Запоминающий элемент

Номер патента: 977393

Опубликовано: 30.11.1982

Авторы: Антонов, Илькова, Стоколяс, Штенке

МПК: C01F 17/00

Метки: галлия, люминесцентного, редкоземельных, соединениях, элементов

...ведет к положительному г"- Ьаулатату и отноиениелюм. РЭ 3блюм.осн. остается малой величиной (табл. 1).Влиянне тЕМпературы кристаллофосфора на интенсивность люминесценции РЗЭ и основы (галлий-гадалйниевый гранат).Влияние температуры кристалЛофосфоров на основе галлий-гадолиниевопограната на пределы обнаруже ния РЗЭ представлены в табл.,2.П р и м е р 1, Образец кристаллофосфора галлий-гадолиниевого гра ната помещают в кювету с кварцевым окном, возбуждают люминесценцию излучением искры от вольфрамовых электродов в искровом фосфороскопе, спектры люминесценции регистрируют в режиме послесвечения через 2 10-"с.после прекращения возбуждения монохроматором МДРс ФЭУв области длин волн для праэеодима 480-495.нм, тербия - 360-390 нм, европия -...

Номер патента: 990668

Опубликовано: 23.01.1983

Авторы: Антонов, Штенке, Шульгин

МПК: C01F 17/00

Метки: галия, иттрия, редкоземельных, соединениях, элементов

...соотношение компонентов кристаллофосфора, мас. 3; окись 20 галлия 50-66; окись иттрия 34-501 окись тербия 0,00001-0,02 у окись празеодима 0,00001-0,02 у окись европия 0,00001-0,02. Изменениепроцентного содержания основных компонентов оксида галлия и оксида иттрия от оптимальных приводит к ухудшению преде" лов обнаружения РЗЭ в 2-10 раз. Иэ данных табл. 1 следует, что при содержании РЗЭ выев указанных пределов наблюдается концентрационное гашение и нарушается линейная зависимость между интенсивностью люминесценции и концентрацией РЗЭ, при содержании РЗЭ менее указанных пределов интенсивность люминесценции снижается, что нв позволяет устойчиво зарегистрировать ее на используемом оборудовании.При тВмпвратурах прокаливания ниже 1350 С...

Номер патента: 990669

Опубликовано: 23.01.1983

Авторы: Антонов, Хасанова, Штенке, Шульгин

МПК: C01F 17/00

Метки: галлия, редкоземельных, соединениях, элементов

...соатношение компонентов кристаллофоСфора, мас. Ъ окисьгаллия 95-97; хлористый натрий 2,984-99998 у окись тербия 0,00001-0,01 у.окись диспрозия 0,00001-0,01. 35Из табл.2 видно, что при содержаниях РЗЭ выше укаэанных наблюдаетсяконцентрационное гашение и нарушается линейная зависимость между интенсивностью люминесценции и концентрацией РЗЭ; люминесценцию РЗЭ при содержаниях, менее указанных, невозможно устойчиво зарегистрировать на используемом оборудовании.П р и м е р 1300 мг окиси галлия помещают в платиновый тигель,.приливают 1,6 мл 13-ного водногораствора хлористого натрия и добавляют по 0,03 мл солянокислых растворовтербия и диспрбзия концентрацией10 мкг/мл по окиси, перемещают стеклянной. палочкой и упаривают досуха.Сухой продукт...

Номер патента: 219940

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Добр, Иванов, Институт, Калмыков, Попов, Технической

МПК: G07C 1/10

Метки: информации, табельной, хранения

...шкалы и помещен над отражающей поверхностью рефлектора фары индивидуального светильника рабочего.Положительный эффект, достигаемый при этом, обеспечивает технологическую и организационную связь процесса автоматического 1 абельного учета с производственным процессом. Это повышает эффективность и надежность автоматического табельного учета.На чертеже схематично изображено предложенное устройство.Носитель информации 1 закрыт защитным стеклом 2 и помещен над отражающей поверхностью рефлектора 3 фары между корпусом 4 последней и ее зажимной гайкой 5. Лампочка б использована для подсветки кодовой шкалы- носителя, перекрывающей своим кодовым рисунком часть отражающей поверхности рефлектора.Носитель информации представляет собой оптическую...

Номер патента: 1306817

Опубликовано: 30.04.1987

Авторы: Белых, Давыдова, Карастоянов, Сиряченко

МПК: B65B 9/02

Метки: между, пленкой, упаковывания, фольгой

...подают к формовочному механизму, где между плитами 15 и 16 происходит формование, При этом подвижная опора 21 с плитами 8 и 15 совершает вертикальные Возвратно-поступательные перемещения в такт работы устройства. При стыкании плит 7, 8, 15 и 16 один участок пленки 4 нагревается, а дру.) гой формуется путем подачи сжатого воздуха в камеру 18 нижней плиты 16 Формовочного механизма. Последний выдувает ячейки на пленке 4, вместе с которой плиты 7, Я, 5 и 16 продолжают движение вперед до крайнего левого положения, При раскрытии плит 7, 8, 15 и 16 пленка 4 продолжает двигаться с помощью тянуп)ега барабана термосклеивающе) о механизма 12, а глиты 7, 8, 15 и 16 со скоростью, в два раза превышающей скорость движения пленки 4 вперед,...