Элемент памяти

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(22) Заявлено 21,07. 81 (21) 3321481/18-24 А%11 М Кп ЗС 11 С 11/34 с присоединением заявки Мо(23) Приоритет Государственный комитет СССР по делам изобретений и открытий(54) ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ Изобретение относится к вьтчислительной технике, в частности к оперативным запоминающим устройствам (ОЭУ) на основе МОП- или МНОП-структур. 5Известны элементы памяти, представляющие собой структуру металл- диэлектрик - полупроводник (МОП и МНОП), в которых запись и стирание запоминаемой информации осуществляется электрическим полем 1 1.Недостатком этого элемента памяти является отсутствие оперативного управления длительностью сохранения информации.Наиболее близким по технической сущности к изобретению является элемент памяти, содержащий диэлектрическую подложку, на которой расположен слой Фоточувствительного-монокристал- ла Сс 15 с двумя параллельно размещенными электродами сток-исток, выполненными, например, из индия, над которыми размещен изолирующий слой, выполненный, например, из слюды, на поверхности которой расположен третий электрод перпендикулярно относительно электродов сток-исток2.Недостаком известного элемента памяти является малая длительность сохранения информации при комнатной . температуре, которая не превышаетдесятков минут. Целью изобретения является повышение надежности элемента памяти.Указанная цель достигается тем, что элемент памяти содержит дополнительный изолирующий слой, выполненный, например, из непрозрачной слюды, и размещенный над третьим электродом в месте расположения электрода сток.На Фиг. 1 представлен предлагаемый элемент памяти; на фиг. 2 - элект рическая схема включения элемента памяти; на Фиг. 3 - динамика записи, длительность хранения и стирания инФормации в известном (а) элементе па" мяти и в предлагаемом (в).Элемент памяти содержит фоточувствительный монокристалл Сс 15. 1, электроды сток - исток 2, диэлектрическую подложку 3, третий электрод 4, изолирующий слой 5, дополнительный изолирующий слой б, источник питания 7, нагрузочное сопротивление 8, выход схемы 9-10 включения, с которого производится опрос элемента памяти, входы 11 и 12 схемы, куда подается запоминаемый сигнал - импульс постояннога электрического напряжения ИП .Элемент памяти получают следующимобразом.На Фоточувствительном высокоомном,монокристалле ОЙЯ 1, со средними размерами 0,5 х 0,15 М 0,005 см 3, расположенном на диэлектрической подложке 3из относительно толстой (с 1 ) 300 мкм)слюды, создаются два токовых (омических) электрода 2 из индия, которые,являются цепью сток-исток, и третийоднороднополупрозрачный, изолированный от Фоточувствительного монокристалла 1 тонким (й - 8-10 мкм) изолирующим слоем 5 из слюдяной пластинки,перпендикулярно расположенный относительно электродов 2, полученныйкатодным распылением платины на поверхность слюдяной пластины 5 (фиг.1).На однороднополупрозрачную металлическую пластину, которая являетсятретьим электродом 4, над электродом. сток 2 наклеивают специальным клеемсветонепропускающую диэлектрическуюпластину - полоску из непрозрачнойслюды шириной 1 500 мкм, котораяявляется дополнительным изолирующимслоем б,Аналогичные результаты дает и дру"гой вариант исполнения, заключающийсяв образовании более толстого светонепропускающего слоя из платины (ширинойЙ500 мкм),30Принцип-работы предлагаемого элемента памяти заключается в следующем.На входы 11 и 12 элемента памяти,равномерно освещаемого монохроматическим светом(Х = 0,48 нм) при комнатной температуре (Т = 300 К) подается запоминаемый П-импульс постоянного поперечного электрическогонапряжения длительностью порядка миллисекунд и больше и амплитудой порядка 11 П = 100 В и выше. После действияП-импульса постоянного напряжения(записываемый сигнал) происходит резкое, практически до нуля, уменьшение Фототока в течение некоторого 45промежутка времени (фиг. За) . Этовремя намного раз превышает длительность П-импульса и соответствуетвремени запоминания. Таким образом,запоминаемый сигнал поступает в эле- ъОмент памяти в виде П-импульса электрического напряжения и отсутствие стационарного Фототока в цепи сток - истоксоответствует хранению записанной информации, а наличие Фототока ее отсутствию. При наличии дополнительного изолирующего слоя б, при тех же условиях, при которых производилась запись и стирание информации в известном элементе памяти увеличивается в несколько раз и достигает часа и больше (фиг. Зб). Данная длительность времени 2 э соответствует определенной величине запоминаемого напряжения, подаваемого на вход 11 и 12 элемента памяти, и интенсивности освещения. Увеличение интенсивности освещения в 2 раза уменьшает б 3 в 10 раз и наоборот, а увеличение амплитуды поступающего сигнала 11 п в 2 раза увеличивает Ж в несколько раз и наоборот, Эти времена колеблются от 2 мкс до 100 минТаким образом, вданном элементе памяти длительность хранения информации оперативно управляема, Это свойство качественно отличает предлагаемый элемент памяти от элемента памяти на основе МНОП-структур, он более надежен в работе по .сравнению с известным элементом.Формула изобретенияЭлемент памяти, содержащий диэлектрическую подложку, на которой расположен слой фоточувствительного монокристалла ЫЯ с двумя параллельноразмещенными электродами сток-исток,выполненными, например из индия, надкоторыми размещен изолирующий слой,выполненный, например из слюды, наповерхности которой расположен третийэлектрод перпендикулярно относительно электродов сток-.исток, о т л ич а ю щ и й с я тем, что, с цельюповышения надежности элемента памяти,он содержит дополнительный изолирующий слой, выполненный, например изнепрозрачной слюды, и размещенныйнад третьим электродом в месте расположения электрода сток.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Патент США Р 4090258,кл. 340-173, 1978.2. Авторское свидетельство СССРР 193157, кл. С 11 С 11/34, 1967983754 Составитель В. Вакардактор Н. Лазаренко Техред З,Палий Корректор Л, Бокш Зака атент", г, Ужгород, ул. Проектная, 4 лиал .ПП 33/61 Тираж 622 ВНИИПИ Государственного по делам изобретений 13035, Москва, Ж, Раукомитета открытий кая наб дписноеСР4/5 .