Интегральный датчик давления
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1389412
Авторы: Беклемишев, Бритвин, Ваганов
Формула
ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ, содержащий кремниевую мембрану, на периферии которой установлены два p-h-p-тензотранзистора, отличающийся тем, что, с целью увеличения коэффициента преобразования, тензотранзисторы размещены так, что ось симметрии, проходящая от эмиттера к коллектору, у одного тензотранзистора параллельна, а у другого - перпендикулярна кристаллографическому направлению < III >, при этом плоскость мембраны совпадает с кристаллографической плоскостью (110).
Описание
Целью изобретения является увеличение коэффициента преобразования.
На чертеже изображен предлагаемый датчик.
Интегральный датчик давления содержит мембрану 1, на периферии которой размещены два p-n-p-тензотранзистора 2 и 3. Тензотранзисторы 2 и 3 размещены на кремниевой мембране так, что ось симметрии, проходящая от эмиттера к коллектору, у одного тензотранзистора 2 параллельна, а у другого тензотранзистора 3 перпендикулярна кристаллографическому направлению <111>. Плоскость мембраны 1 при таком расположении тензотранзисторов 2 и 3 должна совпадать с кристаллографической плоскостью (110).
Интегральный датчик давления работает следующим образом. Измеряемое давление воздействуя на мембрану 1, вызывает деформацию тензотранзисторов 2 и 3, следовательно изменяет их коэффициенты тензочувствительности. Вследствие выбранного расположения осей симметрии транзотранзисторов, коэффициенты тензочувствительности у них имеют разный знак, следовательно коэффициент преобразования увеличивается.
Интегральный датчик давления характеризуется высоким значением коэффициента преобразования и возможностью его изготовления в миниатюрном исполнении.
(56) Ваганов В. И. , Поливанов П. П. Интегральный транзисторный преобразователь давления. Электронная техника. Сер. 11, в. 4, 1975, с. 82-92.
Авторское свидетельство СССР N 491059, кл. G 01 L 23/18, 1975.
Изобретение относится к контрольно-измерительной технике. Цель изобретения - увеличение коэффициента преобразования. Давление, которое измеряется, воздействует на мембрану 1, вызывает деформацию тензотранзисторов 2 и 3 и, следовательно, изменяет их коэффициенты тензочувствительности. Вследствие выбранного расположения осей симметрии тензотранзисторов 2 и 3, коэффициенты тензочувствительности у них имеют разный знак, следовательно коэффициент преобразования увеличится. 1 ил.
Рисунки
Заявка
3998131/10, 24.12.1985
Московский инженерно-физический институт
Беклемишев В. В, Бритвин С. О, Ваганов В. И
МПК / Метки
МПК: G01L 9/04
Метки: давления, датчик, интегральный
Опубликовано: 28.02.1994
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1389412-integralnyjj-datchik-davleniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Интегральный датчик давления</a>
Предыдущий патент: Способ доочистки биологически очищенных сточных вод
Следующий патент: Датчик аэродинамических углов летательного аппарата
Случайный патент: Способ обработки аустенитных нержавеющих сталей