Патенты с меткой «полуметаллах»
Способ измерения концентрацииносителей тока в анизотропных полупроводниках и полуметаллах
Номер патента: 425097
Опубликовано: 25.04.1974
Авторы: Бразис, Бурнейна, Ордена, Пожела
МПК: G01N 24/00
Метки: анизотропных, концентрацииносителей, полуметаллах, полупроводниках
...перпендикулярными этому направлению.20 Если зонная структура неизвестна, томожно провести измерения размерных гели- конных резонансов для различных кристаллографических направлений и определить концентрацию по тому кристаллографическо му направлению, для которого средняя циклотронная подвижность максимальна, а зависимость между резонансными значениями частоты и магнитной индукции прямолинейна,Таким образом, для измерения концентрации электронов в висмуте и его сплавах (на/ Ю Составитель В, ВощанкииТехред Е, Борисова Корректор И. Симкнна Редактор А. Батыгин Заказ 1713/472 Изд. Ма 782 Тираж 651 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Тип, Харьк....
Способ определения эффективноймассы носителей b полупроводникахи полуметаллах
Номер патента: 817808
Опубликовано: 30.03.1981
Авторы: Зверев, Кружаев, Минков
МПК: H01L 21/66
Метки: носителей, полуметаллах, полупроводникахи, эффективноймассы
...и - А 5 с концентрацией б= 2 10") см З. Туннельный контакт йзготовлен по известной методике. При этом образец исследуемого материала технически шлифуют и полируют, травят в полирующем травителе (5 ч НИО+Зч НГ,+Зч. ледя- ной уксусной кйслоты), затем обезгаживают в вакууме 5 10 6 торр при 120 ОС 5 ч и окисляют в атмосфере сухого кислорода при нормальном давлении и 120 С 36 ч с целью получения на поверхности туннельного тонкого окисла, После этого в вакууме 10 торр на полученную поверхность напыляют свинец.Во время измерений туннельный контакт помещают в сосуд Дьюара, вставленный в рабочий объем сверхпроводящего соленоида. Внутри сосуда с помощью стабилизатора температуры, поддерживают требуемую фиксированную температуру в...