Энергонезависимое запоминающее устройство с резервным источником питания

СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСНИХРЕСПУБЛИК 4 6 11 С 11 34 ф;.ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ(у т,Ф с АВТОРСКОМУ С ЕЛЬСТ С Ж ГОСУДАРСТВЕННЫИ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ(54) ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЕ ЗАПОМИНАЮШЕЕ УСТРОЙСТВО С РЕЗЕРВНЫМИСТОЧНИКОМ ПИТАНИЯ(57) Изобретение относится к вычислительной технике, конкретно - к технике храненияинформации. Оно может быть использовано ЯО 1381596 А 1 в вычислительных системах, где требуется сохранение информации при отключении питания. Цель изобретения - увеличение времени хранения информации при отключении основного источника питания. Устройство содержит микросхемы 1 памяти, характеризуемые микромощным режимом хранения информации, основной источник 2 питания, раздел ительный элемент 3, резервный источник 4 питания, выполненный в виде емкостного накопителя, разделительный элемент 5, дополнительный источник 6 питания, токостабилизирующий элемент 7, выполненный в виде полевого транзистора 8 с и-каналом. Устройство позволяет существенно увеличить время хранения информации. 2 ил.Изобретение относится к вычислительной технике, конкретно к технике хранения информации и может быть использовано в вычислительных системах, где требуется сохранение информации при отключении питания.Цель изобретения - увеличение времени хранения информации при отключении основного источника питания.На фиг. 1 показан пример реализации предлагаемого устройства; на фиг. 2 - зависимость, характеризующая эффективность его работы.Устройство содержит микросхемы 1 памяти, характеризуемые микромощным режимом информации (налример, КМОП ОЗУ) основной источник 2 питания (Ч), подключенный к входам питания микросхем 1 через разделительный элемент 3 (например, диод), резервный источник 4 питания, выполненный ввиде емкостного накопителя, соединенный через второй разделительный элемент 5 (например, диод) с дополнительным источником 6 питания с напряжением, превышающим предельно допустимое напряжение питания микросхем (Чг) и токостабили. зируюший элемент 7, выполненный, например, в виде полевого транзистора 8 с п-каналом, включенного между емкостным накопителем 4 и входами питания микросхем 1, и потенциометра 9, служащего источником опорного напряжения и подключенного к затвору транзистора 8.Коэффициент деления потенциометра 9 равенЪ р,чинотс ЧотсЧ р мин Чр мин (1)где Ч- напряжение отсечки транзистора 8 (для полевого транзистора с п.каналом напряжение отсечки отрицательно).Устройство работает следующим образом.Если источники 2 и 6 питания исправны, то диоды 3 и 5 открыты, микросхемы 1 памяти питаются напряжением Ч от основного источника 2, а накопитель 4 через диод 5 заряжен от источника 6 до напряжения, близкого к Чг При использовании, например, в качестве микросхем 1 памяти КМОП ОЗУ напряжения источника 2 питания должно быть равным Ч= +5 В+ 1 Оо; минимальное значение этого напряжения равно Ччнн= = 4,5 В. Источник 6 питания должен иметь напряжение Чг, существенно превышающее Ч, в бортовых устройствах в качестве источника 6 может быть использована борт- сеть с напряжением Чг= +27 В.При включенном источнике 2 литания на. пряжение на истоке транзистора 8 устанавливается равным Ч) Ч.р., а на затвореК=Ч + - , Ч. Ъ) Чр чинТак как напряжение между затвором иистоком(3) то транзистор 8 оказывается закрытым, В -этом случае питание микросхем 1 памяти осуществляется от источника 2 питания, а источник 6 служит только для заряда емкостного накопителя 4 до напряжения, близкого к ЧгПри отключении основного питания (источников 2 и 6) напряжение питания микросхем 1 падает до значения Чр мин, напряже ние на затворе транзистора 8 становится рав- ным 7 н р= Чр мин К= (р мин+ Чотс (4)7 а напряжение между затвором и истокомдостигает величины(5) Ъ мр= Чн - Чр чин= Нотс лри которой начинается открывание тран зистора 8.При этом питание микросхем 1 осуществляется через транзистор 8 от емкостного накопителя 4 током 1.р, который определяется количеством и типом микросхемпамяти и величиной напряжения Чр чин, 30(6.сде С. - емкость накопителя 4 и 1 р - егсуммарный ток утечки. Вел но дол тания. литани тояние ние пит копите ния Ч,Уст личитьичина Я (6) определяет максимальустимую длительность перерыва пиПосле включения источников 2 и 6 я восстанавливается исходное сосна микросхемах 1 памяти напряжеания нарастает до величины (.) ь а наль вновь заряжается до напряжет существенно увеинформации. иство позвол емя хранени Транзистор 8 и потенциометр 9 представляет собой источник тока, управляемый напряжением, при чем в качестве управляющего используется напряжение отрицательной обратной связи (Чт), снимаемое через 35 потенциометр 9 с выхода указанного источника (Чрнии). В силу этого ток 1.р, протекающий через транзистор 8, будет оставаться приблизительно постоянным в течение всего времени разряда емкостного накопителя 4 до напряжения ЧгминЧр чинВремя хранения информации, равное времени разряда накопителя 4, оценивается выражением:Фиг.2 с е тавительед И. Ве ж 590 та СССР 35, Рау предприя Редактор М. ТовтинЗаказ 82449ВНИИПИ Государственн13035, МПроизводственно-полиг ТехТираго комитеква, Ж -фическое формула изобретенияЭнергонезависимое запоминающее устройство с резервным источником питания, содержащее основной источник питания, выход которого через первый разделительный элемент подключен к входам питания микросхем памяти, резервный источник питания, выполненный в виде емкостного накопителя, второй разделительный элемент и токостабилизируюший элемент, отличающееся тем, что, с целью увеличения времени хранения информации при отключении основного источника питания, устройство содержит дополнительный источник питания с напряжением, превышающим предельно допусти мое напряжение питания микросхем памяти, выход дополнительного источника питания через второй разделительный элемент подключен к емкостному накопителю, выход которого через токостабилизируюший элемент подключен к входам питания микросхем памяти.. Шустенкор с Корректор М, ПожоПодписноепо делам изобретений и открытийшская наб., д. 4/5тие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4