Патенты с меткой «мноп-структуре»

Номер патента: 978194

Опубликовано: 30.11.1982

Авторы: Плотников, Сагитов, Селезнев

МПК: G11C 11/34, G11C 11/40

Метки: запоминающем, информации, мноп-структуре, устройстве, хранения

...с периодом следования(10 -10) с.Указанные импульсы на состояние сзвахватом электронов (чему соответстВует положительный знак напряженияплоских зон) и инверсное состояниеполупроводника действуют следующимобразом, Поскольку их амплитуда боль-(Оше максимального напряжения плоскихзон, результирующее поле полупроводника, складывающееся из поля накоп-ленного заряда и внешнего поля, вызывает аккумуляцию основных носителей 15заряда (электронов). Т.е. в течениедействия импульса приповерхиостнаяобласть полупроводника находится вобогащенном режиме. Плительность импульса достаточна для рекомбинацииэлектронов и образовавшихся до начала импульса дырок, после окончанияимпульса. полупроводник находится всостоянии обеднения, Если период следования...