Акустоэлектронный усилитель

Соеэ Советских Социалистических РеспубликОП ИС ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(51) М. Кл,3 В 2 ио рисоединением заявки оеударвтеенный номнтет СССР пн денни нзебретенн н еткрытнй(54) АКУСТОЭЛЕКТРОННЫЙ УСИЛИТЕЛ обра оэпектронныйонструкцию среда 5, подкпюче янного тока 6, при образоватепи 4 гап между собой, а ра равно ипи больше родинного преобразАкустоэпектрон следующим образом ьванически соединень стояние между ними двоенной дпины гетеоватепя 4.ый усилитель работает Изобретение относится к радиотехнике, Известен акустоэпектронный усилитель, состоящий из пьезоэлектрического звукопровода, на рабочей поверхности которого расположены входной и выходной эпектромеханические преобразователи и два гетеродинных преобразователя, между которыми расположена полупроводниковая среда, подключенная к источнику постоянного тока. 11.Однако известный акустусилитель имеет спожную ки бмьшую потребляемую мощность,Цель изобретения - упрощение конструкции при снижении потребляемой мощности.Дпя этого в акустоэпектронном усипителе, состоящем из пьезоэпектрического звукопровода, на рабочей поверхности которого расположены входной и выходной эпектромеханические преобразователи и два гетеродинных преобразоватепя, между которыми расположена попупроводниковая среда, подключенная к источнику- :гигтъ3 слГ".ъч;1 ".Я%Я Гв,атжвМЬАА Н И Е и 658711 асного Знамени институектроники АН СССР постоянного тока, гетеродинные зоватепи гальванически соединены между собой, а расстояние между ними равно ипи больше удвоенной длины гетеродин-ного преобразователя.На фиг. 1 приведен первый вариант конструкции акустоэпектронного усилитепя; на фиг, 2 - второй вариант конструкции акустоэпектронного усилителя.Акустоэпектронный усипитепь состоит из пьезоэпектрического звукопровода 1, на рабочей поверхности которого распопожены входной и выходной эпектромеханические преобразоватепи 2 и 3 и два гетеродинных преобразователя 4, между ко торыми расположена попупроводниковая иная к источнику посточем гетеродинные преПринцип действия акустоэлектронногоусилителя основан на эффекте распределенного и супергетеродинного усилителя.Мощная поверхностная акустическая волна образуется за счет самовозбуждения 5генератора, образованного полупроводниковой средой 5 и двумя гетеродиннымипреобразователями 4, гальваническисоединенными между собой. Гальваническое соединение гетеродинных преобразо Ователей 4 обеспечивает положительнуюобратную связь, необходимую для самовозбуждения генератора. Положительнаяобратная связь достигается тем, чтомежду гетеродинными преобразователями4 укладывается целое число длин волн,то есть расстояние между гетеродиннымипреобразователями 4, по меньшей мере,равно удвоенной длине гетеродинного преобразователя 4 вдоль пьезоэлектрического звукопровода 1. Для осуществлениясамовозбуждения усиление в полупроводниковой среде 5 большепотерь преобразования гетеродинных преобразователей254, что достигается выбором длины полупроводниковой среды 5,В первом варианте конструкции акустоэлектронного усилителя, приведенномна фиг, 1, пьезоэлектрический звукопровод 1 выполнен из Й ИЪО УУ -среза,Полупроводниковая среда 5 из 1 ОБЬ толщиной 600-800 А с алюминиевыми омическими контактами 7 отделена от пьезоэлектрического звукопровода 1 подслоем0 35810 толщиной 300-400 А и закрыта сверху 310 толщиной л 1000 А, Входной, выходной и гетеродинные преобразователи2, 3 и 4 - встречночдтыревого типа из алюминия, Гальваническое сбединение гетеродинйых преобразователей 4 осуществлено алюминиевой полоской.Особенностями второго варианта конструкции, приведенной на фиг, 2, является то, что пьезоэлектрический звукопровод 1 выполнен из сульфида кадмия с гексагональной осьюперпендикулярной рабочей поверхности, а полупроводниковая среда 5 образуется подсветкой через щель 8 в непрозрачном экране 9.Акустоэлектронный усилитель по сравнению с прототипом имеет более простую конструкцию и потребляет. при этом меньшую мощность.Формула изобретенияАкустоэлектронный усилитель, состоящий из пьезоэлектрического звукопровода,на рабочей поверхности которого расположены входной и выходной электромеханические преобразователи и два гетеродинных преобразователя, между которымирасположена полупроводниковая среда, подключенная к источнику постоянного тока,отличающийся тем,что,сцелью упрощения конструкции при снижении потребляемой мощности, гетеродинныепреобразователи гальванически соединенымежду собой, а расстояние между нимибольше или равно удвоенной длине гетеродинного преобразователя,Источники информации, принятые вовнимание при экспертизе1. Кмита А. М. и др. "Письма вЖЭТФ", 1974,20, с. 453,658711 в ор В. Синицка 74/52 Тираж 1059 ЦНИИПИ Государственного комитета СССнисное по делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская набд. 4/5 илиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Составитель А. Кузнецоедактор Л. Гельфман Техред О. Андрейко Корре