H01L 15/00 — H01L 15/00

Номер патента: 410708

Опубликовано: 05.01.1975

Авторы: Андреева, Коломиец, Лебедев, Таксами, Шпунт

МПК: H01L 15/00

Метки: полупроводниковое

...подложке 1 расположенслой 2 фоточувствительного полупроводника,например СЮ, на который нанесен металлический электрод 3 и слой 4 халькогенидного 25текла. В качестве халькогенидного можетбыть использовано любое стекло из тех, которые применяются для создания переключателей (витродов). Электрод 5 к слото халькогенидного стекла может быть выполнен из ма териалов, которые применяются для изготовления переключателей - графита, молибдена, вольфрама и т. д. Устройство может иметь дискретное или матричное исполнение,Единичный элемент с площадью электрода к слою халькогенидного стекла 2 10 -сма в темноте обладает симметричной вольтамперной характеристикой и сопротивлением порядка нескольких мегом. Под действием света устройство приобретает...

Номер патента: 460832

Опубликовано: 05.08.1976

Авторы: Карацюба, Кмита, Круглов, Куринный, Курносов, Рыжиков, Юдин

МПК: H01L 15/00

Метки: индикаторный, многоэлементный, полупроводниковый, прибор

...в ысоким удельным сопротивлением и высокой концентрацией центров-гасителей электролюминесценции,На чертеже показан предлагаемый многоэлементный индикаторный прибор.В пластине 1 карбида кремния формируютсякомпенсированная область 2 и р-область 3. На высокоомной области 3 получают ряд дискретных омических контактов 4, между которыми находится дополнительная область 5 с концентрацией дефектов от 10 "едо 10 см з Толщина области 5 превышает толщину области 3 не менее, чем на 0,1 мкм.На противоположной стороне кристалла расположен омический контакт 6.Прибор работает при подаче прямого смещенияна общий вывод и на нужную комбинацию элементов со стороны высокоомной области кристалла, 0 при этом наблюдается свечение заданой комбинациидискретных...