Номер патента: 289446

Авторы: Атанов, Васильев, Дорофе, Логлинцев, Сапронов

ZIP архив

Текст

Союз Советских Социалистических Республик,ЧПК 6 11 с 11/40УДК 681.327.66(08 1969 ( 1360392,18 Заявлено 16. с присоединением заявкиПриоритетОпубликованДата опубл Комитет по лелем зоОретений и открыт при Совете Министра СССРь оа 1 97 1 08.Х 11.1970. Бюллст ания описания "8.1аявител АПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕН На чертеже предщего элемецта.Элемент состоитна трацзисторакторов 3 и 4 и транз Скема раоотает В искодцом сост роь 3 ц 4 подается соответственно по При этом ицформа ледуюяциц нотриццепямция кр щим образом.а стоки транзцстотельньш потенциал записи О и 1,цится на емкостяк Изобретение относится к области вычислительной тскппкц, в частности к запоминающим устройствам цифровык вычислцтельнык машин,Известен запоминающий элемент, выполнецный на трацзисторак со структурой металл - окисел - полупроводник 1,ЧОП-транзисторак), содержащий триггер, пагрузочные транзисторы и транзистор считывания. 11 едостатком известного элемента является большое число транзисторов ца единицу информации.С целью уменьшения числа транзисторов и предложенном элементе затворы цагрузочцык транзисторов соединены со стоком транзистора считывания и шииамц восстановления информации и адреса, а стоки нагрузочнык транзисторов подключены к разрядным шинам записи О и 1 соответственно. тавлепа скема запомицаюцз триггера, выполненногои 2, нагрузочнык трацзцсистора считывания б. б и 7, являющикся паразитнымп внутренними распределенными емкостями скемы. Восстанавливающие импульсы поступают от генератора импульсов по цепи восстановления ин формац:и па адресную шину, транзисторы 3и 4 открываются, и потенциал на емкости, крацящей код 1, возрастает до максимального значения, транзистор, затвор которого соединен с точкой ранения информации, открыва ется еще сильнее, чем обеспечивает болееблагоприятные условия для разряда емкости, кранящей код О,Считывание информации можно произво дить при подаче импульса напряжения на адресную шину, стробируя скему считывания 8,Запись процс.;одцт путем подачи ца стокодного из цагрузочцы.; транзисторов потенциала О. На стоке второго транзистора при сутствует при этом отрицательный потенциал.Такцм образом, через транзистор, ца стоке которого присутствует потенциал О, емкость разряжается, а через транзистор, на стоке которого присутствует отрццательныц потенци ал, емкость заряжается, т. е. запись проискодцт парафазцо. Так как считывание происко.дцт через затвор считывающего транзистора имеющего очень высокий вкодной импеданс, информация практически це разрушается дс 30 при.;ода восстанавливающего импульса.289446 Предмет изобретения босстанобитепьный бини Составитель Н. С. Прокофьева сдактор Л. А. Утехина Корректор Н. Л. БронскаИзд.14 Заказ 4033 7 Тираж 480 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий нри Совете Мшнстров ССС 1 з йосква, Ж, Раушскаи наб., д. 4,5 Типография, пр. Сапунова,Запоминающий элемент, выполненный на тринзисторах со структурой металл - окисел - полупроводник (МОП-транзисторак), содержащий триггер, нагрузочпыс транзисторы и транзистор считывания, отличаощийся тем,что, с целью уменьшения числа транзисторов, затворы нагрузочнык транзисторов соединены со стоком транзистора считывания и шипами восстановления информации и адреса, 5 а стоки нагрузочпык транзисторов подкл 1 очены к разрядным ш;шам записи 0 и 1 соответственно.

Смотреть

Заявка

1360392

П. К. Атанов, Г. Ф. Васильев, В. И. Сапронов, А. П. Дорофе, В. А. логлинцев

МПК / Метки

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающий, элел1ент

Опубликовано: 01.01.1971

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-289446-zapominayushhijj-ehlel1ent.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Запоминающий элел1ент</a>

Похожие патенты