H01L 21/66 — испытания или измерения в процессе изготовления или обработки

Автомат для контроля и сортировки по электрическим параметрам селеновых элементов

Загрузка...

Номер патента: 94542

Опубликовано: 01.01.1952

Автор: Петров

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: сортировки, электрическим, элементов, параметрам, селеновых, автомат

...входит в пространство между ними.Вслед за этим при неподвижном мостике 8 под действием эксцентрика 7 приходит в движение мостик 9 в направлении, параллельном оси каналов (справа налево), что влечет за собой перемещение гребенок 12 и 13 вдоль каналов. При этом сцепленная с селеновыми элементами гребенка 12 в канале А перемещает эти элементы на следующую позицию. В варианте по фиг. 2 соответствующее перемещение мостика 1 б осуществляется в результате движения ролика 18 вдоль длинной (левой) ветви направляющей канавки 19.При этом контактные щупы, монтированные на колодке 11, из нейтрального положения, показанного на фиг. 3, переходят в положение, показанное на фиг. 4. В этом положении селеновые элементы, находящиеся в канале Б, включены в...

Автомат для контроля и сортировки по электрическим параметрам селеновых элементов

Загрузка...

Номер патента: 96738

Опубликовано: 01.01.1954

Автор: Петров

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: селеновых, параметрам, сортировки, элементов, автомат, электрическим

...5, б, 7, 8 и 9.Как видно из принципиальной схемы, представленной на фиг. 3, от стабилизованного источника 10 получают питание измерительные блоки П, 12, 18 - соответственно класса А, класса Б и брака по обра гному току, а также блоки 14, 15 и 16 - соответственно второй группы, третьей группы и брака по прямому току.Измерение по классам осуществляется путем взаимодействия с селеновым элементом щупа 17 классов, а измерение по группам - путем взаимодействия с ним щупа 18 групп.В зависимости от параметров испытуемого селеиовсгс элемента срабатывают соответствующие слоки 11, 2 или Я и 14, 15 или 16, которые через промежуточные реле 19, 20, 21 и 22, 28, 24 соединены с соответству,гощими испо,иштсльны ми электромагнитами 25, 26, 27,...

Автомат для контроля и сортировки твердых выпрямительных элементов по электрическим параметрам

Загрузка...

Номер патента: 101191

Опубликовано: 01.01.1955

Автор: Петров

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: автомат, электрическим, твердых, выпрямительных, сортировки, элементов, параметрам

...1 цупы 11 одключают измеряемые элементы, находящиеся в обоих рядах транспортерного диска 25, и электроизмерительной схеме.Таким образом, в то время, когда в канале Л производится перемещение измеряемых элементов, в канале Б производится измерение, и наоборот. Так как щупы включены параллельно, то измерительная схема автомата оказывается загружен 11 ой непрерывно.Для пояснения процесса измерения элементов ниже рассматривается порядок измерения их в канале Б 1 так как ооа канала совершенно одинаковы, то измерение в канале А ничем не отличается от измерения В канале Б),Шиберная рейка 17, выбирая из загрузочной трубки 18 очередной элемент, подает его в гнездо внешнего ряда гнезд транспортерпого поворотного диска 2 б, При перемещении...

Автомат для сортировки полупроводниковых выпрямительных элементов по электрическим параметрам

Загрузка...

Номер патента: 108792

Опубликовано: 01.01.1957

Авторы: Харитонов, Дохман, Мачурин

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: полупроводниковых, выпрямительных, электрическим, автомат, элементов, параметрам, сортировки

...для срабатывания реле РПа 1 в т на входе каскада 1, достаточный для срабатывания реле РПг, то для того, чтобы реле РП; срабатывало гри падении напряжения на элементе, равном У а реле РП срабатывало при падении напряжения У, то величины напряжения Ьо и сопротивления Й определяются из соотношений:1 ю - 10 11 - У,В результате оказывается возможным использовать измерительную схему дважды, сначала для измерения тока, а затем напряжения, причем указанные величины могут быть и не прямо пропорциональны. Если линейное сопротивление Р заменить нелинейным, то можно получить более сложные зависимости (например, с целью увеличения количества сортов),Дальнейшее измерение входного тока аналогично измерению обратного тока с той разницей, что реле РПРП...

Способ определения типа проводимости в германии

Загрузка...

Номер патента: 120673

Опубликовано: 01.01.1959

Автор: Концевой

МПК: H01L 21/66

Метки: германии, проводимости, типа

...прм, сух ия типа пей силы,измерениячем охлам льдом,Изобретение относится к способам определения типа проводимости монокристаллического германия по знаку термоэлектродвижущей силы при помощи термозонда.Известные подобные способы, основанные на использтого термозонда, не обеспечивают необходимой точностпри исследовании образцов, проводимость которых близной проводимости германия.Для устранения этого недостатка предлагается вместо нагретого зонда использовать охлажденный термозонд. Охлаждение термозонда может быть осуществлено холодильным термоэлементом, сухим льдом, жидкими газами, например азотом, и другими известными способами. При охлаждении зонда в точке измерения концентрация носителей, обусловленных собственной проводимостью, резко...

Измерительный прибор

Загрузка...

Номер патента: 140915

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Захаров, Наследов, Соловьев, Бакаев, Геллер, Дорин

МПК: H01L 21/66

Метки: прибор, измерительный

...стальным зондом врезающимся своим острием в слой селена, Острие клиновидного или конусообразного зонда 2 имеет угол заточки около 20, Клиновидная форма зонда может применяться в случае измерения потенциала нз сравнительно плохо проводящих полупроводниках, с целью повышения чувствительности измерения, Зонд закреплен во фторопластовой опраз.140915ке, обеспечивающей надежную электрическую изоляцию его от остальной части металлического прибора.Образец устанавливается в держателе 3, который не только фиксирует положение селенового выпрямительного элемента, но и является одновременно токоподводящим устройством. Губки держателя представляют собой плоские медные пластинки, электрически изолированные от остальной части держателя,...

Потенциальный зонд для измерения типа проводимости полупроводниковых материалов

Загрузка...

Номер патента: 150176

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Левинзон

МПК: H01L 21/66

Метки: типа, потенциальный, проводимости, зонд, полупроводниковых

...боковые отверстия в стенках заполняется жидким газом.Включается зонд по обычной схеме потенциального зонда, Через ко такт зонда со слитком 5 пропускается переменный ток от источника регулируемого напряжения,Падение напряжения на контакте и на сопротивлении Р 1, включенм последовательно слитку, подается соответственно на горизонтальный и вертикальный усилители электронного осциллографа 6, на экране которого наблюдается вольтамперная характеристика.Для проведения измерения зонд опускают в сосуд Дюара, где онохлаждается в течение 20 - 30 сек. Затем зонд приводится в контакт сослитком. Хорошая теплопроводность контакта создает в слитке локальную область примесной проводимости, т. е. собственные носители заряда в этой области практически...

Устройство для проведения гальванои термомагнитных исследований образцов полупроводниковых материалов

Загрузка...

Номер патента: 150937

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Кокошкин

МПК: H01L 21/66, G01M 19/00

Метки: термомагнитных, образцов, полупроводниковых, проведения, исследований, гальванои

...соединен с150937вакуумной системой, не изображенной на чертеже, дающей возможность с помощью форвакуумного насоса (не показан на чертеже) ссздавать в рабочем объеме давление до 1,5 10 - -мл рт,ст, или наполнять криостат инертным газом. Трубка 2, в которой помещен концентратор 1, опущена в стандартный сосуд Дюара 1 б и на нее надет нагреватель 16. Для выравнивания температурного поля на шайбы б надевают медный экран 17, оклеенный изнутри стеклотканью. Изменение температуры от комнатной до 90 К и ее поддержание на заданном уровне осуществляют путем изменения положения сосуда Дюара 15, уровня жидкого азота в нем, а также степени разрежения в рабочем объеме, При нагревании криостата сосуд 15 служит дополнительным тепловым экраном,...

Способ измерения глубины залегания р-п перехода в пластинах германия

Загрузка...

Номер патента: 151397

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Савченко

МПК: H01L 21/66

Метки: р-п, перехода, залегания, германия, пластинах, глубины

...держателя 5.Пластина б или кристаллик германия после диффузии в него примесей для образования р - п перехода соединяется с графитовым держателем 5, Держатель помещается в ванне 1, в которую заливается дистиллированная вода первой перегонки. К поверхности пластины подводится острая игла 7 из никеля или вольфрама под напряжением 5 - 8 в. При этом в наушниках 5 будет слышен щелчок, а миллиамперметр 2 покажет прирост тока. Затем игла отводится.Напряжение повышается до 50 - 60 в и игла вручную (поворотом рукоятки) подается вниз до контакта с дном лунки, находящимся в р - и слое германия и выдерживается 25 - 30 сек, п слой электролитически вытравливается и образуется коническая лунка, обнажающая переход. Лунка имеет переходную поверхность...

Устройство для бесконтактных измерений удельного сопротивления малогабаритных кристаллов низкоомных полупроводниковых материалов

Загрузка...

Номер патента: 151400

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Соболев, Калинин

МПК: H01L 21/66

Метки: малогабаритных, кристаллов, удельного, бесконтактных, полупроводниковых, низкоомных, сопротивления, измерений

...изобретенияУстройство для бесконтактных измерений удельного сопротивления малогабаритных кристаллов низкоомных полупроводниковых материалов, работающее на принципе наведения з образце вихревых токов, содержащее генератор высокочастотных колебаний и индуктор, который размещается вблизи плоской части измеряемого образца, о т л и ч а ющеес я тем, что, с целью снижения влияния размеров образца на результаты измерений удельного сопротивления, между индуктором и образцом помещена проводящая диафрагма, локализующая поле в облас ти пространства, прилегающего к отверстию диафрагмы.Редактор Н. С, КутаФина Техред Т. П. Курилко Корректор Г. Куцривцева Глода. к пеи. 1 О.Х.62 т. Формат бум 70 Х 108,и Объем 0,18 изд. л. Заи. 10496 Тираж 1150 Цена...

152032

Загрузка...

Номер патента: 152032

Опубликовано: 01.01.1962

МПК: H01L 21/66

Метки: 152032

...делениями шкалы прибора для контроля напряжения.Для повышения точности измерений и записи велнапряжения использован стабилизированный источниктический потенциометр с электронным нуль-индикатором. ичины падениятока и автома152032 Перемещение зондов относительно образца производится ступенчато при помощи пружины и делительного механизма, а подвод и отвод зондовой головки осуществлен с помощью пружинно-электромагнитного привода.Контролируемый образец 1 укрепляется на каретке 2. Указатель 8 линейной шкалы потенциометра. соединен с шинным переключателем 4, длины шин которого выбраны в соответствии с геометрическим рядом нормативных делений, Переключатель посредством электромагнитных реле 5 управляет перфораторами б, которые делают отметки на...

154086

Загрузка...

Номер патента: 154086

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: 154086

...длительности фронта нли отношения токов. рп достаточно больших сопротивлениях цепей для прямого и обратного токов можно пренебречь сопротивлением базы диода. Тогда переходньш процесс будет определяться временем жизни неосновных носителей,длительностью фронта перекгояОщего импульса, сопроИвлениями цепей для прямого и обратного токов и подаваемыми няпряке. Сопротивления и подаваемые напряжения опреде Я 154086ляОт огношенис т) с):1, (,ледовательно, время жиз 111 1 основных носитгй) можт быпгь определено в момент, когда полочка сходится в точ с, ЛПОО ПО ОТНОШЕНГ)О ТОКОВ ПрИ ИЗВЕСТНой дсИТЕЛ) НОСТИ фрОНта ПЕр- е,110 чяю 1 цсго нз 1 ульса, лР)00 ПО длит,ьности фронта при изВстпом 01- )ОН)сП )ОКОН 1 НЕРВОМ СГ)ссЯЕ ДЛИТЕЛЬНОСТЬ фРОНТЯ...

154961

Загрузка...

Номер патента: 154961

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: H01L 21/66

Метки: 154961

...коллектор 11 для приема отраженных и промодулированных электронов.Сканирующий пучок электронов формируется электронной пушкой 2 при напряжении 15 - 20 кв. Две магнитчые линзы 4 и 5 сужают полученный пучок, и на полупроводник 9 попадает уже сфокусированньпл электронный луч 8 диаметром 2 - З.ик. Магнитная отклоняющая си154961стема,состоящая из катушекби 7,заставляетлуч 8 сканировать по ооъакту 9 так, чтобы пересекался р-и переход (по направлению стрелки 12). Если на р-и переход наложено запирающее напряжение, то происходит взаимодействие поля, выходящего в вакуум, со сканирующим лучом 8. Вторичные электроны, рожденные лучом 8, отклоняются в соответствии с локальным значением возмущающего поля.Сигнал можно подать на соответствующий...

155198

Загрузка...

Номер патента: 155198

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: 155198

...Определение времени т жизни неравновесных носителей совмещают с определением (т, 1 ля измерения т на тонких пластинах применя 1 отся те ке четыре зонда 1, 2, 3 и 4 с проводящим нижним основанием 5, которые используются для измерения и, а для измерения т на слитке неправильной формы инъектирующие зонды 6 и 7 размещаются между токовыми зондами 8, 9, 10 и 11 в плоскости, им перпендикхлярной.В положении 12 ключа 13 схема имеет вид обычной схемы четырехзондового сГГосооа измерения о, в положении 14 ключа 13 между зондами 2, 8 и Проводящим нижним основанием 5 приложено инъектирующее поле, промодулированное синусоидальным напряжением частоты с, Измеряется сдвиг фазы между модулиру 1 ощим напряжением и изменением проводимости, которой...

155565

Загрузка...

Номер патента: 155565

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: H01L 21/66

Метки: 155565

...ГССс последовательно включенным сопротивлением. Генератором 3 напряжения служит однополупернодный выпрямитель, питаемый от ЗГ.Напряжение, возникшее на диоде 1, подается на каскад с малой входной емкостью, которым является катодный повторитель 4 с двойным экраном, выполненный на лампе 6 %1 П. Выход катодного повторителя 4 соединен через усилитель 5 с квадратичным элементом б, на выходе которого возникает напряжение, обратно пропорциональное квадМ 555 б 5 ряту смкостп р-и переходя. Зятсм это паГр 51 уке 1 пе, после рязв 51 зывяО- щего элемента - лампы 7, силивается лампой 8, детектируется детектором 9 и поступает при помощи Гереключающего реле 10 на вход усилителя вертикаль 51 ой развертки осциллографа 11. На вход...

157015

Загрузка...

Номер патента: 157015

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: H01L 21/66

Метки: 157015

...па Основе по- лиВипРОВОГО спирта с дооаВкой двуххромОВОГО аъмлппя В качестве ОчуВствляюшеГО вещсстВа, Такая пле 1 ка Рмсет хорсшу 10 адГези 10 с Г 10- лупроводпиковой труокой. ПОкрыта 1 свсточувствР 1 те;ьпо плен(01 тр, О- ка скреп;яется с на 1 з Ркпых 1,3 и вп треп:11 4 фотошаолопаи. 11 а фотошаблопы нанесен н рельеф - чередую:циеся непрозрачные (за ерпеппые) и прозрачные полосы заданной ширины, расположеи Гараллельпо оси трубки,Экспон светочувствительной пленки производится через фотошаблон при одинаковой освещенности снаружи и изнутри трубки, На освещенных участках светочувствительпоп плспкн производится процесс сВстОВОГО д Олсния, ОоусловлР 1 ВВ 101 ций нерастворимость этих частков пл нки в ооы Иых для нсе растворителях (воде)....

163291

Загрузка...

Номер патента: 163291

Опубликовано: 01.01.1964

МПК: H01L 21/66

Метки: 163291

...следуют друг за другом. Эти импульсы подаются на вход реле постоянного тока 7. Реле срабатывает с помощью источника питания 8 и фотосопротивления 9 с частотой модуляции света. Фотосопротивление крепится относительно заготовки так, что если она освещается первым световым потоком, то и фотосопротивление освещается этим же световым потоком. Поэтому фотоэлектрический импульс от первого светового потока проходит через первую пару контактов реле, а импульсы от второго свеФормат бум. 6 Тираж 1050 нтета по Делам ква, Центр, пр.Г 1 одп. к печ. 23/И 1 - 64 г.Заказ 1667/12ЦНИИПИ Государственного кМо Х 90/а Объем 0,21 изд.Цена 5 коизобретений и открытий СССР ерова, д. 4. биография, пр. Сапунова, 2 тового потока - через другую пару контактов. Таким...

Устройство для измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов

Загрузка...

Номер патента: 164068

Опубликовано: 01.01.1964

Авторы: Соболев, Калинин

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: полупроводниковых, удельного, сопротивления

...пара которых через детектор включена в электронную схему сравнения. Это дает возможность повысить точность и расширить диапазон измерения.На чертеже представлена схема, иллюстрирующая предложенное устройство.Сердечник 1 выполнен из феррита и, как видно из чертежа, имеет форму двух неполных колец, сложенных в виде Х. Общая обмотка 2 датчика 8 питается от отдельного высокочастотного генератора 4, напряжение которого модулируется модулятором 5 низкой частоты. Э. д. с., наведенная в измерительных 6 и компенсационных 7 обмотках, подается через детекторы 8 на электронную схему сравнения 9. Индикатор 10, подключенный через усилитель 11 к схеме сравнения, будет фикси ровать ноль. При внесении в один из зазоровдатчика 3 измеряемого образца 12...

Измеритель физических свойств материалов на сеч

Загрузка...

Номер патента: 166763

Опубликовано: 01.01.1964

Авторы: Аболтиньш, Григулис

МПК: H01L 21/66

Метки: свойств, сеч, измеритель, физических

...Изме на СВ водную часоии кально секции которы подписная групсса142 Для контроля физических свойств полупроводников и диэлектриков чрезвычайно важно измерение этих свойств на небольшой поверхности тела бссконтактным методом при одностороннем доступе к изделгпо. Для измере ния используют резонаторы со щелями, через которые вводят исследуемьш образец, два волновода и мостовые схемы. Форма тела и его размеры должны быть строго определенны. 10Предложенное устройство отличается от известных тем, что в нем применен щелевой излучатель с плавным переходом, обеспечивающцм согласование волновода со щелью. Использование щелевого излучателя позво ропзводпть обмер изделия на малои ности прп одностороннем доступе к струкцпя щелевого излучателя...

Способ стробоскопического наблюдения

Загрузка...

Номер патента: 172406

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Евдокимов, Люков, Спивак

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: наблюдения, стробоскопического

...электронной эмиссии бомбардировкой поверхности полупроводников положительными иона ми,Предлагается для получения четкой (пеусредпеппой по времени) картины изображения р - п-перехода в любой момент времени использовать стробоскопический эффект, получа емый путем импульсной ионной бомбардировки образца. Импульсная бомбардировка осуществляется с помощью ионного источника, Подаваемые на этот источник импульсы названы стробирующими. Скважность стробирую щих импульсов, интенсивность излучения источника определяют яркость изображения. Изобракесие получается вследствие электронной эмиссии с образца. Частоту следования импульсов хгогкно плавно задерживать и тем 20 изображение носительноо импульса, ппрающем на об позволяе ессы в полуп самым...

Способ измерения дрейфа обратного тока р—п-переходов

Загрузка...

Номер патента: 174277

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Финкельштейн, Карп, Аввакумова

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: дрейфа, обратного, р—п-переходов

...выжидать установление стационарного значения параметра (10 - 60 мин), либо измерять его для всех приборов с некоторой задержкой после включения (20 сек - 4 мин), определяемого техническим указанием, что замедляет массовую проверку р - п-переходов. В настоящее время дрейф обратного токаизмеряют в импульсном режиме.Предложен способ ускоренного сического, не связанного с температуройния дрейфа обратного тока гермр - и-переходов с помощью импульсов, подаваемых на переход непосредственно перед измерением обратного тока.От известного он отличается подачей комаций отрицательного и положительногоульсов на р - п-переход. 3) Установить полный размах дрейфа, проводя измерения в динамическом режиме.При ускоренном измерении обратного тока перехода...

Индикатор для определения глубины дрейфа лития в кремниевых — г — п-детекторах ядерных излучений

Загрузка...

Номер патента: 184980

Опубликовано: 01.01.1966

МПК: H01L 21/66

Метки: ядерных, индикатор, п-детекторах, лития, излучений, кремниевых, глубины, дрейфа

...т, е. определение глубины дрейфа лития сводится к определению глубины залегания р п-перехода.Известен способ определения глубины залегания р - г-перехода в кремний с помощью электрофотографических проявителей, например, по электрохимическому отложению меди.Предлагаемый способ определения глубины дрейфа лития в кремний отличается от известного тем, что р - и-переход проявляют сухими электр офотографичсскими проявителями (ПСи БСТ) .Хорошие границы перехода получаются как на травленой поверхности, так на шлифованной и механически полированной.Большое влияние на четкость картины оказывает прикладываемое к детектору напряженйе, с его ростом четкость увеличиваетсй,При напряжении ниже 40 в частицы электрофотографических порошков садятся...

Способ определения термоэлектрической эффективности полупроводников

Загрузка...

Номер патента: 186538

Опубликовано: 01.01.1966

Автор: Лискер

МПК: H01L 21/66

Метки: термоэлектрической, эффективности, полупроводников

...Способ определения т эффективности полупрово иийся тем, что, с целью уп измерения, измеряют тепл разца, подвергнутого возд 20 потока при нулевом токе и мыкании образца, причем электрической эффективно ности полученных значени ти, отнесенной к величине 25 измеренной при нулевом тоИзвестные способы определения термоэлектрической эффективности полупроводников раздельным измерением параметров а, Х и о либо по методу Хармана сопряжены с большой затратой времени и требуют строгого соблюдения условий эксперимента.Предлагаемый способ отличается от известных тем, что последовательно измеряют теплопроводность образца, подвергнутого воздействию теплового потока, при нулевом токе и при коротком замыкании образца, причем о величине...

187859

Загрузка...

Номер патента: 187859

Опубликовано: 01.01.1966

МПК: H01L 21/66

Метки: 187859

...8 при включении магнитного поля,Исследование термомагнитных эффектов, наряду с исследованием гальваномагнитных эффектов, электропроводности, коэффициента т-э.д.с., позволяет определить фундаментальные параметры полупроводника: знак и концентрацию носителей, подвижность и прочие.Измерения термомагнитных эффектов приобрели особый интерес в связи с созданием преобразователей тепловой энергии в электрическую, использующих поперечный эффект Нернста-Эттингсгаузена. В известных устройствах для измерения поперечного эффекта Нернста-Эттингсгаузена в величину э.д,с. включается неизотермическая составляющая, искажающая результаты расчетов параметров 15 полупроводника. Предложенное устроиство отличается тем, что термопары-зонды подведены к...

Ударно-вибрационный стенд

Загрузка...

Номер патента: 179387

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Калашников, Перельман, Кузнецов

МПК: H01L 21/66

Метки: стенд, ударно-вибрационный

...ударно-вибрационцый стендпозволяет повысить производительность труда при механических испытаниях приборов и качество этих испытаний, что в конечном итоге повышает надежность выпускаемых прибоЗо ров. Испы ганне элементов радиоэлектроннойаппаратуры для обнаружения коротких замыканий и обрывов производится, как правило,ца раздельном оборудовании. Короткие замыкания проверяются на вибростенде, а обрывы - на ударных стендах.Известные ударно-вибрационные стендыдля создания одновременных ударно-вибрационных воздействий работают на принципеполучения ударного импульса на консоли, которая после прекращения действия ударапродолжает колебаться с затухающей амплитудой.Фактически ударно-вибрационный стенд работает раздельно на удар и...

Способ измерения термоэлектрических параметров полупроводниковых материалов

Загрузка...

Номер патента: 196143

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Басин, Сабо

МПК: H01L 21/66

Метки: параметров, термоэлектрических, полупроводниковых

...из омического падения напряжения и термо-э.д,с. за счет эффекта Пельтье. Известен способ измерения этих напряжений, основанный на инерционности тепловых процессов. Однако такой способ измерения не предусматривает непрерывной записи температурной зависимости термоэлектрических параметров.По предложенному способу через образец пропускают периодически прерывающийся ток одного направления, составляющие зондового напряжения разделяются с помощью фильтрующих цепей, после чего из усиленной постоянной составляющей, являющейся суммой двух напряжений, вычитается усиленная переменная составляющая, представляющая собой омическое падение напряжения. Благодаря этому обеспечивается возможность проведения одновременных измерени го падения напряжения и...

Устройство для измерения эффективного

Загрузка...

Номер патента: 203789

Опубликовано: 01.01.1967

Автор: Кричевский

МПК: H01L 21/66

Метки: эффективного

...в переменной частоты. Устровременив полупгенераточительноисточникцелью подержитидальногнератора екгивного ей заряда держащее ния, усиастоты и ем, что, с я, оно со.синусовиде гевисимое от авт, свидетельстваИзвестны устройства для измерения эффективного времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниковых диодах, которье содержат генератор синусоидального напряжения и осциллограф.Предложенное устройство отличается тем, что содержит блок деления, а генератор синусоидального напряжения представляет собой генератор переменной частоты, что позволяет повысить точность и производительность измерения.На чертеже изображена принципиальная схема предложенного устройства.Оно состоит из задающего генератора 1, усилителя 2 мощности,...

Контактное устройство

Загрузка...

Номер патента: 213196

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Гончаров, Сыроватченко

МПК: H01L 21/66

Метки: контактное

...лепестками расположен ползун 4, в котором 5 имеется гнездо для базировки транзистора.Ползун может перемещаться в горизонтальнои плоскости в направляющей 5, что позволит удобно произвести зарядку транзистора в контактное устройство. Направляющая мо жет перемещаться вериално под действиемпружины 6, один конец которои взаимодействует с направляющей 5, а другой - со стержнем кнопки 7 п вращается вокруг своей оси, что позволяет ориентировать выводы 15 транзистора относительно контактных лепестков.Для установки транзистора в контактноеустройство необходимо нажать кнопку 7 и повернуть ее на 90, выдвинуть ползун 4 так, 20 чтобы гнездо в ползуне было наруже. Затемпинцетом вставить в гнездо измеряемый транзистор и контактное устройство...

Устройство для измерения свойств полупроводниковых слоев

Загрузка...

Номер патента: 239449

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Григулис, Берзин, Аболтинь

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, свойств, слоев

...тарировочного графика, построенного по эгалонным образцам5 или по аналитическим зависимостям, определяются удельное сопротивление и толщина полупроводннкового слоя.11 а фиг, 1 показана блок-схема устройства;на фпг. 2 - кинематичсская схема измерительО кого блока,От генератора сигналов 1 СВЧволна черезаттсн 1 оатор 2 и щелсвой излучатель т падает1 а образец 4. Параметры стоячей волны в волноводном тракте фиксируются прн помощи5 зонда 5. детектора 6, индикатора-микроампсрмстра 7 н передаточного механизма 8, связанного с,подвижной шкалой 9.Фаза коэффициента от 1 раження в градусахфиксируется подвижной шкалой 9, модуль коО эффнцнента отражения - индикатором и откладывается на подвижной шкале. Под поДаижНОй Н 1 наЛОй ПОМЕшаЮтСЯ...

Устройство для измерения распределения легирующей примеси по толщине полупроводника

Загрузка...

Номер патента: 240853

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Волхов, Лукь, Пантуев

МПК: H01L 21/66

Метки: легирующей, полупроводника, толщине, примеси, распределения

...Лг.От генератора 1 смещения к контактам исследуемого образца через резистор приложены импульсы линейно нарастающего напряжения смещения, повторяющиеся с частотой 1 кггг. Кроме того, к образцу подводится переменное напряжение от генератора 2 высокой (радио) частоты Ь,з 1 по 1 через конденсатор, величина которого выбрана существенно меньшей любого возможного значения емкости исследуемого образца. Вследствие этого амплитуда с 1 напряжения высокой частоты на образце обратно пропорциональна его емкости: Контур резонансного фильтра 5, подключенный к образцу через небольшую емкость, служит фильтром для отделения сигнала высокой частоты от импульсов генератора смещения. Осциллограмма напряжения (У 61 пьг) на контуре представляет собой...