Интегральный элемент памяти для репрограммируемых постоянных запоминающих устройств

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИРЕСПУБЛИК 3(5911 С 17/О ЫЙ КОМИТ БРЕТЕНИЙ И СССРКРЫТИЙ ГОСУДАРСТВ ПО ДЕЛАМ И НИ ыр ктронной 538, кл. 365.96, 2, кл. 365,163,ЭЛЕМЕНТ МИРУЕМЫХ ЮЩИХ УСТЮ 1 ОПИСАНИЕ ИЗОБ АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ(71) Московский институт элтехники(54) (57) ИНТЕГРАЛЬНЫЙПАМЯТИ ДЛЯ РЕПРОГРАМПОСТОЯННЫХ ЗАПОМИНА 081667 А РОЙСТВ, содержащий полупроводниковую подложку, на которой расположена токо- проводящая шина из легированного кремния и развязывающий диод с п- и р-областями, на поверхности п-области которого расположен изолирующий слой из окисла кремния, а на поверхности р-области - первый металлический электрод из алюминия, на котором размещен аморфный запоминающий слой, на поверхности которого размещен барьерный слой, и второй металлический электрод из алюминия, размещенный на поверхности запоминающего слоя, отличаю- щийсФ тем, что, с целью упрощения элемента памяти, барьерный слой выполняется из окисла кремния толщиной 50 - 60 А.1081667 Составитель В. Вакар Редактор А. Козориз Техред И, Верес Корректор М Демчик Заказ 1554/45 Тираж 575 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 13035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к элементам памяти для репрограммируемых постоянных запоминающих устройств,Известен интегральный элемент памяти (ЭП) для репрограммируемых постоянных запоминающих устройств (РПЗУ), содержащийфизолирующую подложку, на которой сформирован двухслойный металлический нижний электрод, запоминающий слой из СдАзизолирующий материал из ЯО и двухслойный, металлический верхний электрод 11Недостатком ЭП является сложная конструкция заключающихся в многослойной структуре электродов и ЭП в целом.Наиболее близким техническим решением к изобретению является ЭП для РПЗУ, содержа щи й полуп роводниковую подложку, на которой расположена токопроводящая. шина из легированного кремния, развязывающий диод с р- и п-областями, нижний металлический электрод, изолирующий слой, запоминающий слой из аморфного материала, первый барьерный слой из кристаллического теллура, второй барьерный слой из молибдена или титано-фольфрамового сплава и верхний электрод из алюминия 2.Недостатком известнсго ЭП является сложная конструкция, что заключается в многослойной структуре барьерного слоя,Цель изобретения - упрощение элемента памяти.Поставленная цель достигается тем, что в интегральном элементе памяти для репрограммируемых постоянных запоминающих устройств, содержащем полупроводниковую подложку, на которой расположена токопроводящая шина из легированного кремния и развязывающий диод с п- и р-областями, на поверхности и-области которого расположен изолирующий слой из окисла кремния, а на поверхности р-области - первый металлический электрод из алюминия, на котором размещен аморфный запоминающий слой, на поверхности которого размещен барьерный слой, и второй металлический электрод из алюминия, размещенный на поверхности запоминающего слоя, барьерный слой выполняется из окисла кремниятолщиной 50 - 60 А.На фиг.представлен предлагаемыйЭПРПЗУ,ЭП содержит полупроводниковую подложку 1, токопроводящую шину 2, развязывающий диод с и- и р-областями 3 и 4 соответственно, изолирующий слой 5, первыйметаллический электрод 6, запоминающийслой 7, барьерный слой 8 и второй металлический электрод 9.ЭП работает следующим образом.ЭП характеризуется двумя устойчивымисостояниями - высокоомным и низкоомным,которые соответствуют состояниям ЭПВыключено и Включено, Свежеприготовленные ЭП находятся в состоянии Выключено. При этом сопротивление составляет1 МОм. Переход ЭП из состояния Выключено в состояние Включено осуществляет 20 ся путем подачи на него серии импульсов соследующими параметрами, длительность импульса= 1 - 1,5 мс и ток в импульсе3 = 5 - 8 мА. При подаче на ЭП данныхимпульсов в запоминающем слое из амор 25ф ного материала происходит локальнаякристаллизация с образованием кристаллического шнура тока, диаметр которого 1 -2 мкм. Активное сопротивление ЭП в состоянии Включено -1 кОм.Переход из состояния Включено в сос 30 тояние Выключено осуществляется разрушением кристаллического шнура проводимости путем приложения к ЭП короткихтоковых импульсов со следующими параметрами: длительность импульса Ч = 0,5 -1,0 мкс и ток в импульсе Ла 30 мА.З 5 ЭП обладает симметричными вольт-амперными характеристиками и сохраняетсостояние Включено и Выключено неограниченно долго при отключении источникапитания. 40 Предлагаемый ЭП отличается простотои и н конструкции и возможностью совместить технологию его изготовления с технологией изготовления интегральных микросхем.