G01L 9/06 — пьезорезистивных устройств

Номер патента: 75909

Опубликовано: 01.01.1949

Автор: Пустоветов

МПК: G01L 9/06

Метки: давлений

...капсулу, заполпенную жидкостью с малым температурным коэфициентом расширения,481 31 с,п. вуса г, 1 с 1 е Использование изменения величины электрического сопротивлениясплавов, в частности манганина,для измерения давлений являетсяобщеизве "тным приемом.Отличительная особенность предлагаемого устройства состоит в том,что в нем осуществляется равномерное распределение давления навсю поверхность датчика.Для этого датчик помещают вгерметически закрытую капсулу, заполненную жидкостью с малым температурным коэфициентом расширения.Один из вариантов кон "труктивной схемы предлагаемого устройства изображен на чертеже,Заполненная жидкостью капсула,в которую помещен датчик 1, представляет собой цилиндрическуювтулку 2, на которую повернуты...

Номер патента: 129854

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Чепайкин

МПК: G01L 9/06

Метки: водовода, давлений, давления, замера, замеряемых, ими, местах, применением, пьезометров, различных, среднего

...устройства, выполненный в виде плоского золотника, обладает способностью одновременно отсекать все пьезомстры отобъекта исследования и сообщать цьсзометры замсряемого и осрсднецного давления, кроме пьезометров сравнительного давления, междусобой. Промежуточное положение переключателя может быть использовано для спокойного снятия эп(ор прц колебаниях давлений во времени. Из трех изображенных на чертеж( положений переключателявидно, что уровень в отсеченных от объекта и сообщенных пьсзометра хзаймет среднее положение от уровне)1, оывших в них перед момснтомотсечения,Для того чтобы присоединенные к цьсзометрическим стеклам йодводящие резиновые трубки при переключениях не деформировались ине влияли на уровни, нижняя доска...

Номер патента: 153138

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: G01B 7/16, G01L 1/22, G01L 9/06

Метки: 153138

...взводит от 3 до 5 п/алюминия.Рабочий тензометр 1 наклеивают на элемент 2, например стальную балку, в которой измеряются напряжения и деформации, и вместе с компенсационным тензометром 3 подключают к тензометрпческой станции 4 через дооавочные переменные сопротивления 5 и 6. Такая схема дает возможность производить нормальную балансировку и обеспечить работу измерительной аппаратуры.Предлагаемый тензометр значительно расширяет область измерений, поскольку модуль упруго ти сплава 48-Т 2 и его высокие механические свойства обеспечивают упругую деформацию тензометра в то время, как объект измерения работает в области пластических деформаций, Высокая антикоррозионная стойкость фольги и ее немагнигкость позволяют использовать...

Номер патента: 192465

Опубликовано: 01.01.1967

МПК: G01L 1/18, G01L 9/06, G01N 25/00 ...

Метки: 192465

...полупроводникового материала (например, германия). Известные полупроводниковые да давлений используют эффект пьезосопр ления или свойства р - тт-переходов. Чув тельность датчиков из монополярных проводников, использующих пьезосопрот ние, относительно невелика и снижается ласти высоких температур, датчики с тун ными переходами также неприменимы пр соких температурах, а чувствительные д ки с прокалываемыми переходами ненад и работают только на сжатие. тчики отив- стви- полу- ивлев об- нельи вы- азчиежны 1 пьныи элемент предлагаех влен в виде пластины из ь нной проводимостью, при ких граней параллельны равлению деформации и тв плоскости 110 и повер ению к оси 111 в сторону ет повысить чувствительно ого дат атериачем пло оси 110, ока,...

Номер патента: 210436

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Новиков, Смирнова

МПК: G01L 9/06

Метки: давления, датчик

...в виде Дат мембр 15 что, стензом пленки концен ус и тем, ости, овой двух чик давлени ану с тензом целью пов етры выполии нанесены трических ко я, соде етрами, ышения ены из на мем лец. Известные датчики давления содержат кор. пус и мембрану с тензометрами.Предлагаемый датчик давления отличается от известных тем, что в нем тензометры выполнены из полупроводниковой пленки и нанесены на мембрану в виде двух концентрических колец. Такое выполнение датчика позволяет повысить его чувствительность.На чертеже схематически изображена конструкция описываемого датчика давления.На круглую мембрану 1, жестко закрепленную по контуру, предварительно наносится плазменным методом тонкий слой изоляции 2 из окиси алюминия, который затем шлифуется, На слой...

Номер патента: 322673

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Захаренков, Институт, Очеретович, Печук, Помпеев, Ротлашко, Таратухина

МПК: G01L 9/06

Метки: тензометрический

...устранения прови- сания тензорезисторов, тензорезисторы сжатия выполнены в виде тг параллельных вегвей, в которых тензоэлементы одного плеча разме щепы между тензоэлементами другого плеча, причем сопротивление каждой ветви тензорезисторов сжатия в тг раз больше сопротивления тензорезистора растяжения.На чертеже представлена принципиальная 20 схема устройства с двумя параллельными вет.вями тензорезисторов сжатия.Устройство состоит из упругого элемента 1,опор 2, стоек 3 и 4, тензорезисторов растяжения Р, и тензорезисторов сжатия гх,ж.Устройство работает следующим образом.При прилоокении к устройству измеряемого усилия Р упругий элемент 1 прогибается, стойки 3 расходятся, а стойки 4 сходятся, вызревая соответствующую деформацию...

Номер патента: 322674

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Иваницкий, Институт, Печук, Помпеев, Савченко

МПК: G01L 9/06

Метки: давления, датчик

...сопротивления в тензоэлементах 7. При перегрузках нарушение работоспособности датчика предотвращается выборкой зазора 15 между ребристым стержнем и центром упругого элемента. Предмет обрете Датчик давления, ругий элемент и тен ся тем, что, с целью нем упругий элемент продольными ребрам нюю полость корпус рых размещены тенз Изобретение относится к измери приборам и может быть использова контроля технологических параметроких средах.Известный датчик давления, содержащий корпус, упругий элемент и тензоэлементы постоянного суммарного натяжения, обладает недостаточной точностью измерений, обусловленной воздействием переменных температурных полей и перегрузками.Цель изобретения - повышение точности, Для этого в предлагаемом датчике упругий...

Номер патента: 346615

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Бухарев, Дмитриев, Иванов, Лисицын, Минсев, Новицкий, Тюн

МПК: G01L 9/06

Метки: давления, датчик

...знак элсктрпчсскОГО тока В цепи датчика, а цс вслцчццу его, что легко осуществляется с ПОМОЩЬО ДИОДОВ.Пр.1 мс.1 сц 11 с прсдлотксццого датчика позволяет существенно упростить схемы регистриру 1 ощцх устройств, повысить цх быстродействие и улучшить точность регистрации заданного Оовя давлений. Это необходимо для полу сцця О 1 рсдслсцной своевременной реакции дат Гика, сслц давление достигло заданно- ГО мровця илц превысило ОГО.11 а фнГ. 1 п 01:аза 1 а конструктиВописываемого датчика; ца фцг. 2Гра.;1 х 1 ь ца 11 р 11 ксц 11 я с Опытного Об11 к а.Датчик состскт цз чувствительного элемента 1, электродов 2 ц токопроводов 3. Заданный уровсць давления фиксируют следующим сбразом, Если давление, воздсйствующсе на датчик, це превосходит...

Номер патента: 398847

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Валацка, Мачюлайтис, Мишкинис

МПК: G01L 9/06

Метки: переключатель, полупроводниковый, тензочувствительный

...пр. слой Я типа. Образуется седловина профиля напряженности электрического поля. Генерация носителей происходит в двух областях, где электрическое поле максимально, а между ними образуется шнур тока высокой плотности. Напряжение на структуре падает скачком.При дальнейшем увеличении напряжения смещения увеличивае 1 ся диаметр шнура и плотность тока в нем (участок малого по модулю значения ОДС), Таким образом, ток шнура является током лавинного умножения аналогично случаю структуры р+ - Я - л, Рабочая точка задается на участке ВАХ прибора, соответствующем его включенному состоянию. Давление прикладывается перпендикулярно к плоскостям переходов. Так как ток шнура является лавинного происхождения, то его значение зависит от величины...

Номер патента: 403979

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Гришин, Молод, Смирнов

МПК: G01L 13/00, G01L 9/06

Метки: давлений, разности, тензорезистивный

Номер патента: 410270

Опубликовано: 05.01.1974

МПК: G01L 9/06

Метки: 410270

...близкое к МоЬ е диолучению ого сульбразц гично порош Датчик давления, соде ный элемент из полупро ла на основе сульфпто тем, что, с целью пониж тельности и повышения чувствительности, чувств готовлен из дисульфида ржащии чувствительводникового материав, отличающийся ения порога чувствикоэффициента тензоительный элемент измолибдена (МоЬ). Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к полупроводниковым датчикам давления.Известно, что для измерения механических усилий применяются тензодатчики давления 5 из различных полупроводников, как бе, Я, РЬ 5, АдЬ и т. д. Количественной мерой оценки действия тензодатчиков является коэффициент тензочувствительности.В поликристаллических полупроводниках, 10 например в сульфиде свинца...

Номер патента: 415524

Опубликовано: 15.02.1974

МПК: G01L 9/06

Метки: 415524

...закреплена разделительная мембрана, причем выводы чувствительных элементов соединены согласно.На чертеже показана принципиальная схе ма описываемого преобразователя, состоящего из основания 1, на котором жестко закреплена консольная балка 2 с чувствительными элементами в виде пьезопластины 3 и в виде полого пьезокерамического цилиндра 4, на 2 торце которого закреплена разделительная мембрана 5,Преобразователь работает следующим образом.Пульсирующее давление воздействует на 3 зователи давления обесдавления только в диа 2разделительную мембрану 5 и возбуждает продольные колебания пьезокерамнческого цилиндра 4. С его выводов снимается э.д.с., пропорциональная давлению. Так как чувствительные пьезоэлементы закреплены на одной консольной...

Номер патента: 427254

Опубликовано: 05.05.1974

Авторы: Иваницкий, Печук, Савченко

МПК: G01L 9/06

Метки: давления, датчик

...на нее выступающей частью корпуса - буртиком. Прокладка уплотняется путем прижатия датчика накидной гайкой или флащез с болтами или за счет ввинчивания при наличии на корпусе присоединительной резьбы,Деформация корпуса влечет за собой деформацию первичного преобразователя мембраны,Целью изобретения является улучшение метрологических характеристик, а также увеличение точности гоказаний вне зависимости от методов крепления на технологическом объекте,-та цель достигается тем, что предлагаемый датчик снабжен размещенным с зазором в нижней части корпуса кольцом с пружиной, упирающейся в выступ, расположенньй а верхей части корпуса.Иа чертеже изображен описываемый датчик давления,а тензопроволок закрепляется на ружинах 4, жесткость...

Номер патента: 459699

Опубликовано: 05.02.1975

Авторы: Коженкова, Шаршапин

МПК: G01L 9/06

Метки: давлений, разности, тензорезистивный

...оси преобразователя.10 Преобразователь работает следующим образомРазность измеряемых давлений вызываетсовместный прогиб консольных пружин 2 и 3 и полимерной пленки 4. При этом с одной 15 стороны консольных пружин 2 и 3 тензорезисторы 5 подвергаются деформации сжатия, а с другой - деформации растяжения, что приводит к изменению их сопротивления, и с диагонали моста снимается электрический 20 сигнал, пропорциональный измеряемой разности давлений.При малых давлениях пружины 2 и 3 работают как консоли, и их чувствительность в местах наклейки тензорезисторов 5 макси малька. При увеличении нагрузки пружины 2и 3 прогибаются, и их свободные концы ложатся на опоры 6. При этом чувствительность в месте наклейки тензорезистора снижается.При...

Номер патента: 584210

Опубликовано: 15.12.1977

Авторы: Захаренков, Печук, Симович

МПК: G01L 9/06

Метки: давления, датчик

...пределов измерения и четыре30 пластинах одинаковой толщины,"о 35 где ч / Я 4.АК = l Е 1 Р - . - сонэк. Й,=1.2 мм; Й 2=1)5 мм; Йз= 2,0 мм. Тензорезисторы сжатия 9 закреплены между упругим подвесом (пружиной) 10 и жестким центром б мембраны 4, тензорезисторы растяжения 11 - между пружиной и ребристым стержнем 12, к которому крепится своим жестким ободом мембрана 4. Наружный диаметр набора сменных пластин не должен быть больше наружного диаметра жесткого обода 5. Для показанного на чертеже датчика давления толщина набора сменных пластин 7 совместно с толщиной мембраны 5 (Й) определяется по формуле:1 еус) (1) где Р - предельное измеряемое давление; Я - радиус эффективной площади; А= 3 (1 - р.1 с 4 - 1 - 4 с. - 1 и с 16 с14 -...

Номер патента: 655917

Опубликовано: 05.04.1979

Авторы: Бронштейн, Панфилов, Синицын, Шарапов, Шегида

МПК: G01L 9/06

Метки: давления, полупроводниковый, разности

...мембраны чашечногооснование которой соединено с сом, основание мембраны выполс краевым гофром, периферийнаякоторого жестко заделана в кора высота гофра связана опредеым соотношением с геометрическиэмерами мембраны.волнение основания с краевым м обеспечивает равенство сил, вующих на основание с внешней тренней сторон; развязывает ану ат температурных дсор са и создает периферийную ания, которая может быть ж655917 Формула изобретения 0 15 20 Составитель В.КозловРедактор О.Филиппова Техред З.Фанта Корректор м,Пожо каэ 1501/31ЦНИ113035,Тираж 108 дарственного изобретений и Ж, Раушска Подписмитета СССРткрытийнаб., д. 4/5 И Го дела сква Филиал ППП Патент, г,ужгород, ул.Проектная,заделана в корпусе путем раэвальцовки или резьбового...

Номер патента: 672525

Опубликовано: 05.07.1979

Авторы: Будыко, Волокобинский, Духнин, Кабзев, Коганер, Смирнов, Тифанюк

МПК: G01L 9/06

Метки: давления, датчик

...о 4 го У,т фиг. 1 Составитель В. КозловТехред О. Луговая Корректор Г. Назарова Тираж 1089 Подписное Редактор Б. Федотов Заказ 3880/43 ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул, Проектная, 4давление частью 2, Воспринимающая часть, отделяющая полость измеряемого давления 3 от вакуумированной полости 4, укреплена на опорном кольце 5. Невоспринимающая часть мембраны зафиксирована в деформированном положении при помощи опорного кольца 6, несколько отличного по высоте от кольца 5, и разгружена от воздействия окружающей среды, так как полость 7 сообщена с атмосферой через отверстия 8 в базе 9. Как на воспринимающей, так и на...

Номер патента: 694455

Опубликовано: 30.10.1979

Авторы: Матвеев, Михайлов

МПК: G01L 9/06

Метки: величин, неэлектрических

...3, контактных площадок 4 упругого чувствительного элемента, контактных площадок 4 корпуса, электрических выводов 5, электроразъема б. На упругом чувствительном элементе имеются выступы 7 и пазы 8, с ними сопрягаются пазы 7 и выступы 8, расположенныс на корпусе 3.Преобразователь работает следующим образом,При воздействии на упругий чувствительный элемент 1 влияющей величины он деформируется, что вызывает деформацию тензорезисторов схемы 2, информация с которой выводится через контактные площад) Формула изобретенияПреобразователь неэлектрических величин, содержащий корпус и размещенный в нем упругий чувствительный элемент, на обращенной внутрь корпуса стороне которо- .10 го сформирована тснзосхема с электрическими выводами, отличающийся...

Номер патента: 712703

Опубликовано: 30.01.1980

Авторы: Вилисов, Вяткин, Криворотов, Ситников

МПК: G01L 9/06

Метки: давления, датчик

...другого элемента, соединенных между собой через тензоэлектричсскпй преобразователь, причем длины712703 50 кость элет. е. различная оментов.Для исключенияпературы на дефоского преобразоваставного элементавия (1),В случае измконцентратора емна ен за 1 рак 1033 Подппсно 2/2 Изд. М 117ииографип, ир, Сапунова, 2 НПО Поиск аказ 11 и 12 частей удовлетворяют соотношению 2 - +7, .) 1 2"3 11 + 12 11 тТакое выполнение датчика давления позволяет избежать появления механическойсилы, воздействующей на тензоэлектрпческий преобразователь от концентраторадавления при изменении температуры окружающей среды. В результате существенно повышается точность измерений давления.На чертеже схематично показан предлагаемый датчик,Датчик содержит тензоэлектрический...

Номер патента: 718736

Опубликовано: 29.02.1980

Авторы: Горбенко, Желудков, Костенко, Магден, Овчинникова

МПК: G01L 9/06

Метки: давления

...углубление, например, методом избирательного травления, в которое помещается шар 3, жестко закрепленный в металлической мембране 4. С противоположной стороны кремниевой пластины сформирован тензодиод 5 (например, диод с барьером Шоттки).Устройство работает следующим образом, Под давлением распределенная нагрузка посредством мембраны и шарика преобразуется в сосредоточенную нагрузку в точках А и Б, представляющих собой пятно контакта шара с поверхностью клиновидного углубления. В точках А и Б возникают силы Р, и Р результирующая которых вызывает деформацию в области расположения тензодиода. В то же время появляются изгибающие моменты М 1 и М, вследствие чего тензодиод испытывает деформацию сжатия и сдвига,Подписноний и открытий...

Номер патента: 777516

Опубликовано: 07.11.1980

Авторы: Васюхно, Шаршапин

МПК: G01L 9/06

Метки: давлений, разности, тензорезисторный

...преобразователя, и полимерной пленки 4, перекрывающей зазоры, образованные стенками корпуса и консольными пружинами 2 и 3,Тензорезисторы 5 наклеены на консольные пружины вблизи места заделки последних в корпус. Под пружинами 2 и 3 размещены дополнительные опоры 6, установленные симметрично продольной оси преобразователя.Одни из тензорезисторов 5 соединены в схему полумоста 7, а другие - в мостовую схему 8. Полумост 7 подключен,к тензометрическому усилителю 9, выход которого подключен к входу блока задержки 10, Выход блока задержки 10 подключен к одной из диагоналей моста 8, другая диагональЗаказ 2421/11 Изд.559 Тираж 1033 ПодписноеНПО Поиск Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж.35, Раушская...

Номер патента: 787920

Опубликовано: 15.12.1980

Авторы: Жуков, Коковина, Лунев

МПК: G01L 9/06

Метки: давления

...6 компенсационного преобразователя. На мембране 2 измерительного преобразователя размещен изме. рительный преобразователь 7 деформации в электрический сигнал, а на мембране 3 компенсационного преобразователя давления размещен787920 4поступают на вход схемы 10 обработки, гд9 из сигнала с измерительного преобразователя 7исключается температурная составляющая. ПредПредлагаемое изобретение обеспечивает точностьизмерения, расширяет рабочий температурныйдиапазон прибора, высокую технологичностьизготовления преобразователя,7 г Г 3 Фие. / е.8 Составитель В. Козловхред Ж. Кастелевич,рректор Г. Назаров едактор М, Келемеш Тираж 1019НИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий13035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4...

Номер патента: 851139

Опубликовано: 30.07.1981

Автор: Саблин

МПК: G01L 9/06

Метки: давления, датчик

...датчик; нафиг. 2 - сечение А-А на фиг. 1.Датчик соедержит полупроводниковую мембрану 1, установленную в корпусе 2, внутри которого установленаэксцентричная поворотная втулка 3,которая поджимается к зоне заделкимембраны пружиной 4 и гайкой 5.Электрические выводы хензосхемы 6осуществляются при помощи контактно-,го узла 7 с жесткими проволочными выводами 8.Измеряемое давление воздействует иа полупроводниковую мембрану 1 и вызывает ее прогиб, что приводит к изменению сопротивлений тензорезнсторов тензосхемы б. Величина изменения сопротивления тенэореэисторов зависит от места их,установки на мемОране и особенно от расстояния до места закрепления полупроводниковой мембраны в корпусе 2. В процессе изготовления полупроводниковой мембраны и ее...

Номер патента: 871001

Опубликовано: 07.10.1981

Авторы: Бережнюк, Кузьмин, Пивоненков, Суровиков

МПК: G01L 9/06

Метки: давления, датчик

...расположен у границы жесткого центра 3, а другой ( 13) - у границы буртика 4.Датчик работает следующим образом,При воздействии давления, меньшего, чем номинальное, мембрана деформируется, но не касается упора. При этом с тензосхем поступают выходные сигналы, пропорциональные давлению. При больших давлениях упор ограничивает перемещения жесткого центра мембраны, и чувствительность основной тензосхемы резко падает. Чувствительность тензорезисторов 9, 10, 11 мало меняется после касания мембраны жестким центром, поскольку они расположены в центральной области гибкой части мембраны, где деформации, обусловленные воздействием силы со стороны упора, малы. Однако некоторое остаточное изменение чувствительности имеет место, например, из-за...

Номер патента: 934258

Опубликовано: 07.06.1982

Автор: Стучебников

МПК: G01L 9/06

Метки: полупроводниковый, тензопреобразователь

...попарно вдоль и поперек радиуса мембраны в фкристаллографических направлениях (110) и (1 10) и соединенные в мостовую схему 11 с контактными площадками 7, На подложке 3 сформирован также эпитаксиальный терморезистор 8 с контактными площадками 9, изготовленный из пленки кремния, легированного блом с концентрацией дырок 1,510" см , и расположенный на недеформируемой части подложки 3 над боковой стенкой корпуса 2.Мостовая тензосхема 11 (фиг.2) запирается от источника 10 постоянного напряжения постоянным напряжением Ц , мостовая тензосхема 1 - от источника 11 постоянного тока постоянным током 10, причем величина Ц О и 1 О подбираются так, что при температуре й о - в -50 С выходные сигналы обеихотензосхем при определенном давлении Р...

Номер патента: 974167

Опубликовано: 15.11.1982

Авторы: Жуков, Запольнов, Коковина, Лунев

МПК: G01L 9/06

Метки: давления

...следующим образом.Мембрана преобразователя 2 сформирована на полупроводниковой пластине 1. Полупроводниковая пластина 1 соединена с основанием 4 и образует с ним вакуумную ячейку 5. Тензометрнческая схема 3 оформирована на мембране 2. Диэлектрическая пленка б покрыэает полупроводниковую пластину 1 и прикреплена к ней, например, электростатичбски. Поверх ди электрической пленки б сформирован позистор 7 над тенэометрической схемой 3. Выход источника питания 8 соединен со входом тензометрической схеви 3 и с поэистором 7. Выход измерительной схеиа 3 соединен со входом схеве обработки 9.974167 Преобразователь давления, содержащий полупроводниковую мембрану с 10 миразмещенными на ней тензореэисторами, образующую с основанием вакуумную ячейку,...

Номер патента: 1105765

Опубликовано: 30.07.1984

Авторы: Лавров, Романов, Сурженко, Фаритова, Французов

МПК: G01L 9/06

Метки: давлений, датчик, механических

...тем,что в датчике механических давлений,содержащем воспринимающую нагрузкумембрану, упруго связанную с корпусом, толкатель и упругие элементы стензометрическими измерителями деформации, один из которых для измерениянормальной составляющей давления расположен перпендикулярно толкателю, 45а другие, измеряющие тангенциальныесоставляющие, " параллельно ему, упо"мянутый толкатель связан с упругимиэлементами тангенциальных составляюших жесткими тягами, а с упругим эле ментом нормальной составляющей, который выполнен в виде закрепленной вкорпусе плоской мембраны, - сксльзящим контактом, образованным размещенным на торце толкателя шариком. 55На фиг. 1 изображен предлагаемыйдатчик, разрез; а на Фиг, 2 - то же,вид сверху.Корпус 1...

Номер патента: 1254326

Опубликовано: 30.08.1986

Авторы: Букин, Кащеев, Козицын, Чувыкин

МПК: G01L 9/06

Метки: давления, датчик

...1, к которому жестко присоединен цилиндрический корпус 2. На торце корпуса 2имеется мембрана 3, на которой закре сплен дисковый пьезоэлементК поверхности мембраны 3 поджатторцом полый жесткий цилиндр 5, противоположный торец которого опираетсяс поджатием на тарельчатую пружину 6,укрепленную на основании 1 корпуса.Внутри полого цилиндра 5 закрепленапо периметру упругая перегородка 7с тензометрическими элементами, центркоторой опирается на регулируемыйупор 8, ввернутый в резьбовое отверстие основания 1.При воздействии измеряемого давления на датчик мембрана 3 прогибается,нри этом происходит деформация закрепленного на ней дискового пьезоэлемента 4, на контактах которого появляется сигнал, пропорциональный величине переменного...

Номер патента: 1255879

Опубликовано: 07.09.1986

Авторы: Биднык, Костенко, Мазур, Остапчук, Преснов

МПК: G01L 9/06

Метки: давления

...в полупроводниковой1пластине будут создаваться большие ЗО сдвиговые напряжения. При этом пластина будет подвергаться такхе изгибув двух плоскостях (110) и (100) .При развороте чувствительногоэлемента в нем будут создаваться мак симально возможные напряжения привоздействии давления, которое передается посредством упругого элементаи жесткого центра. Поскольку область,преобразующая механические напряже О ния в полупроводниковой пластине вэлектрическое напряжение, локализована вблизи потенциальных контактовтензорезистора, то вершина пирамидырасполохена нац потенциальными кон тактами. Располагая тензорезистор с поперечной пьезоЭДС на мембране под опатимальным углом 22 30, от направления (100), можно получить чувствительность, которая будет...

Номер патента: 1345075

Опубликовано: 15.10.1987

Авторы: Блажковский, Жалковский, Кипа, Светолаев, Хорошунов

МПК: G01L 9/06

Метки: давления, отборник

...относится к измерительной технике, в частности при измерении давления.,Цель изобретения - повышение чувствительности.йа Фиг.1 изображено предлагаемое у тройство;, на Фиг,2 - сечение А-А на Фиг,1:, ня Фиг.3 - пример использования предлзгаемогоотборника давленияОтборник давления имеет полый корпус 1, заполненный эталонной жидкосг ью 2, в котором размещена эластичная трубка 3 с эллиптическим поперечным сечением, Концы трубки 3 герметично закреплены в корпусе 1, сопряженном с подводящим из трубопровоца и отводящим в трубопровод контролирующую жидкость 4 патрубками 5 и 6 соответственно. Заполненная эталонной жидкостью 2 нмпульсняятрубка 7 соединяет полость корпуса 1, например, с диФманометром.Уст 1 ойство работает следующим аб"...