Многоэлементный полупроводниковый индикаторный прибор

Номер патента: 525381

Опубликовано: 05.03.1977

Авторы: Волос, Кузьмичев, Мазаник, Твердов

МПК: H01L 21/60

Метки: контактных, кристаллам, полупроводниковым, присоединения, рамок

...головку.Такая конструкция позволяет проводить совмещение кристалла с контактной рамкой и цх дальнейшее совместно фиксированное совмещение со свароцьп 1 инструментом, т. е. проводить последовательное перемещение сварцвясмых объектов под сварочным ццструмен- ТОМ.Ня 1)1 г.пзоб)Яжец конструктивная схема предлагаемой установки; ца фцг. 2 - схема з;жима кристалла,Установка для присоединения контактных ЭМОК и ГОЛУП)ОВОЦ 11 ОВЫМ КЭПСТЯЛЛЯс СО- держит сварочную головк 1 (фцг. 1), рабочий столик 2, мцкромаццпулятор э, механизм псемещения кассет с опта,тцыми эямкмп 4, мехяцпзх 5 питания 1;)цст)л;аи, ст)ойство 6 зяи;цмя . ор Снтяши рцсталля.Устройство 6 зажима ц орпецтяц;" Содержит з 1 жцмцые губки 7, переменающпеся параллельно плоскостп...

Номер патента: 1121605

Опубликовано: 30.10.1984

Авторы: Лапушкина, Муниц, Петров, Шендерович

МПК: G01N 21/45

Метки: входной, гранью, кристалла, между, одноосного, оптической, осью, угла

...осью одноосногокристалла и его входной гранью,заключающийся в том, что кристаллпросвечивают коническим пучком монохроматического поляризованного света и совмещают центр коноскопической фигуры с маркой 1,Недостатком известного споСобаявляется низкая точность определения угла между оптической осью одноосного кристалла и его входнойгранью. Цель изобретения - повышение точности измерений.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу определения угла между оптической осью одно.- осного кристалла и его входной гранью марку образуют путем дополнительного просвечивания кристалла параллельным пучком света, а угол между Оптической осью одноосного кристалла и его входной гранью определяют по углу между падающим на входную грань...

Номер патента: 502234

Опубликовано: 05.02.1976

Авторы: Берман, Гицу, Заборовский, Иойшер, Котрубенко

МПК: G01J 5/12

Метки: излучения, приемника, чувствительный, элемент

...поглощающего видимое и инфракрасное излучение вещества 5, служащего экраном.Термопары в лучке соединены последовательно в 1, 2 или более термобатарей. снабкенных токовыводами (на чертеже не показаны).Э В зависимости от неооходимыхров прибора термооатареи включаютдовательно или параллельно.Тепловое и видимое излучение, попадаяна поглощающий экран, разогревает его, аследовательно, и спаи всех термопар. Вследствие близости спаев к экрану, а также из-заувеличения отношения площади термоспаевк площади экрана к. и. д. прибора резко возрастает, что увеличивает его чувствительность. Слой поглощающего вещества надтермоспаями выполнен с толщиной не болееусредненного диаметра по изоляции используемых микропроводов,Применение литых...

Номер патента: 1725700

Опубликовано: 15.05.1994

Авторы: Загоруйко, Карпова, Комар, Терейковская

МПК: H01L 21/28

Метки: aiibvi, контактных, кристаллов, оптических, поверхности, полупроводниковых, слоев, создания, типа

СПОСОБ СОЗДАНИЯ КОНТАКТНЫХ СЛОЕВ НА ПОВЕРХНОСТИ ОПТИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ ТИПА AIIBIV, включающий обезжиривание, промывку и нанесение на поверхность кристалла металлического слоя, отличающийся тем, что, с целью получения однородного по толщине механически прочного слоя при сохранении оптических свойств кристаллов и упрощения процесса, обезжиривание проводят в насыщенном растворе кальцинированной соды в течение 20 - 30 мин при 18 - 25oС, металлический слой наносят при 10 - 15oС путем осаждения серебра из смеси щелочного раствора аммиаката серебра следующего состава, мас. % :Азотнокислое серебро 1,57Гидрат окиси калия (45% -ный) 2,27Водный аммиак (25% -ный) 17,79

Номер патента: 545020

Опубликовано: 30.01.1977

Авторы: Аверченко, Зобенс, Ковалевский, Харламова

МПК: H01L 21/78

Метки: кристаллы, пластины, полупроводниковой, разделения

...проводят скрайбирование, образуются на пластине путем проведения дополнительной операции: между разделяемыми кристаллами по всей их длине в двух взаимно перпендикулярных и 545020.Оставн 1 сл Н, ОстровскаТсхрсд А. К 11 мкниннкова лактор Е. Караулова ррсктор А. Николаева Пол 1 гнсноГССР Заказ 209,Изд 1 о 166 Тираж 1019 Гол дарственного комитета Совета .Л 1 иннстро по лелагв изобретений н открытий 13035, Москва, )К1 аушскан наб., л. 4 51 ИПИ 11 н 1 ографив, ир. Сапунов положенную между линией разделения, например, риской, наносимой инструментом при скрайбировании, и той частью кристалла, в которой создан полупроводниковый прибор. Такими локальными областями в приповерхностном слое являются границы различных фаз и места концентрации...