Элемент памяти

Номер патента: 1287231

Опубликовано: 30.01.1987

Авторы: Свердлов, Соскин

МПК: G11C 11/40

Метки: варианты, его, записи, информации, канальном, моп-транзисторе, памяти, элемент

...электронов из объемной части истокового р-и перехода в объем подложки, В результате концентрация электронов в подложке транзистора возрастает.Эти электроны, попадая в ОПЗ, созданную затвором под каналом транзистора, увлекаются полем к поверхности, приобретая энергию, достаточную для преодоления барьера между крем,нием и окислом.Процесс инжекции из подложки происходит при меньших потенциалах ижектирующей области, чем инжекция иэ канала. Поэтому плавающий затвор при таком процессе получает больший заряд, что ведет к большему сдвигу порогового напряжения, т.е. более эффективной записи.Вторичный пробой стокового р-и пе рехода транзистора может быть вызван различными путями: увеличением стокового напряжения при записи; подачей на...

Номер патента: 752602

Опубликовано: 30.07.1980

Автор: Реморов

МПК: H02H 7/10

Метки: защиты, перегрузок, регулирующего, силового, току, транзистора, элемента

...элемента и один из выводов резисторного датчика 7 тока, аколлектор через резистор 10 соединенкатодом стабилитрона 11, анод которого соединен с выходной клеммой2 устройства, и анодом первого развязывающего диода 12, катод которого через ограничивающий резистор 13соединен с базой транзистора 14 второго каскада защиты, переход коллектор-эмиттер которого подключенсоответственно между управляющей 3и ныходной 2 клеммами устройства, ачерез последовательно соединенныеконденсатор 15 и резистор 16 - к базе дополнительного транзистора 17,положительной обратной связи, коллектор которого через резистор 18 подключен к базе входного транзистора8 каскада защиты, а нторой раэвязывающий диод 19 катодом подключен кточке соединения конденсатора...

Номер патента: 1035588

Опубликовано: 15.08.1983

Авторы: Бурцев, Снегирев

МПК: G05F 1/58

Метки: защиты, перегрузок, регулирующего, силового, току, транзистора, элемента

...ограничивающий резистор 13 соединен с баэбйтранзистора 14 второго каскада защиты, переход коллектор-эмиттер которого подключен соответственно междууправляющей 3 и выходной 2 клеммами устройства, а через последовательно соединенные конденсатор 15 и резистор 16 - к базе дополнительноготранзистора 17, коллектор которогочерез резистор 18 подключен к базевходного транзистора 8 каскада за-,щиты, а второй развязывающий диод19 катодом подключен к точке соединения конденсатора 15 и резистора 16и анодом - к выходной клемме 2 устройства, диод 20, соединенный катодом с эмиттерами входного транзистора 8 первого каскада защиты и первого согласующего транзистора 5 регулирующего элемента, при этом аноддиода 20 соединен с входной клеммой 1...

Номер патента: 797074

Опубликовано: 15.01.1981

Авторы: Грибов, Шафранский, Якушев

МПК: H03K 19/21

Метки: исключающеене-или, логический, мдп, транзисторах, элемент

...тора р-типа подключен к выходнойшине, а исток - к выходу инвертора.На чертеже представлена электрическая принципиальная схема логического элемента "Исключающее НЕ-ИЛИ"на МДП-транзисторах.5В логическом элементе иивертор 1,выполненный на комплемеитарной паре транзисторов 2 и 3, включен между шиной питания 4 и общей виюной 5, выход инвертора 1 подключен м,затвору транзистора б р-тина двунаправленного ключа 7, а .вход - к первой входной шине 8, на которую поступает сигнал А, к затвору транзистора 9 и-типа двунаправлеийого ключа 7 и к истоку транзистора 10 д-типа, сток 15 которого подключен к выходной шине 11, на которой формируется выходной сигнал 5 , и к стокам транзисторов б и 9 двунаправленного ключа 7, а затвор - к истокам транзисторов...

Номер патента: 1034191

Опубликовано: 07.08.1983

Авторы: Косоусов, Максимов, Петричкович

МПК: H03K 19/23

Метки: комплементарных, махоритарный, мдп, транзисторах, управляемый, элемент

...и 4, при этом параллельно транзистору 3 подключен третий-канальный транзистор 5.Вторая ветвь содержит последовательно включенные И -канальные чет-. вертый и пятый транзисторы б и 7 и шестой й-канальный транзистор 8, подключенный параллельно пятому транзистору 7, и включена между выНедостатком элемента являетсянизкое быстродействие, обусловленноебольшой паразитной емкостью выходной шины, образуемой стоками шестиМДП-транзисторов.Цель изобретения - повышениебыстродействия управляемого мажори-тарного элемента.Для достижения поставленной целив управляемом мажоритарном элементе 10 на комплементарных МДП-транзисторах,содержащем первую ветвь, включенную между шиной питания и выходнойшиной и состоящую из последовательно включенных первого и...