Ячейка памяти
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
/ф 1 ции00, оп ГОСУДАРСТВЕННЫИ КОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИ ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ(71) Днепропетровский государственный университет им. 300-летия воссоединения Украины с Россией(57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть исполь -зовано в репрограммируемых запоминающих устройствах, Цель изобретенияповышение быстродействия ячейки.Ячейка памяти содержит подложку,электроды и активный элемент из полупроводникового стекла. Запись и стирание информации осуществляются подачей разнополярных импульсов напряжения на соответствующие электроды.При записи (стирании) между одной парой электродов формируется низкоомное состояние активного элемента,между другой парой - высокоомное.Стирание осуществляется изменениемполярности импульсов. 1 ил.каз 3116/49 Тираж 589 Подп .=:-:.ВНИ 11 П 1 пр тиег- ж. Ород улПр Оекнаяпроизв . - пол 113255Изобретение относится к вычислительной технике, может быть использовано в репрограммируемых запоминающих устройствах.Целью изобретения является повыше 5 ние быстродействия ячейки памяти.На чертеже представлена конструкция ячейки памяти,Ячейка памяти состоит из диэлектрической подложки 1, на которую нанесены электроды 2 и 3 записи и электроды 4 и 5 считывания. На подложку 1 и электроды 2 - 5 нанесен слой 6 полупроводникового стекла. Расстояние между электродами 2 и 3 записи не ме - нее чем на порядок больше расстояния между электродами 2,4 и 3,5. Расстояния между электродами 2,4 и 3,5 одинаковы.20Ячейка работает следующим образом, Запись и стирание информации осуществляется одновременной подачей разнополярных импульсов напряжения с одинаковой длительностью и амплиту дой на электроды 2 и 3 записи. Для считывания информации используются электроды 2 и 4 или 3 и 5. В исход - ном состоянии сопротивление стекла между электродами 2-5 велико, При за О писи между электродами 2 и 3 записи и ближайшим электродом 4 считывания формируется низкоомный канал, для другой пары электродов 3 и 4 обеспечивается высокоомное состояние стекла, Если низкоомное состояние стекла 62 2отвечает логическому нулю, то высокоомное - логической единице. Для перезаписи (стирания) информации доста - точно изменить полярность импульсов, прикладываемь 1 х к электродам 2 и 3 записи. При этом низкоомный канал, замыкающий одну пару электродов (например, 3 и 5) разрушается, а для другой пары (соответственно 2 и 4) Формируется. За пределами пар элек - тродов 3,5 и 2,4 сохраняется высокоомное состояние стекла.В качестве подложки можно использовать ситалл, для изготовления электродов - платину (можно золото, никель), в качестве стекла используют Формула. из о бр ет ения Ячейка памяти, содержащая диэлектрическую подложку, электроды записи и считывания, расположенные на поверхности диэлектрической подложки, слой из полупроводникового стекла, размещенный на поверхности диэлек - трической подложки с частичным перекрытием краев электродов, о т л ич а ю щ а я с. я тем, что, с цельюповышения быстродействия, в ячейкупамяти введены два дополнительныхэлектрода, расположенные на поверхности диэлектрической подложки между двумя основными электродами
СмотретьЗаявка
3975669, 10.11.1985
ДНЕПРОПЕТРОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. 300-ЛЕТИЯ ВОССОЕДИНЕНИЯ УКРАИНЫ С РОССИЕЙ
ИВОН АЛЕКСАНДР ИВАНОВИЧ, ЧЕРНЕНКО ИВАН МИХАЙЛОВИЧ, АНДРЕЕВ АНАТОЛИЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ, ТКАЧЕНКО ПЕТР ЮРЬЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: G11C 11/34
Опубликовано: 23.07.1987
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1325562-yachejjka-pamyati.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Ячейка памяти</a>
Предыдущий патент: Накопитель для доменного запоминающего устройства
Следующий патент: Способ изготовления элемента памяти
Случайный патент: Электрический соединитель с нулевым усилием стыковки