Патенты с меткой «поверх-ностной»

Номер патента: 799050

Опубликовано: 23.01.1981

Авторы: Берзин, Кривич, Левитас, Медвидь

МПК: H01L 21/66

Метки: поверх-ностной, рекомбинации, скорости

...поля, кривая 1 и кривая 2, соответственно.Способ осуществляется следующим образом.При облучении светом в полупроводниковом кристалле, толщиной 26 еЬ с асимметрично обработанными поверхностями, возникает распределение носителей тока по толщине этого крис- ЗО талла (фиг. 2 кривая 1). Поместив полупроводниковый кристалл в.перпендикулярно направленные электрическое и магнитное поля,так, чтобы сила Лоренца была направлена к освещаемой 33 поверхности, получаем перераспределение носителей тока, показанное на фиг. 2 кривая 2, Это перераспределение носителей тока приводит к изменению фототока, Регистрируемого на 4 О сопротивлении нагрузки. Спектральная зависимость фотопроводимости в магнитном поле и. без него представлена кривыми 1 и 2 на...

Номер патента: 816727

Опубликовано: 30.03.1981

Авторы: Баркан, Королев, Шапиро

МПК: B23K 31/10

Метки: плазменно-дуговой, поверх-ностной, резки

...канавку 9 глубиной Ь,выборкекоторой соответствует напряжениена дуге Пц, При этом .чем меньшевеличина тока, тем белее пологуюформу имеет лобовая кромка реза.При токе лобоваг кромка реза образует меньший угол с наружной поверхностью обрабатываемого изделия. Соответственно при резке на токелюбая кромка реза 8 образует большийугол снаружной поверхностью иэделия и этот угол возрастает еще больше при резке на токе, при которомон практически близок к 90оИзменение в процессе резки попериоднческому закону величины рабочего тока от 3 до 33 обеспечиваетвозможность .увеличения, глубины выплавляемой канавки за счет уменьшенияскорости резки. При этом обеспечивают глубину выборки большуючем Ь 5.Однако отсутствует соответствующийзакон изменения тока...

Номер патента: 841876

Опубликовано: 30.06.1981

Авторы: Гребе, Занин, Коваленко, Мокеичев, Юшко

МПК: B23K 37/02

Метки: изделия, поверх-ностной, тепловой

...отличается тем, что в ней предусмотреныкачающиеся звенья 1 О и 11, т.е. проушины 6 (фиг.1) оснащены дополнительными шарнирами, присоединенными к основанию, а также пружинные демпферы 12.Такая модификация установки плазмотронов предназначена для обработки изделий (слитков), имеющих пространстенную кривизну, например, в виде винтовой линии или пропеллера.Третьей модификацией устройстваявляется конструкция подвески согласно фиг.3. Здесь все устройство сверху подвешивается на качающееся звено 13, а снизу шарнирно соединено сприводом 7. Сближение плазмотронов 3в сторону слитка ограничивается регулируемыми механическими упорами 14,- Предлагаемое устройство для крепления рабочего инструмента при поверхностной обработке изделия...