Запоминающий элемент

Номер патента: 1697118

Опубликовано: 07.12.1991

Авторы: Гусева, Сидоренко, Стиканов

МПК: G11C 7/00

Метки: информации, памяти, полевых, сигналов, считывания, транзисторах, формирователь, элементов

...информации пороговое напряжение опорного транзистора 4 становится отрицательным.Подбором геометрических размеров транзисторов 2 и 4 добиваются того, что в этом случае потенциал в узле А становится ниже потенциала запирания транзистора 8 и выход 11 начинает заряжаться от шины 9 пИтания через транзисторы 1,5, причем размером транзистора 5 регулируется ток (постоянная времени заряда выхода 11). С повышением напряжения на выходе 11, а следовательно и на истоке транзистора 4 пороговое напряжение. последнего возрастает и при достижении определенной величины становится равным нулю, Транзистор 4 (опорный элемент памяти) закрываетсяа потенциал в узле А становится равным напряжению питания, что достаточно для запирания транзистора 3,В...

Номер патента: 868834

Опубликовано: 30.09.1981

Авторы: Коняев, Наймарк

МПК: G11C 15/04

Метки: ассоциативный, запоминающий, мдп-транзисторах, элемент

...Анод фотодиода подключен кстоку одного из управляющих транзисторов.5При переходе этого элемента из режима оптической эаниси к режиму запоминания коммутируется один иэ нагрузочных НДН"транзисторов, что приводитк несимметричной помехе через паразит- Оный конденсатор, образуемый затвороми стоком транзистора в плечах триггера и снижает фоточувствительность, аследовательно, и надежность элемента.Кроме того, элемент содержит большое число транзисторов, что увеличивает габариты,Цель изобретения - повышение надеж.ности и упрощение элемента,Поставленная цель достигается тем,что в ассоциативный запоминающий элемент на МДП-транзисторах, содержащийуправляющие транзисторы, истоки которых соединены с соответствующими разрядными шинами,...

Номер патента: 542243

Опубликовано: 05.01.1977

Автор: Барашенков

МПК: G11C 15/04

Метки: ассоциативный, запоминающий, мдп-транзисторах, элемент

...эткрывается транзистор записи 2 и заряжается конденсатор 4 в зависимости отзначения сигнала "0" или "1 ф, подаваемэгэна числовую шину 5 при нулевом потенциале шины опрэса 8 и шины считывания 6.В режиме считывания информации принулевэм потенциале на шине записи 7 подается импульс на шину эпроса 8, а затемимпульсом, подаваемым пэ шине считывания 6, открывается транзистор 1. 20В случае, если конденсатор 4 заряжен(хранит ф 1 ф), заряжается паразитный кэнденсатор 11, при незаряженнэм конденсаторе 4 (хранит "0") конденсатор 11 не заряжается, чем обуславливается дискриминадия сигнала на числэвой шине 5,При пэиске информации элемент работает следующим эбразэм.В режиме пэиска на числовую шину 5подается импульс, кэтэрый через транзистэр 1,...

Номер патента: 765873

Опубликовано: 23.09.1980

Авторы: Исаева, Невядомский

МПК: G11C 7/10

Метки: записи-считывания, запоминающих, устройств, формирователь

...проводимостей транзистора 2 и МДПрезисторавозрастает,Вследствие этого через открытый транзистор 2 на затвор управляющего транзистора 3 поступает напряжение, достаточное дляего отпирания, Соотношение проводимостей. управляющего транзистора 3 и МДП-резистора 6 выбрано таким, что на шине выбранэю ной строки накопителя устанавливается напряжение + 5 В. Если одновременно на изолированную подложку подать напряжениестирания амплитудой - 30 В, то в ячейкахвыбранной строки происходит стирание ин 46формации. При работе формирователя наневыбранную строку иа словарную шину 9из дешифратора поступает напряжениелог. О.В этом случае коммутирующий транзистор 2 и транзистор 5 считывания закрыты,м а через МДП-резисторемкость затворауправляющего...

Номер патента: 1064471

Опубликовано: 30.12.1983

Автор: Быков

МПК: H03K 19/094

Метки: логический, мдп-транзисторах, многофункциональный, элемент

...транзисторы р-типа, включенные последовательно, две информационные шины, шины прямого и инверсного сигналов" ;65 управления, сток первого информационного транзистора п -типа соединен с общей шиной, сток первого нагрузочного транзистора р-типа соединен с шиной источника питания, затворы первого информационного п -типа и первого нагрузочного р-типа транзисторов соединены с первой информационной шиной затворы второго.информационного и -типа и второго нагрузочного р-типа транзисторов соединены с второй информационной шиной, затвор первого коммутирующего транзистора о -типа соединен с шиной прямого сигнала управления, введены второй коммутирующий тоанзистоо р-типа. который включен последовательно с фпервым и вторым нагруэочными...