, постоянного

...постоянного тока.Выключатель содержит последовательно соединенные дроссель насыщения 1, вакуумную камеру 2, шунтированную диодом 3 в непроводящем силовой ток направлении. Через управляемый разрядник 4 подключен колебательный контур, содержащий индуктивность 5, конденсатор 6 с блоком предварительного заряда 7. Индуктивность 5 колебательного контура шунтирована цепочкой из резистора 9 и диода 8, включенного встречно току основной цепи, Параллельно конденсатору б подключен варистор 10, Разрядная цепочка 11 содержит диод 12, резистор 13 и присоединена анодом диода 12 через резистор 13 к минусу источника 15, а катодом диода 12 к катоду управляемого разрядника 4 и вакуумной камере 2 со стороны нагрузки 14.Вакуумный выключатель постоянного...

Номер патента: 1774390

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Аксельрод, Таймазов

МПК: H01J 9/44

Метки: активированных, газоразрядных, диэлектрической, импульсной, искрового, ламп, присадкой, разряда, электродов

...критерию "новизна".Сравнение заявляемого решения нетолько с прототипом, но и с другими техническими решениями в данной области техники не позволяет выявить в них признаки,отличающие заявляемое решение от прототипа, что позволяет сделать вывод о соответствии критерию "существенныеотличияНа фиг,1 и 2 приведены экспериментально полученные зависимости среднегонапряжения зажигания (фиг.1) и нестабильности напряжения зажигания (фиг.2) от количества разрядных импульсов приобработке электродов, Зависимости получены при исследовании газоразрядной лампыФПС 0,045 и приведены для различныхЭНЕРГИЙ ОбРабатЫВаЮЩЕГО ИМПУЛЬСа Яоб:кривая 1 при Яоб = 2 Дж, кривая 2 приЯсб = 4 Дж. кривая 3 при Яоб = 10 Дж,кривая 4 при Яоб = 16 Дж, кривая 5 приЯоб = 24...

Номер патента: 1774391

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Зосим, Пузиков, Семенов

МПК: H01J 27/10

Метки: дуоплазмотронного, ионов, источник, типа

...щелевых отверстий формы и расположен в50 плоскости симметрии отверстий,Таким образом, предлагаемый источникионов с щелевидной системой электродовпредназначен для генерации ленточногопучка ионов и является по существу щеле 55 видным дуоплазмотроном. Это позволяетустранить вышеуказанные недостатки прототипа и улучшить его характеристики,Так согласно решения, величина полного тока пучка ионов, формируемого в щелевидной системе, пропорциональна длине а50 55 выходной щели, что позволяет значительно увеличить величину ионного тока по сравнению с аксиально-симметричным дуоплазмотроном.Кроме того ленточный пучок вдоль координаты большего размера пучка имеет практически однородную плотность ионного тока, причем. степень однородности тем выше, чем...

Номер патента: 1774392

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Каминский, Ходосевич

МПК: H01J 29/88

Метки: антибликовый, информации, отображения, устройства, фильтр

...антибликовыйфильтр как соответствующий критерию "новизна".Использование известных и новых элементов и взаимосвязей между ними приводит к достижению нового эффекта -повышению устойчивости матовой поверхности антибликового фильтра к внешниммеханическим воздействиям, что позволяетклассифицировать предложенный антибликовый фильтр как соответствующий критерию "существенные отличия".Сущность изобретения заключается втом, что внешние механические воздействия на слой фотоотвержденного акриловогополимера, тол щина которого удовлетворяетсоотношению (1), благодаря упругим свойствам фотоотвержденного акрилового полимера, находящегося в стеклообраэномОтстоянии, не вызывает повреждений матовой поверхности,Для обоснования соотношения (1) используем...

Номер патента: 1774393

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Волков, Ермошин, Ивченко, Пинясов

МПК: H01J 61/22

Метки: лампа, металлогалогенная, облучения, растений

...определяется достижением конкретных значений напряженияна лампе, так как внутренний объем и межэлектродное расстояние разных типов сильно разнятся, а также необходимой 3интенсивнестью излучений линий ртути ввидимом диапазоне.В качестве галогенидов лития использованы иодиды, бромиды. хлориды либо ихсмеси,Нижнее предельное значение дозировки галогенида лития определяется необходимостью обеспечить достаточное ихколичество в газоразрядной трубке с учетомпостоянного уменьшения из-за диффузиичерез кварцевое стекло,Верхнее предельное значение дозировок галогенидов лития определяется увели чивающимся количеством загрязнений,попадающих в горелку вместе с галогенидами, что повышает напряжение зажигания испособствует распылению электродов.В...

Номер патента: 1774394

Опубликовано: 07.11.1992

Автор: Минаев

МПК: H01J 61/38

Метки: лампа, металлогалогенная

...39900 Па, ртутью вколичестве 1,5 - 10,0 мгlсм, галогенидамизщелочных металлов в количестве 0,05 - 0,5мг/см, добавками для обеспечения горелки галогенидами РЗМ в количестве 0,06 - 0,5мг/см, добавками для обеспечения горелки галогенидами РЗМ в количестве 0,53 -5,14 мгlсм, горелка лампы изготовлена изкварцевого стекла, коэффициент пропускания которого в области длин волн 345 - 395нм составляет 30 - 60% от коэффициентапропускания в области длин волн 395 - 795нм,В лампе по изобретению в результатеиспользования легированного кварца с указанными значениями коэффициента пропускания создаются условия для полученияизлучения, которое удовлетворяет требова. ниям цветного телевидения и кино, Параметры легированного кварца, при которыхдостигается цель...

Номер патента: 1774395

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Просвиряков, Стожарин

МПК: H01K 3/04

Метки: источников, качества, навивки, накала, света, спирали, тел

...о возможностью осевого перемещения и снабжена торцевыми радиальными зубцами 14. Ответные канавкиимеются как на диске 15, который установлен на валу привода 16, так и на втулке 4,Зубцы и канавки имеют прямоугольныйпрофиль. За счет совмещения зубцов и канавок муфта 7 соединена с диском 15, адополнительная муфта 11 - с втулкой 4,Полумуфта 3 (фиг,З) может быть выполнена заодно соответственно с втулкой 4 и сдиском 15. Тогда полумуфта 12 закрепляется на валах с возможностью осевого перемещения,При совмещении цапфы 8 с осевым отверстием диска 15 образуется радиальноупорная опора для размещения объектива 1над.контролируемой спиралью 17 и для вра- .щения его вокруг оси диска 15, огибаемогоэтой спиралью. 50 55 20 25 30 35 40 45 Каждая из...

Номер патента: 1774396

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Аранович, Беляев, Дирочка, Киселева, Мейман, Поповян, Трошкин, Экивина

МПК: H01L 21/58

Метки: полупроводниковых, приклеивания

...способствоватьтуннелированию электронов из обогащенной зоны проводимости, которые участвуютв переносе заряда и также способствуютцепной реакции полимеризации как на поверхности полупроводника, так и в объемеклея.П р и м е р, Для осуществления способабыли использованы пластины из полупроводниковьх материалов пЯЬ (толщиной 0,6мм), ОаАз (толщиной 0,7 мм), Я толщиной0,4 мм), ОбхН 91-хТе (толщиной 0,8 мм), склеиваемые с подложками из высокоомногогермания толщиной 0,5 мм. Для получениясравнительных данных указанные пластины из полупроводниковых материалов склеивали с подлокками из сапфира по способу,принятому за прототип.В качестве источника Уф-излученияприменяли ртутно-кварцевую лампу высокого давления ДРТ,В качестве...

Номер патента: 1774397

Опубликовано: 07.11.1992

Автор: Лебедев

МПК: H01L 21/66

Метки: базовой, заряда, концентрации, носителей, области, р-п-перехода

...захваченных носителей с постоянной времени О, где 0 определяется параметрами ГЦ, Тогда разность между двумя значениями емкости в моменты времени т 1 и 1 г после окончания импульса инжекциие 11/О М е 1 г/О М (е ц/О- е сг/О): ЬСм, (3)где М - полная емкость р-п-перехода, обусловленная ГЦ.Если между окончанием импульса прямого напряжения и началом импульса обратного прошло время таад, при котором напряжение на структуре равно нулю, перезарядка ГЦ будет определяться двумя процессами;во-первых, термической ионизацией,во-вторых, во время Гзад, когда напряжение и, следовательно, электрическое поле вбазе р-и-структурыы равно нулю, захватомносителей из зоны с погтоянной времени г.После окончания тэад и начала импульса обратного напряжения...

Номер патента: 1774398

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Калинин, Овчаренко

МПК: H01L 21/76

Метки: полупроводниковых, структур

...применяемого в элементах памяти зарубежных изготовителей.Указанные известные технические решения, уменьшающие влияние рельефа, могут применяться как по отдельности, так и в совокупности в предлагаемом способе.На фиг,1,2 показаны сечения полупроводниковой структуры на различных этапах ее формирования, на фиг.3,4 - аналогичные сечения другой полупроводниковой структуры с частичным размещением второго диэлектрического слоя на поверхности полупроводниковой подложки,На фиг,1(3) изображена структура после осаждения второго слоя поликристаллического кремния и легирования его азотом на всю толщину этого слоя,На фиг,2(4) показана полупроводниковая структура после термической обработки (отжига),На фиг,1 - 4 используются следующие обозначения;-...

Номер патента: 1774399

Опубликовано: 07.11.1992

Автор: Мальцев

МПК: H01L 23/18

Метки: полупроводниковый, прибор

...изобретения является повышение эффективности охлаждения полупроводникового прибора.Цель достигается введением пьезоэлемента, размещенного в центре окружности сечения стакана, двух параллельно жестких электровводов, размещенных в основании зеркально симметрично относительно оси корпуса стакана, двух упругих стержней, первые концы которых соединены с электровводами, а вторые - с саответствующими электродами пьезоэлемента, собственная .резонансная частота которого выбрана кратной резонансной частоте стержней, управляемого генератора колебаний, подключенного к электровводам амплитудного детектора, вход которого соединен с выходом генератора, а выход - с управляющим входом генератора, Управляемый генератор вырабатывает импульсы...

Номер патента: 1774400

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Водаков, Вольфсон, Мохов, Роенков, Семенов

МПК: H01L 21/363, H01L 33/00

Метки: источник, полупроводниковый, света

...способствует подавлению не только дефектной ЭЛ, но и других, более низкоэнергетических, нежелательных примесных полос люминесценции (в частности - борной смаксимумом излучения в зеленой области спектра). Концентрация Яп должна быть не16 -Эменее 110 см в материале как и-, так и р-типа. При меньшей концентрации Яп эффективность излучения резко снижается за счет наличия дефектных центров вблизи ри-перехода типа 01 с излучением в зелено- голубой области и ухудшается быстродействие, Верхний уровень легирования Яп.16 -З3 10 см определяется пределом его растворимости в Я 1 С.На чертеже приведена блок-схема устройства,Устройство содержит подложку 1 любого политипа и-типа проводимости, слой 2 и-типа проводимости политипа 4 Н, слой 3...

Номер патента: 1774401

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Костяков, Львов

МПК: H01P 1/15

Метки: выключатель

...при подаче на ри-диоды прямого смещения, При этом цепочка ри-диодов в щели представляет собой некоторуюэквивалентную индуктивность, котораявместе с емкостью щели образует параллельный резонансный контур. Этот контуробладает высоким резонансным сопротив лением, которое практически не шунтирует 5 10 20 25 где- длина перемычки, а- ширина перемычки. 30 35 40 45 50 55 щель, и СВЧ-сигнал проходит через щель с малыми потерями. В щелях с конденсаторами остаются последовательные резонансные контуры, и СВЧ-сигнал через эти щели не проходит. Однако за счет малого сопротивления последовательных контуров на них падает незначительная часть СВЧ-напряжения, что практически не влияет на уровень потерь,Поскольку на цепочки с конденсаторами никакого...

Номер патента: 1774402

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Бей, Богомолов, Свидерский, Хандамиров

МПК: H01P 1/195

Метки: проходного, типа, фазовращатель, ферритовый

...феррита и направлениемэтого намагничивания по отношению к наи равлени ю расп ростра н ения электромагнитной волны. Намагничивание ферритаосуществляется импульсами тока, подаваемыми на проводник фазовращателя от блока управления. Величина и направлениенамагничивания феррита зависят от амплитуды импульса, его длительности и полярности,Электромагнитная волна с круговой поляризацией может быть представлена суммой линейно-поляризованных волн, векторыполяризации которых ориентированы в ортогональных направлениях, Условия распространения линейно-поляризованных волн вфазовращателе таковы, что одна из них, например, с вектором поляризации, лежащим вгоризонтальной плоскости, проходит свободно, проводник не оказывает на нее никакого влияния, а...

Номер патента: 1774403

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Кузнецов, Пивоваров, Чекрыгина, Ясько

МПК: H01P 1/20

Метки: перестраиваемый, режекторный, фильтр

...ат одной ега длинной стороны до другой, При этом коммутируемый диод установлен на расстоянии 12 = 0,37 - 0,38 11 от ОДНОГО края прямО- угольного отверстия, а металлический стержень - на расстоянии 1 з =- 0,49 - 0,51 от друГОГО еГО края,На фиг,1 представлен перестраиваемый режекторный фильтр; на фиг.2 (а - г) приведены характеристики затухания, вносимого прямоугольным отверстием и прямоугольным отверстием с включенным между ега длинными сторонами коммутируемым диодом с диодадержателем и введенным параллельно коротким стенкам отверстия металлическим стержнем,Перестраиваемый режекторный фильтрсодержит отрезок П-образного волновода 1, 10 в гребне 2 которого выполнено прямоугольное отверстие 3, длинные стороны 1 которого равны Л 2, где...

Номер патента: 1774404

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Злобин, Кирдяшов, Куркин, Тынчеров

МПК: H01P 3/00

Метки: аппаратуры, линия, между, опорами, подвижной, свч-связи, стационарной

...шарнирно присоединены две ленточные тяги 16, 17, оси вращения шарниров перпендикулярныплоскости соединения лент 11 и 12. Ленточные тяги 16, 17 другим концом соединены с40 барабаном лебедки 3. На поверхности двухцилиндрических частей барабана 3 симметрично выполнены две винтовые проточки18, 19, а по краям - две кольцевые проточки20, 21, Винтовые и кольцевые проточки45 предназначены для помещения в них ленточных тяг. В барабане лебедки 3 выполнена также центральная фасонная кольцеваяпроточка 22, профиль которой соответствует профилю линии передачи 4 в абьемном50 состоянии. Деформирователь 5 содержитролики 24,25, с воэможностью их симметричного разведения - сведения относительно продольной оси линии передачи 4.Линия СВЧ-связи между...

Номер патента: 1774405

Опубликовано: 07.11.1992

Автор: Орлов

МПК: H01P 5/10

Метки: коаксиально-полосковый, переход, перпендикулярный

...3 и диэлектрик 2 на участке мекду лепестковым возбудителем 6 и заглуш-,кой 10 усечены диаметральной плоскостью,проходящей через ось отрезка 1 коаксиальной линии, и одна из торцовых поверхностей 11 фланцевого держателя 4 совмещенас этой плоскостью.Перпендикуляоный коаксиально-полосковый переход работает следующим образом,СВЧ-энергия волны типа Т поступает вотрезок 1 коаксиальной линии, Конец центрального проводника 5 отрезка 1 коаксиальной линии присоединен к лепестковомувозбудителю 6, который, в свою очередь,соединен с полосковым проводником 7 отрезка 8 полосковой линии, на заземляющемосновании 9 которой установлен фланцевый держатель 4, установленный одновременно на внешнем проводнике 3 отрезка 1 коаксиальной линии, торец...

Номер патента: 1774406

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Майбородин, Шварцман

МПК: H01P 5/12

Метки: делитель, мощности

...плечу 9 вторичной линиипервого направленного ответвителя 1, квходному плечу 10 вторичной линии второгонаправленного ответвителя 2 и к входномуплечу 11 вторичной линии третьего направленного ответвителя 3 подключены согласованные нагрузки 12,Входное плечо 16 первичной линии четвертого направленного ответвителя 15 подключено к выходному плечу первичнойлинии 17 второго направленного ответвителя 2, а его входное плечо 18 вторичной линии подключено к выходному плечу 19вторичной линии третьего направленного"ответвителя 3,Выходное плечо 20 первичной линии ивыходное плечо 21 второй линии четвертогонаправленного ответвителя 15 является соответственно первым и вторым выходамиделителя,Пятый направленный ответвитель 22,входное плечо 23...

Номер патента: 1774407

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Голованов, Копылов, Ризуненко

МПК: H01P 1/203

Метки: амплитудный, корректор, сверхвысокочастотный

...колебательный контур,включенные между соосными входным и выходным проводниками, и параллельный колеба гельный контур, подключенный между 10оезистором, смещенным относительно соосных проводников, и нижним основаниеммикрополосковой линии передачи.Наиболее близок к предлагаемсму амплитудный сверхвысокочастотный корректоо, содержащий диэлектрическуюподложку, на одной стороне которой расположено мтзллизированное основание, а надругой размещен проводник, к боковымкромкам которого подключены одними концами пленочные резисторы на четвертьволновом расстоянии один от другого, к другимконцам которых подключены шлейфы.Недостатком таких корректоров являются относительно большие потери на верхней частоте рабочего диапазона.Цель изобретения -...

Номер патента: 1774408

Опубликовано: 07.11.1992

Автор: Затоненко

МПК: H01Q 1/36

Метки: антенны, зеркальной, поверхности

...точками параболы А и Б, из центра в т. О радиусом В 1. При этом координаты указанного центра и радиус определяются аналитическими зависимостями от координат точек параболы, ограничивающих этот участок, Таким образом, способ соответствует критерию изобретения "новизна".Известный способ предполагает приобработке отражающей поверхности рефлектора зеркальной антенны перемещение рабочей кромки инструмента в осевой плоскости относительно вращающейся заготовки по дуге окружности, центр которой находится нэ фокальной оси рефлектора.Однако при этом получают отражающую поверхность только сферического типа, В предлагаемом решении обрабатываемую поверхность разбивают на участки и рабочую кромку инструмента перемещают по дуге окружности на 1-м...

Номер патента: 1774409

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Безбородов, Глотов, Каленичий

МПК: H01Q 13/00

Метки: антенна, диэлектрическом, резонаторе

...направленности.На фиг.1 представлен общий видантенны на диэлектрическом резонаторе; на фиг,2 и 3 поясняется принцип формирования суммарной и разностной диаграмм направленности (ДН).Антенна на диэлектрическом резонаторе содержит отрезок прямоугольного волновода 1 с рабочими модами Н 10 и Н 20, закороченный с одной стороны диафрагмой 2 с прямоугольным в ее центре отверстием 3, в котором установлен крестообразный диэлектрический резонатор 4. Плоскость первого слоя 5 резонатора 4 размещена в плоскости диафрагмы 2, а плоскость второго слоя 6 перпендикулярна ей и широким стенкам волновода 1.Антенна работает следующим образом. Распространяющаяся в волноводе 1 волна типа Н 10 возбуждает слой б резонатора 4, После Н 111 этого слоя,...

Номер патента: 1774410

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Жиронкина, Пенкин

МПК: H01Q 13/10

Метки: антенная, кольцевая, круговой, поляризацией, решетка

...где гг - удельная проводимость материала;О - длина участка продольной щели без слоя проводящего материала;Л - длина участка щели, на котором расположен слой проводящего материала, при этом продольные оси отрезков волноводов расположены радиально,Толщина проводящего слоя в апертуре щелей варьируется в соответствии с изменением величины скин-слоя для заданной частоты, вследствие чего излучатель оказывается резонансным в широкой полосе частот.В отличие от прототипа, содержащего узкополосные элементы АР, использование в качестве элементов радиально расположенных отрезков волноводов с широкополосными щелевыми излучателями, имеющими изменяющийся с частотой вдоль апертуры щели геометрический и постоянный электрический фазовые центры, за счет...

Номер патента: 1774411

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Голод, Кируша, Шостак

МПК: H01Q 15/16

Метки: антенны, зеркальной

...в плоскости,нормальной к образующей формируемойповерхности. В процессе обжатия оси валков 10,11 обливаются между собой, приэтом технологическое кольцо вращают, Вкачестве исходной поверхности используютоболочку, выполненную в форме усеченногоконуса, диаметр отверстия меньшего основания которого равен. диаметру раскрывацентрального участка антенны, заданномутеоретической кривой. Угол конусности усеченного конуса определяют из.условия: а =2О - б= агс(9 = 64 О, где буквальные обоэХ 1 - Х 2начения определяют, исходя из упомянутойтеоретической кривой, Эти значения соответственно равны;диаметры периферийного и центрального участков (Р и б соответственно) 1500мм и 900 мм;глубины всей антенны и ее центрального участка (Х 1 и Х 2...

Номер патента: 1774412

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Завируха, Кочетков, Маринец, Науринский

МПК: H01Q 15/24

Метки: поляризационная, решетка

...волноводе, определяемая по фор- мулен=-ЪОднако при специальных измерениях необходимо изменять поляризацию излучения в более широких пределах с высокой точностью поляризационных параметров, Кроме того, имеющиеся поляризационные решетки являются уэкодиапазонными и рассчитаны на работу с электромагнитным излучением фиксированной длины волны, а в случае ее изменения необходима подстройка параметров решетки для сохранения свойств поляризационной решетки.Наиболее близка к предлагаемой поляризационная решетка по авт,св, И 741739, представляющая собой металлические пластины, закрепленные параллельно одна другой с возможностью поперечного перемещения на двух диэлектрических стержнях, и привод изменения шага междупластинами,5 Однако это...

Номер патента: 1774413

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Давыдочкин, Маторин

МПК: H01Q 17/00

Метки: антенны, вибраторной, поля, приемной, рассеянного, уменьшения

...29 циркулятора 20 подключена согласованная нагрузка 30. Свободный выход 31 направленного ответвителя 23 соединен с 4 поглощающей нагрузкой 32,Устройство работает следующим образом, Падающее на антенну 17 электромагнитное поле возбуждает так в проводниках вибратора, с выхода которого волна через согласующее устройство 18 поступает на первый вход циркулятара 20. С второго входа 21 циркулятора 20 волна через усилитель 22 и первый выход 24 направленного ответвителя 23 поступает в приемник 26, а часть 5 энергии принятой и усиленной волны ответвляется на второй выход 25 направленного ответвителя 23, с которого через фазовращатель 28 подается на последний вход 27 циркулятора 20. Прошедшая через циркуля 50 использования четырехвходового циркуля-...

Номер патента: 1774414

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Белозеров, Павлов, Топчевский

МПК: H01Q 21/00

Метки: антенная, конусная, решетка

...значение угла35ао =- агстц,так какУ 22 лй 4 В40Соответственно, текущее значение углаа = агс 194 лг45Схема управления содержит дешифратор 7, инверторы 8,9, ключи 10,11, электромагнитные реле 12,13, поляризованное реле 14, электродвигатель 15, концевые выключатели 16,17,18,19. 50Схема работает следующим образом,При поступлении кодовой команды на развертывание АР на вход дешифратора 7 на выходе "1" дешифратора формируется импульсный сигнал, который поступает через инвертор 8 на тр.ключ 10, Ключ открывается, реле 12 срабатывает и подает через контакты 12,1 на поляризованное реле 14 импульсное напряжение, переключая его в положение "1". Контакты его 14.1, 14.2 замыкаются, к 14,3, к.14,4 размыкаются. а так как концевые выключатели...

Номер патента: 1774415

Опубликовано: 07.11.1992

Автор: Щербаков

МПК: H01R 4/02

Метки: изолированных, между, металлическими, микропроводов, собой, соединения, токоподводами

...сушат до полного удаления растворителя из нанесенного слоя, проводят термообработку в режиме, соответствующем составу применяемой пасты, но не выше температуры пластификации изоляции микропроводников, при ко торой завершают процесс, затем для создания электрического контакта выступа ащие из спеченного металлического слоя, имеющего температуру плавления выше температуры плэстификации изоляции, свободные концы микропроводников обрезают, их остатки сошлифовывают, контактный узел повторно покрывают пастой и проводят термообработку в вышеописанном режиме.На чертеже изображена схема измерительного термоанемометрического преобрэзователя с чувствительным элементом из остекленного микроп ровода.Преобразователь содержит державу 1,...