Архив за 1985 год

Номер патента: 830987

Опубликовано: 30.06.1985

Автор: Свердлов

МПК: H01L 27/04

Метки: защиты

...образованном в полупроводниковой подложке первого типа проводимости и содержащем две высоколегированные области второго типа проводимости, одна из которых соединена с контактной площадкой через резистивную шину, реэистивная шина состоит из отдельных параллель" но соединенных участков, а одна иэ высоколегированных областей состоит из локальных участков, каждый из которых соединен с соответствующим участком резистивной шины, причем расстояние между высоколегированными областями обеспечивает возникновение вторичного пробоя.Изобретение поясняется чертежом, где полупроводниковая подложка 1, например р-типа проводимости, контактная площадка 2, резистивная шина 3, высоколегированные области 4,5, например О -типа проводимости.Устройство...

Номер патента: 1114237

Опубликовано: 30.06.1985

Авторы: Архипов, Павлов, Панин, Саратовский

МПК: H01J 31/58

Метки: запоминающая, трубка, электронно-лучевая

...электронных потоков расположен сигнальный электрод 7, в качестве которого использовано алюминированное покрытие люминесцентного экрана 8 трубки. Слой диэлектрика 6 нанесен на выходные участки каналов МКП 4 со стороны, обращенной к сигнальному электроду 7. ИКП 4 с нанесенным на ее выходную поверх-ность слоем диэлектрика 6 является одновременно усилительным и запоминающим элементом. В качестве диэлектрика использованы высокоамныедиэлектрики с большими значениямиудельного сопротивления (10 Ом,см)диэлектрической постоянной и высокимкоэффициентом вторичной электроннойэмиссии, например, окись магния,хлористый калий и т,д. Слой диэлектрика 6 не перекрывает каналы 5 МКП 4, но находится в непосредственномконтакте с внутренней...

Номер патента: 1114246

Опубликовано: 30.06.1985

Авторы: Зарипов, Петухов, Хайбуллин

МПК: H01L 21/265

Метки: магнитных, пленок, полупроводниках, тонких

...адгезия ТМП с полупроводниковой подложкой.Конкретные значения или интервалы допустимых изменений параметров 10(Е,0, ), определяющих режимы ионнойимплантации, вытекают из необходимости выполнения следующих основныхусловий зарождения и роста ТМП задан.ной толщины и в заданной области 15внутри полупроводника: наличия достаточного количества ферромагнитныхатомов в заданной области формирования ТМП, наличия центров преципитации (выпадения в осадок) внедренной 20примеси в заданной области формирования ТИП; малая растворимость атомов материала ТМП в подложке,Всем этим условиям удовлетворяетбомбардировка полупроводников (например, Б или Се) ионами магнитныхэлементов, например железа, кобальта,никеля, для которых предел растворимости не...

Номер патента: 919569

Опубликовано: 30.06.1985

Авторы: Отрубянников, Сафронов

МПК: H03K 3/02

Метки: генератор, импульсов

...конденсаторы включены параллельно коммутирующим диодам, включенным последовательно и согласно с коммутирующими тиристорами, параллельно обмотке возбуждения электромагнита подключены последовательно включенные тиристоры ввода и зарядный дроссель, причем анод тиристора ввода подключен к точке соединения одного из концов обмотки возбуждения электромагнита, анода основного тиристора и анода коммутирующего диода, Источник постоянного напряжения подключен через дополнительный тиристор ввода к точкам соединения коммутирующих тиристоров с коммутирующими диодами.На фиг.1 представлена принципиальная схема генератора импульсов тока на фиг.2 - эпюры напряжений и токов на элементах генератора.Генератор импульсов тока содержит накопительную...

Номер патента: 1063100

Опубликовано: 30.06.1985

Авторы: Бобылев, Васильев, Гребенкин, Грибов, Григос, Иващенко, Карпушкина, Ковшев, Козунов, Павлюченко, Смирнова, Титов, Шошин

МПК: C09K 19/08, G02F 1/13

Метки: жидкокристаллический, материал, устройств, электрооптических

...находит широкое применение в индикаторной технике под маркой Е 7 (фирма ВОН, Великобритания) .Недостатком укаэанных материалов является также сравнительно небольшой интервал существования нематической мезофазы и довольно высокие управляющие напряжения,. Цель изобретения - снижение управляющих напряжений и расширение интервала существования нематическоймазофазы, .Цель достигается ЖКМ, включающим жидкокристаллическое вещество с положительной диэлектрической.анизотропией и вещество, повышающее температуру прояснения, отличительная особенность которого состоит в том что в качестве вещества с положительной диэлектрической анизотропией используют от 2-7 5-алкил-(4- цианофенил)-пиридинов общей формулы 1кае- аей где К, - алкил или а числом...

Номер патента: 1063101

Опубликовано: 30.06.1985

Авторы: Бобылев, Гребенкин, Иващенко, Карпушкина, Ковшев, Павлюченко, Смирнова, Шошин

МПК: C09K 19/08, G02F 1/13

Метки: жидкокристаллический, материал, устройств, электрооптических

...минус 9 С, ном фоне,т.лре 60 Сф Пп р 155 Вр Б,4,(0 1595 В, . П р и м е р 15. Получают жидко П р и м ер 11Материал, содер-. кристаллический материал, состоящийжащий 25,3 мас.% 5-бутил-(4-циано- .из 25,0 мас.7 5-бутнл,. 1.7,3 мас.7фенил)пиридина, 17,5 мас.7 5-амил- 15 5-амил-, 29, 1 мас.% 5"гексил-(4(4-цианофенил)пиридина, 29,3 мас,7 цианфенил)пиридина, 17,4 мас;%5-гексил-(4;цианофенил)пиридина, 5-(4-бутилфенил)-2-(4-цианфенил)пи 17 9 мас.Х 5-(4-бутилфенил)-2-(4-ци- .ридина 10,2 мас.% 4-амил-цианобитфо1анофенил)пиридина и 10 мас,7 4,4 -фенила и 1,0 мас.7. фонового краситеамилцианобифенил, имеет т.пл. 20 ля 4-И,М-диэтиламин-окси-цианминус 18 С, т.пр, 72 С, Бф 1,1 В, азобензола, для которого Ъ 497 нм,Ц 1.,5 В, Э 11 /0 5,7, Е= 4,5 104 моль...

Номер патента: 1063266

Опубликовано: 30.06.1985

Авторы: Бугаев, Кудряшова, Шлитерис

МПК: H01S 3/22

Метки: лазер, субмиллиметровый

...является субмиллиметровый лазер с накачкой излучением СО -лазера, содержащий резонатор заполненный газообразной 25 двуокисью серы 2 ., Известный лазер работает на восьми дискретных линиях вблизи 139, 142 159, 182, 208, 258, 312 и 684 мкм. Йедостатком лазера, является узкий частотный диапазон, З 0 занимаемый линиями лазерного излучения. Целью изобретения является расширение частотного диапазона. лазерного излучения. 35Это достигается тем, что в субмнллиметровом лазере с накачкой излучением СО-.лазера, содержащем резона- - тор,заполненный газоабразным рабочим веществом, в качестве рабочеговещества он содержит двуокись серы. с атомным весом изотопа серы36 ат, ед.На чертеже представлена схема реализации изобретения, где изображены...

Номер патента: 1115411

Опубликовано: 30.06.1985

Авторы: Бондарев, Давыдова, Поляченко, Стополянская

МПК: C07C 67/333, C07C 69/587

Метки: 13-цис-метилретиноата

...цель достигаетсяспособом получения 13-цис-метилретиноата путем изомеризации транс"метил 45ретиноата при облучении исходногосырья светом ртутной лампы в средечетыреххлористого углерода при содержании транс-метилретиноата врастворителе, равном 2,5-6 мг/мл,в течение 20-30 мин.Отличительными признаками способаявляются проведение процесса изомеризации в среде четыреххлористого водорода при содержании транс-метилрети 55ноата в растворителе, равном 2,5 б мг/мл, в течение 20-30 мин,П р и м е р 1, Транс-метилретиноат в количестве 15 мг растворяютв 5 см четыреххлористого углерода.Раствор заливают в прямоугольнуюстеклянную герметичную кювету толщиной 1 см и через раствор пропускаютв течение 20-25 мин газообразнойаргон. Аргоном...

Номер патента: 924967

Опубликовано: 30.06.1985

Авторы: Вицких, Каим, Лавриненко, Лакисов, Ляхов, Малиновская, Нагаец, Овчаренко, Петраков, Резников, Рудаков

МПК: B01J 8/44

Метки: аппарата, газораспределительная, кипящего, решетка, слоя

...10 2,4 2,ъ2,4 Теюервтурв теввоф носители, СЭ 50"400 400-450 арона аоднтеввностьаечн, тсуткиУдеввный раскод арнрадного гвен(8200 ккав/нф), нфуяе 3 Фзйй рвско%евектроанергин,квт.чй 0 Э 75 27 0 2 07 10 16 116 116 57 бб составляет по ходу движения воздуха 70 С при одинаковой его скорости; в начале.и в конце. Увеличение ско-рости движения воздуха от входа к выходу в 2-4 раза способствует снижениюперепада температур и различных точках верхней пластины до 10-20 С.Этому способствует также увеличение гидравлического сопротивления решетки при увеличении кратности ходов потока охлаждающего воздуха. Перепад температур по поверхности реошетки не превышал 10 С.Сопротивление решетки при двух- кратном изменении потока в зависимости от расхода...

Номер патента: 1119463

Опубликовано: 30.06.1985

Авторы: Балин, Воробьев, Маев, Семенчук, Смиренин

МПК: G01T 1/185, G01T 5/02

Метки: гелия, мезоиона, образования, скорости

...примесь;С - коэффициент прилипаниямюона ( 0,07),После введения в мишень гелия меняется выход продуктов синтеза иэ-заперехвата мюона на гелий и временноераспределение примет вид:д ъ 1- = к е ъ дц .ДаС =й, еаад 1 д(1.м.ЛДй,1119463далее идет реакция ядерного синтеза (1)..Дальнейшая процедура измеренияполностью аналогична приведенной5 выше. где 1 ОЙ =)а+Ъ ф Сне "нер цскорость образования меедзоиона гелия (Не ) засчет атомного захвата(прямая посадка). 10На первом этапе измерений с чистымдейтерием определяется Йи А =аЬ. После введения гелия меняется уголнаклона временного распределения(см.фиг.2) за счет величины Сне Ъне Ч15откуда и определяется скорость перехвата Ъ нп . Изменение амплитудыпроисходит из-за добавки величины9 с 11 п фНе....

Номер патента: 1022645

Опубликовано: 30.06.1985

Авторы: Гал, Шивыргалов

МПК: H05H 13/00

Метки: микротрон

...захвата,а только компенсируетискажение ор"бит, вносимых неоднородностями магнитного поля поворотного магнита.Это и обуславливает основной недостаток известного устройства, заключающийся в недостаточной величине ускоренного тока.Целью изобретения является увеличение ускоренного тока путем повышения коэффициента захвата,Цель достигается тем, что в микро- троне, содержащем расположенный в вакуумной камере ускоряющий резонатор с входным и выходным отверстиями, поворотный магнит,и две пары магнитных катушек, оси которых перпендикулярны медианной плоскости поворотных магнитов, а зазор каждой пары катушек расположен в области первой орбиты микротрона, первая пара катушек расположена у выходного пролетного отверстия, и ее зазор перекрывает...

Номер патента: 1122088

Опубликовано: 30.06.1985

Авторы: Бурнашев, Крылов, Миронов, Привалов

МПК: G01J 9/02

Метки: волн, длин, лазеров

...12 и 13. По цепи . переключения ключ 12 связан с модулирующим пьезоэлектрическим преобразователем 4 и генератором спорного напряжения 14, а ключ 13 - с выходом амплитудного детектора 11 и с одним иэ входов сумматора 15. фотоприемник 16 с помощью светодели тельного зеркала 17 оптически, связан с эталонным лазером 1 и подключен к усилителю 18. Умножитель частоты 19 соединен с генератором опорного напряжения 14 и одним из входов синхронного детектора 20, другой вход которого соединен с усилителем 18, Выход синхронного детектора 20 связан с одним из входов компаратора 21, другой вход которого соединен с корпусом, а выход - с вторым входом сумматора 15. Выход сумматора 15 соединен с входами регистратора 22 и частотомера 23, другой вход...

Номер патента: 1124666

Опубликовано: 30.06.1985

Авторы: Галлямов, Гетманский, Зайцев, Калимуллин, Кригман, Тригуб

МПК: F15D 1/02

Метки: газа, транспорта

...в трубке с прямым соплом по сравнению с наклонным соплом.Система позволяет при том же начальном давлении в газопроводе увеличить количество устанавливаемых сопл, вследствие чего улучшается диспергирование жидкости и создаются условия для более надежной зашиты газопровода от коррозии.Благодаря уменьшенному сопротивлению сопл система обеспечивает следующие преимущества по сравнению с системой - прототипом: при том же диаметре трубопровода может быть пропущено большее количество газа при тех же потерях давления. При этом благодаря большим скоростям в сопле достигается лучшее днспергированиежидкости, увеличивается дальность полета капель до их осаждения на стенки, что приводит к улучшению защиты от коррозии металла трубопровода;при...

Номер патента: 1124670

Опубликовано: 30.06.1985

Автор: Добров

МПК: F01L 9/04, F25B 9/00

Метки: впускной, детандера, клапан, поршневого

...2,Недостатком указанного впускногоклапана является сложность конструкции и низкий КПД машины из-за наличия электромагнита, вносящего теплопритоки.Цель изобретения - упрощение конс-отрукции.Это достигается тем, что в впускном клапане поршневого детандера,содержащем толкатель, связанный споршнем детандера, и эапорный органс удерживающим магнитом, толкательустановлен в поршне с возможностьюсвободного перемещения на части егохода и снабжен на торце магнитом,сила притяжения которого больше, чем 30у удерживающего магнита.На чертеже изображен впускной клапан поршневого детандера.В цилиндре 1 детандера толкатель2 смонтирован в поршне 3 иэ немагнитного материала. Толкатель 2 свободно перемещается вдоль оси поршня 3 на величину зазора а,...

Номер патента: 1072733

Опубликовано: 30.06.1985

Авторы: Матвеев, Обысов

МПК: H02H 7/20

Метки: внутренних, защиты, прибора, пробоях, электровакуумного

...и диод, однимвыводом предназначенный для подключения к одному выводу второго источника питания, другой вывод которогосвязан с третьим электродом электро 35вакуумного прибора 23,Недостатком этого устройства также является низкая надежность защи-,ты, обусловленная тем, что при от-ключении управляемого ключа второй 40источник пи-,ания остается подключенным, и в случае распространенияпроводящего канала внутри ЭВП натретий электрод будет продолжатьсяразрушение прибора. 45Целью изобретения является повышение надежности защиты,Поставленная цель достигается тем,что известное устройство. для защитыэлектровакуумного прибора при внутренних пробоях, содержащее управляемый ключ, одним выводом подключенный к первому электроду электровакуумного...

Номер патента: 1124775

Опубликовано: 30.06.1985

Авторы: Анашкин, Кейлин, Кривых, Миронов

МПК: H01F 6/06

Метки: магнита, провода, сверхпроводящего, электродинамической

...импульсных нагружениях в азотнойванне (пунктирная линия обозначаетотогрев до комнатной температуры),на фиг, 2 - зависимость напряженности магнитного поля от тока в соленоиде в точке максимального поля, атакже в центре и характеристикакороткого образца сверхпроводника. Испытуемый образец сверхпроводящего магнита в жидком гелии показал, что деградация тока в нем составляет около 307 (см,например, позиции испытаний 1-5 на фиг.1). Первое импульсное нагружение быпо проиэведе. но (для исключения влияния металлических стенок гелиевого криостата) в сосуде из диэлектрика в жидком азоте, причем емкость и напряжение конденсаторной батареи были такими,что не обеспечивали амплитудногозначения тока выше критического всвязи с увеличением...

Номер патента: 1124792

Опубликовано: 30.06.1985

Авторы: Архипов, Берковский, Миркин, Михайлов, Павлов, Панин, Саратовский

МПК: H01J 31/58

Метки: масштабно-временного, одиночного, преобразования, сигнала, электрического

...входной электрод 1 МКП, МКП 2, увеличенное изображение одного канала 3 МКП, выходной электрод 4 МКП, сигнальный электрод 5, ток записывающего луча 6, ток считывающего луча 7, ток 8 входного электрода МКП, ток 9 выходного электрода МКП, выходной ток 10 МКП (ток сигФ нального электрода) нагрузки 11 - 13, подключенные соответственно к электродам 1, 4, 5. время записи электронный записывающий луч 6 облучает входную плоскость МКП 2 по закону исследуемогосигнала. При прохождении записывающего луча 6 через каналы 3 МКП 2со стенок каналов уходят вторичные электроны, оставляя на них положительные заряды, которые формируют в МКП 2 зарядный рельеф,соответствующий изображению входногосигнала. Запись исследуемого сигнала осуществляют в режиме...

Номер патента: 1073914

Опубликовано: 30.06.1985

Авторы: Брехов, Малышев, Маштаков, Салюк, Скобелкин, Степанов

МПК: A61B 17/00, A61B 18/22

Метки: биологических, разреза, тканей

...содержащем два отдельных лазера, излучающих в раз" 5 личных спектральных диапазонах установленные в световых трактах лазера отдельные оптические телескопические системы, трансформирующие поперечные сечения пучков излучения от О дельных лазеров в поперечном сечении, относящиеся по площадям как .1;10 и менее, одну оптическую систему коаксиального совмещения пучков лазерных излучателей, лазерный 15 светопривод выходной частью, имеющей не менее шести степеней свободны для перемещений, выходная часть светопривода снабжена двумя отдельными коаксиально установленными линзами, 20 раздельно фокусирующими излучение отдельных лазеров в одной точке, причем одна из линз имеет по сравнению с другой не менее чем в 3,3 раза меньший диаметр, и линза...

Номер патента: 1074236

Опубликовано: 30.06.1985

Авторы: Бабина, Забытова, Карабаш, Коротаев, Пинчук, Юдина

МПК: C01D 1/42, G01N 25/14

Метки: анализе, вещества, высокой, концентрирования, чистоты, элементов-примесей

...примесей часто получают значительные объемы растворов (50-200 мл), содержаших частицы 25суспензий, эмульсий, этот способвыпаривания раствора путем подачи его из капельной воронки не исключает потерь анализируемых примесей в результате сорбции и адгезии их ЗОна стенках воронки.Наиболее близким по техническойОстаток после Температура прокаливани рокаливания мас.Е 3 02 3 г,99,5 35 37 100 100 98 00 88,236 2ном избытке, добавление аммиакадля соосаждения элементов примесейс оксихинолинатом галлия, выпаривание и прокаливание остатка при330-370 С до полного удаления оксихинолина.По предлагаемому способу кислыйили нейтральный раствор совместно с угольным порошком добавляют раствор нитрата галлия и уксусно-кислыйраствор 8-оксихинолина при...

Номер патента: 1074991

Опубликовано: 30.06.1985

Автор: Александров

МПК: E21B 47/00, E21B 47/12, E21B 47/14 ...

Метки: скважины, состояния, ствола

...значению указанного отношения,На чертеже приведена зависимостьпредельных напряжений глиц от ихпетрофизических параметров,Способ осуществляется следующим образом.Предварительно путем определенияпористости, удельного электрического сопротивления интервалов глинс нормальным поровым давлениемскважин в зоне депрессии без размыва поверхностной толщи определяется зависимость предела прочности( Ьз)электрического сопротивления иинтервального времени распространения акустических волн (см, чертеж).Периодически после вскрытия части разреза интересующей скважины проводятся замеры прибором электрического каротажа с зондом радиуса исследования более 1-2 м и акустического каротажа. По материалам скважинньгх исследований для глинистых интервалов...

Номер патента: 1075632

Опубликовано: 30.06.1985

Авторы: Кропотов, Пахомов

МПК: G06G 7/60

Метки: моделирования, нейрона

...5 с сигналом на выходе соответственно интеграторов 7 и 8. Сигналы с выходовинтеграторов 7 и 8 поступают навходы сумматоров 13, сигналы с выхода которых подаются на входы 2 интеграторов 1 соседних моделей нейронов с весами, которые определяются на основе нейрофизиологическихи психофизиологических данных функцией модуля разности расстояния между модеЛями нейронов, представленной на графике 15 (фиг. 2).Пошаговая работа описанного устройства соответствует решению следующей системы раэностных уравнений,адекватно характеризующих поведение структуры моделируемых нейронов:Р,.(Ь 1)-Р,(Х)-ЫР,(Х)Ху(х (х)х. (1 Ц 1 1 1 ЭФЧ31 92 хй;(1 )- ЕМ,(1 )+3,. (1 с); Х (Х 1)-Хх,(Х)(А,+В,Н (Х)1 Х, (Х)+С Ч,)+,1 х 1).х(х):А,в,н.(х)х:,(х) с,х,(х) где Р;1 К)-...

Номер патента: 1075740

Опубликовано: 30.06.1985

Авторы: Бобык, Кулаев, Ламбина, Плотникова, Северин, Таусон, Чуркина

МПК: C12N 15/00, C12N 9/24

Метки: в-1454, вкм, д-продуцент, литического, фермента, штамм

...ливис наблюдался под действием фермента нанекоторые виды флавобактерий, а также на Кцгг 1 а горЫЫ Ви нахромобактерии. С высокой скоростью 40 препарат лизировал прогретые клеткиках многих грамположительных, таки многих грамотрицательных организмов.1Препарат показал высокую актив ность в отношении всех опробованныхштаммов стафилококков и микрококков,выделенных от больных. Менее эффективно препарат действовал на стрептококки групп В и Д, а также на 50 некоторые стрептококки группы А.Грамотрицательные патогенные микроорганизмы, за исключением Неввега,оказались устойчивыми к действиюфермента.55 П р и м е р. Штамм Рзецйошопав1 ус 1 са ВД выращивают в жидкойсреде, содержащей 0,013 дрожжевогоэкстракта (01 Есо), 0,063 казаминовых 3...

Номер патента: 792854

Опубликовано: 30.06.1985

Авторы: Борисенко, Зарановская, Карабанов, Кудря, Лозинский, Петренко, Резвинова, Штепанек

МПК: A01N 47/30, C07C 157/09, C07C 87/10 ...

Метки: 2-окси-2, натрийсульфонатофенил, нитрофенил)-этил-тиомочевина, обладающая, растений, роста, свойствами, стимулятора

...он не может 30 найти применение из-за недостаточной и неустойчивой прибавки урожая зерна 121,Целью изобретения является расширение ассортимента стимуляторов роста растений, обладающих более высокой активностью и более широким спектром действия.Полезные свойства определяются химической структурой И в (и-натрийсульфонатофенил)-8 -/2-окси-(е 1-нитрофенил)/-этил/-тиомочевины, которая выражается следующей формулой: Ор1" Я - СН45ОН 5 И-С - ЪН О зобо.5 Соединение формулы 1 получают при реакции аминоэтанола с соответствую - ще замещенным изоцианатом при нагревании.П р и м е р 1, К раствору 0,91 г 1 в (И-.нитрофенил)-2-аминоэтанола в 10 мл метилэтилкетона (МЭК) прибавляют раствор 1,16 г.Юа-соли-изотиоцианатобензолсульфокислоты в 10 мл МЭК....

Номер патента: 1131067

Опубликовано: 07.07.1985

Авторы: Веселов, Дзекун, Иняшкин, Мартынов, Основин, Перминов, Розен, Савченко

МПК: B01D 29/28

Метки: жидкостей, осветления, фильтр

...установлена .вибрирующая насадка 2. Вал 3 вибрирующей насадки через упругий элемент 4 соединен со штоком 5 вибрационного привода 6, установленного на амортизирующих пружинах 7. Корпус 1 снабжен подводящими 8 и отводящими 9 патрубками, патрубком 10 выгрузки фильтрующего, материала 11, герметизирующим элементом 12, например металлическим силь- Фоном, на вводе штока 5 в полость корпуса 1, дренажным устройством 13. Насадка 2 состоит иэ набора втулок 14, к которым крепятся радиальные пластины или лопатки 15, соединенные ребрами жесткости 16, Упругий элемент 4 состоит из дисков 17, соединенных наклонными пластинами 18.Фильтр работает периодически врежимах фильтрации и регенерациифильтрующего материала. В режимефильтрации исходный...

Номер патента: 1131333

Опубликовано: 07.07.1985

Авторы: Ерозолимский, Мостовой, Хахан

МПК: G01T 1/16

Метки: вариаций, интенсивности, малых, потока, частиц, ядерных

...ток с выхода детекторов 1 и 2 ядерных частиц поступает на вход.интегратора 3, напряжение на выходе которого в каждый момент времени будет 15 определяться разностью зарядов, прйшедших с выходов обоих детекторов 1 и 2 ядерных частиц, и постоянной времениинтегратора 3. Напряжение на выходе интегратора 3, флуктуирую щее относительно нуля, поступает на вход двухканального усилителя-формирователя 4, стабильность рабочей точки которого поддерживается за счет введения глубокой отрицательной об ратной связи с его, выхода на вход с постоянной времени, много большей постоянной времени интегратора 3 и периода внешнего воздействия, На выходах двухканального усилителя-форми- ЗО рователя 4 в моменты, когда входное флуктуирующее напряжение...

Номер патента: 989940

Опубликовано: 07.07.1985

Авторы: Атнашев, Музгин

МПК: G01J 3/42

Метки: атомизатор, электротермический

...его испарения, а следовательно, и величина аналитического сигнала,50Цель изобретения - повышение точности и чувствительности анализа.Цель достигается тем, что в электротермическом атомизаторе, содержащем цилиндрическую спираль, источник по стоянного напряжения, источник светового излучения и сопло обдува спирали, спираль выполнена с переменным шагом намотки, уменьшающимся к середйне спирали.Электротермический атомизатор отличается от существующих тем, что спираль с шагом намотки, уменьшающимся к ее середине, позволяет локализовать сухой остаток анализируемого раствора в центральной части спирали, что приводит к повышению точности анализа, так как испарение вещества происходит с одного и того же центрального участка спирали. При...

Номер патента: 803810

Опубликовано: 07.07.1985

Авторы: Иконникова, Краснова, Поссе

МПК: H02M 7/04

Метки: электрического

...через дополнительно введен ный однофазный выпрямительный мост, в диагональ постоянного тока которого включен указанный дроссель, с одноименной фазой третцчной обмотки другого трансформатора.На чертеже представлена принципиальная схема преобразователя.Предлагаемый преобразователь содержит первичные обмотки 1, соединенные последовательно, вторичные обмотки 2, подключенные к трехфазным вентильным.мостам, и третичные обмотки 3, между одноименными выводами которых включены однофазные" диодные мосты 4. В диагональ постоянного тока каждого диодного моста включен реактор 5. На стороне постоянного тока трехфазные вентильцые мосты могут быть соединены между собой либо последовательно, либо параллельно через уравнительный реактор, либо же быть...

Номер патента: 1088485

Опубликовано: 07.07.1985

Авторы: Коковкин, Кравченко, Михайлов, Орнацкая, Смоляков

МПК: G01N 27/48

Метки: аммониевых, катионов, оснований, сульфониевых, третичных, четвертичных

...растворители, отравляющие электрод; применение вреднык для здоровья растворителей, таких как нитробензол ихлороформ.Целью изобретения является ускорение анализа.Поставленная цель достигается тем, что в способе определения катионов четвертичных аимониевых и третичных сульфониевых оснований путем потенциометрического титрования тетрафенилборатом натрия .определение проводят в однофазной смеси спирта с водой при соотношении 1:1 - 1;5 с индикаторным пастовым электродом при следующем соотношении компонентов пасты, мас.Ж: тетрафенилборат, метилтриоктиламмония 5-10, дибутилфталат 30-35, графит - остальное. По предлагаемому способу навеску соли четвертичного аммониевого основания растворяют в этаноле, аликвотную часть раствора разбавляют...

Номер патента: 1040698

Опубликовано: 07.07.1985

Авторы: Богорад, Воробьев, Денисов, Кельзон, Клочков, Крестешников, Циманский

МПК: B23B 29/034

Метки: бесцентрово-токарной

...разрез; на фиг. 2 - узел 1 на фиг. 1; на,фиг.З - разрез А-А на фиг. 2.Устройство выполнено в виде раз мещенного в корнусе 1 полого шпинделя 2, опирающегося аеуедним концом через подшипник 3 на невращающуюся упругую опору 4, Хвостовая часть шпинделя 2 опирается на упругую опо ру 5, которая установлена на ведомом шкиве 6 привода шпинделя 2 и выполнена синхронно-вращающейся с ним для передачи крутящего момента на шпиндель 2. Шкив 6 смонтирован на под шипниках 7, опирающихся на втулку 8, жестко связанную через фланец 9 с корпусом 1. На переднем торце шпин,деля 2 смонтированы, с воэможностьюрадиального перемещения резцы 10,взаимодействующие с внутренней конической поверхностью регулируемойвтулки 11, установленной на шпинделес...

Номер патента: 997364

Опубликовано: 07.07.1985

Авторы: Козырский, Степанов, Шлыкова

МПК: B25J 15/00

Метки: захватное

...два зубчатых сектора 3 и 4, 5 и 6,40выполненные заодно с зажимными рычагами - захватными губками. Из двухсекторов на каждом валу один секторпосажен жестко, другой - с воэможностью вращения на нем. Каждый жестко посаженный сектор одного валанаходится в зацеплении с сектором,установленным с возможностью вращения на другом валу. К валам 1 и 2жестко прикреплены рычаги 7 и 8 привода. Концы рычагов 7 и 8 шарнирносоединены с цилиндром 9 и штоком 10силового цилиндра.Для предотвращения выпадения заготовки из захвата при случайном 55отключении давления масла в гидросистеме поршень цилиндра может бытьснабжен замком для фиксации поршня в любом его положении в цилиндре относительно стенок последнего, конструкции таких замков известны. Для фиксации...