Патенты с меткой «пе-реходами»

Номер патента: 805213

Опубликовано: 15.02.1981

Авторы: Новиков, Палей, Прохоров

МПК: H01L 21/66

Метки: качества, надежностиполупроводниковых, пе-реходами, структур

...а локализуется в отдельныхобластях (микроплазмах). При низкойтемпературе микроплаэменный пробойшунтируется влиянием поверхностныхзФФектов и глубоких ловушечных уровней, обусловливающих параметрическиеотказы приборов при длительной эксплуатации. Наличие глубоких ловушечных уровней приводит также к гистереэису лавинного пробоя.Последовательность операций приосуществлении предлагаемого способаследующая.Испытываемые полупроводниковыеструктуры с р-и-переходами помещаютв камеру холода, выдерживают их вней в течение достаточного временидля установления низкой температуры:от минус 115 до минус 125 С для германиевых структур и от минус 75 доминус 85 С для кремниевых структур.Затем на р-и"переходы структур, находящихся в условиях низкой...