Запоминающий элемент

Союз Советских Социалистицеских РеспЧ 6 ттикЗавцсцмьш от патентаЗаявлено 21.11.1969 (Л" 1316082/18-24 М. Кл. 6 11 с 11/40 иоритет 22.11.19 б 8,10775/б 8, Япония Комитет оо делам изобретений и отнрытий ори Совете й 1 иинотров СССРУДК 681,327.67(088.8 Опубликовано 02,1,197 летець6 Дата опублцко нця описания 30.111.19 Авторизобретения Иностранец Атсуси Овада(Япония) Иностранная фирма Токио Сибаура Электрик КомпаЗаявитель Лимит ЗАПОМИНАЮЩИ т 1 ЭЛ ЕМЕНТ Изобретение относится к области запоминающих устройств.Известен запоминающий элемент, выполненный на транзисторах типа МОЯ, образующих триггерную ячейку.Предложенный запоминающий элемент отличается от известного тем, что он изготовлен на одном транзисторе типа МОЯ с полевым эффектом и полупроводниковом диоде, который подсоединен к затвору транзистора. Это позволяет упростить запоминающий элемент.На фиг. 1 показана схема запоминающего элемента; на фиг, 2 - импульсные диаграммы, иллюстрирующие его работу; на фиг. 3, 4 и 5 - различные варианты конструктивного выполнения запоминающего элемента по печатной схеме на кремниевой основе.Схема запоминающего элемента содержит транзистор 1 типа МОЯ (металлоокисный полупроводниковый транзистор), работающий в режиме усиления, либо обычного запирания. Клемма 2, цли клемма затвора, соединена с затвором 8 транзистора 1 через диод 4, который подключен в таком направлении, чтобы зарядить конденсатор МОЯ, образованный транзистором. Клемма 5 соединена со стоком б транзистора, а клемма 7 - с истоком 8. Исток 8 заземлен через резистор 9. Запоминающий элемент работает следующим образом.Запись сигнала О выполняется смещением напряжения на клемме 2 на - Е для 5 выключения транзистора 1, а затем записывающий импульс напряжения - Е подается на клемму 5 с тем, чтобы снять заряд с затвора 3.Считывание сигнала О осуществляется 10 повышением напряжения ца клемме 5 до напряжения +Е и проверкой, что ток, текущий в исток 8 с клеммы 7, не содержит импульсного сигнала.Запись сигнала 1 выполняется заземле нием клеммы 2, приложением записывающегоимпульса напряткения - Е к клемме 5 для включения транзистора 1. Таким образом заряжается конденсатор МОЯ. 20 Считывание сигнала 1 осуществляетсяповышением напряжения ца клемме 5 до напряжения +Е и проверкой, что с клеммы 7 течет импульсшяй ток истока 8. Следует заметить, что разряд заблокирован диодом 4.25 На фиг. 2, а, б и в показана форма цмпульсов на клеммах 2, 5 ц 7 соответственно, когда сигналы О ц 1 записываются и считываются ц т. д.50 Налряжение клеммы 2 остается равным - Е при записи сигнала О и принимает потенциал заземления или 0-потенциал при записи сигнала 1.К клемме 5 прикладывают импульс - Е сигнала 10 для записи и +Е сигнала 11 для считывания.Форма импульса на клемме 7 показывает, что напряжение остается нулевым, так как при считывании сигнала О ток через клемму 7 це течет. Только при считывании сигнала 1 появляется открывающий импульс 12.В предлагаемом запоминающем элементе используется то, что ток течет, либо не течет через исток 8, вследствие чего конденсатор МОЯ заряжается, либо не заряжается. Диод 4, связанный с затвором 3 транзистора 1, необходим для того, чтобы пропускать ток к указанному затвору только в одном направлении. На фиг. 3 показан запоминающий элемент, выполненный цо печатной схеме на кремниевой основе 13 Й типа. Кремниевую основу обрабатывают обычным способом, принятым для плоски.: транзисторов, например помещают се в атмосферу влажного кислорода при температуре 1100 С для образованияо пленки из окиси кремния, толщиной 4000 Л. Отдельные участки плеши устраняют путем применения резистцвцого покрытия типа Кодак (КРЯ).Бор диффуцдирует в основу в течение 180 лик прц температуре 1100 С через указанные, лишенные окисной пленки, части пленки для образования слоя 14 с Р-проводимостью. В этом слое образуется за счет диффузии присадок Ь типа участок 15 истока, участок 1 б стока полевого транзистора МОЯ и участок 17 катода диода. Диффузию указанной присадки типа Л производят обработкой основы в атмосфере влажного кислорода при температуре 1100 С для образования пленки из окиси кремния, имеющей толщину 3000 А,После этого части пленки 18 из окиси кремния, образованные на поверхности основы 13, устраняют и через устраненные части пленки наносят методом осаждения в вакууме слой алюминия на основу для образования электрода 19 стока, катода 20 и анода 21. 5 10 15 20 25 зо 35 40 45 1-1 а этом промежутке пленки из окиси кремния, расположенной между электродом 22истока и электродом 19 стока, имеется осажденная прослойка алюминия, образующаяэлектрод 23 затвора. Клемма 24 соединена сэлектродом 22 истока, который также заземлен через резистор 25. Электрод 23 и катод20 диода электрически соединены, а к аноду21 диода подключена клемма 2 б, Эти соединения легко выполняют путем нанесения алюминиевой пленки на пленку окиси кремниялибо применением проволочных выводов. Изэлектрода 19 выведена клемма 27,На фиг. 4 показан аналогичный запоминающий элемент на кремниевой основе Лгь типа,на которой образован МОЯ-транзистор с полевым эффектом.На участке 17 катода, включенном вР-слой 14, имеется Р-проводимость слоя 28анода.В предыдущей конструкции слой анодадиода изготавливается в слое с Р-проводимостью 14, в то время как в этой конструкциислой 28 анода формируется в слое катода,к которому подведена клемма 26.Запоминающий элемент, цоказацный нафиг, 4, имеет повышенное обратное напряжение пробоя диода, так как слой 28 анода содержится в слое катода.Фцг. 5 изображает модификацшо запоминающего элемента по фиг. 3. В модифицированном устройстве Р - переход 14, образованный на кремниевой основе 13 Я типа,содержит первую и вторую области 29 и 30.Первая область 29 содержит МОЯ-транзистор, а вторая область 30 - область катодаР типа.Запоминающий элемент, как это следует и.фиг. 5, может быть легко использован сов.местно с другими электронными схемами, вчастности, степень дробления может возрастать, так как первая и вторая областис Р-проводимостью изолированы одна от другой основой Ж типа. Предмет изобретения Запоминающий элемент транзисторного типа, отличаюи 1 ийсл тем, что, с целью упрощения, он выполнен на одном транзисторе типа М 08 с полевым эффектом и полупроводниковом диоде, который подсоединен к затвору указанного транзистора.оставитель В. Рудаковхред А. Камышникова Гревцова рузова рект акто Заказ 673/15 Изд.190 Тираж 448 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5 ипография, пр. Сапунова,7 Вф 7 ЦФ 22 7 В 2 У 75 0 Засигнялаа;,0 5 7 б 77 Ь 7Фиг.4