Трица памяти

26928 Сосоз Советских Социалистических Республиксвидетельства М9 ( 1324184/18-24) ависихсое от авт. аявлео 04,11.19 Кл, 21 ат, 37/6 нением з с прис С(РС О делам омит 1 с 11 риоритет изобретений и открытий при Сосете Мииистров СССРОпубликовано 1 "т/.1970. Вюллетессь Лд 15 681,327.66 (088.8) Лата опубликования оп:,ссансся 8.Х.1 Авторыизобретения В. Дубровский, Е, В, Бурнин, В. М. Терех сильниковЪ явитель АТРИ ЦА ПАЯЯ Изобретение относится к области запоминающих устройств.Изьзестьсьс конструкцсссс запоминающих матриц, в которых элементы памяти герметизируют путем заливки разного рода материалами. При этом предполагается непосредственный контакт заливочного материала и ферромагнитной пленки.Однас(о при отвержденьссс заливочного материала происходит усадка последнего, в результате чего в пленке возникают механические напряжения, приводящие к ухудшеншо магнитных свойств элемента памяти; несоответствие температурных коэффициентов расширения ферромагнитной пленки и заливочного материала также гриводит к появлению механических напряжеьсий в пленке при изменении температуры охлаждающей среды, что существенно ухудшает рабочие характе. пистики запоминасощей матрицы.Известна матрица памяти, содержащая основание с отверстиями и магнитные пленки, нанесенные на цилиндрические подложки с уссравльсющссми шинамьс.В этой матрице подложки с нанесенной на них ферромагнитной гсленкой помещаются в специальные отверстия в основаьиш матрицы. Однако надежная герметизация и возможность замены элементов памяти в случае вьсхода их из строя исключают друг друга,7поскольку герметизация предполагает заливк 1 Всех зьсзоров между элементами сс отверстиями матрицы; удаление элементов памяти после герметизации становится невозможным 5 без разрушения основания матрицы и элемента памяти; при отсутствии герметизации замена элементов памяти возможна, однако в этом случае в процессе эксплуатации элементы памяти подвергасотся вредному воздей ствшо окружающей среды (повьсшенной влажности, аров агрессивных жидкостей и пр.), что может привести к выходу устройства из строя.Цель предлагаемого изобретения заклю;ается в следуюсцем: устранение влияния заливочного материала на магнитные свойства ферромагнитной пленки и возможность замены в матрице элементов памяти после их герметизации без нарушения конструкции.20В предлагаемой матрице эта цель достигается ссутехс помещения цилиндрической подложки, на которую нанесена ферромагнитная пленка, в немагнитную диэлектрическую тон костенную трубку.Концы трубок заливают компаундом, а сами оии помещаются в отверстия основания матрицыНа фиг. 1 изображен элемент памяти с ши ьсами записи и съема сигнала. помещенныйв защитную трубку, без герметизации заливочным материалом; на фиг. 2 - герметизированный элемент памяти с шинами управления, обший вид в разрезе; на фиг. 3 - основание матрицы с помещенными в него герметизированными элементами памяти; на фиг. 4 - основание матрицы с герметизированными элементами памяти в разрезе (разрез дан в плоскости адресных шин). Элемент памяти, состоящий из подложки 1, представляющей собой либо проволоку, либо диэлектрическую. трубку, и ферромагнитной пленки 2, осажденнОГ 11 а эту подложку, помещен в диэлектрическую немапитную трубку 3. Внутренний диаметр трубки 3 несколько больше наружного диаметра подлояки с ферромагнитной пленкой, Длина подложки превосходит длину защитной трубки на величину, определяемую конструкцией матрицы. Участки подложки с ферромагнитной пленкой, выступающие из пределы защитной трубки, не используются для хранения информации, Если в качестве подложки используется проводящий аериал, то сама Подложашиной записи и съема сигнала. В случае использования диэлектрической подложки в виде трубки, последняя прошивается двумя управляюгцими шинами 4 и 5, одна из которых является шиной записи, другая - шиной съема сигнала. Выступающие концы подложки и торцы защитной трубки залиты эластичным заливочным материалом б (см. фиг. 2),Герметизированные элементы памяти с уп 5 равляющпми шинами 4 и 5 помещены в отверстия 7 основания 8 матрицы, как показанона фиг. 3. Основание матрицы выполнено пзизоляционного материала и армированоадресными шьгнами 9 таким Образо, чтО от 10 перстня основания совпадают с отверстиямиадресных шин (фиг. 4).Концы шин записи, съема сигнала и адресаприсоединены к контактному обрамлениюматрицы. Б случае выхода из строя элемента15 памяти замена последнего не вызывает затруднений, поскольку после отсоединения шип4 и б записи и сьема сигнала от контактногообрамления герметизированный элемент памяти легко извлекается из основания и заме 20 няется годным,Предмет изобретенияМатрица памяти, содержащая основание сотверстиями и магнитные пленки, наььесенные 25 па цилиндрические подпои;ки с исправляющими шипами, отличагоггЬиггг:я тем, что, с целью герметизации и возможности замены пленок, подложки с пленками помещены в диэлектрические немагнитпые трубки, концы трубок за литы компаундом, а сами трубки помеценыв отверстия основания матрицы.9 иг.г оставитель А. А. Сокол рректор Е. В, фом хред А. А. Камышников пакт кина пография, пр. Сапунова, 2 Заказ 239611.1 НИИПИ Комитета по делам изМосква,Тираж 480ретений и открытий при Совете Мини35, Раушская наб., д. 4/5 одписное в СССР