Михайловскав.в.

Номер патента: 305832

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Войтович, Костышин, Михайловскав.в., Романенко

МПК: H05K 3/06

Метки: криотронных, схем

...удаления неполимеризовавшихся участков получают окна в фоторезисте. Травлением металла через окна получают пленки необходимой конфигурации, после чего фоторезист удаляют. С помощью фотолитографии изготавливают криотроны малых размеров, но для этого требуется большое количество технологических операций.Цель изобретения - повысить точность изготовления схем.Достигается это тем, что на слой сверхпроводящего материала требуемой толщины напыляют тонкий защитный слой металла (зоССР и Институ 1" "ой ССР подложку плн промежуточный слой наслой сверхпроводящего материала (нар, олова нлн свшща). На этот слой ндтся тонкий защнтнын слой нз малоакго материала, например золота нлн сстолщиной 30 - 150 нм, а на него активного материала, например Р 1...

Номер патента: 258387

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Костышин, Михайловскав.в., Романенко

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее

...запоминающим устройствам цифровых выиислительных машин.Известно запоминающее устройство, содержащее систему взаимно перпендикулярных шин с расширениями шин в местах их пересечения при записи, кода 1.Недостатком известного устройства является низкое быстродействие и малая плотность упаковщики из-за наличия взаимного влияния сосодних ячеек.В предложенном устройстве с целью повышения бькстродействия и плотности упаковки ,между шинами расположен слой,полупроводникового материала,На чертеже показано запоминающее устройство. Оно содержит две ячейки памяти 1 от 2.Ячейка состоит из взаимно перпендикулярных шин Д и 4 с расширениями 5 в местах их пересечения при записи кода 1 и без расширений 5 в местах пересечения шин при записи кода О(ячейка...

Номер патента: 253197

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Костышин, Красноженов, Михайловскав.в., Романенко

МПК: H05K 3/18

Метки: лногослойной, структуры, тонкопленочной

...при использовании известного спос ба образуется большое число токопроводящ мостиков, удаление которых затруднено.Целью настоящего изобретения является уменьшение количества токопроводящих мостиков, улучшение параметров тонкопленочной структуры и упрощение технологии изготовления структуры. Для этого на слой металла, служа проводом, через маску наносят диэ ский слой, имеющий толщину нескор ше расчетной. Затем через эту же ма ляют слой активного вещества, с вступать с металлом в химическую под действием излучения. Это активное вещество находится в непосредственном соприкосновении с металлом токопроводящего слоя только в тех местах, в которых слой диэлект рика имеет отверстия. Под действием излучения в тех местах, где слой...

Номер патента: 256824

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Институт, Костышин, Михайловскав.в., Романенко

МПК: G11C 11/24, G11C 17/00

Метки: запоминающее

...ром Сденыав Ои записи парпри здер ат На чертеже прив связи при записи ко Элемент связи, п зован резистором Й между шинами С резистором Я 1 и коО, абраи емкостьюода 1 -Изобретение относится к области вычислтельной техники,Известныстоящие из 5 крещивающиторых распосвязи.Недостатком известных устройств является то, что наличие паразитной емкости между 10 шинами ограничивает быстродействие и ухудшает отношение сигнал-помеха.Цель изобретения - повысить быстродействия и улучшить отношение сигнал-помеха.Это достигается тем, что в предложенном 15 устройстве элементы связи выполнены при записи кода 1 в виде конденсатора и резистора, включенных параллельно, а при записи ,када О - в виде резистора, образующего с паразитной емкость между шинами эле...