Способ изготовления тонконленочных элементов памяти

Номер патента: 277863

Авторы: Институт, Кон

ZIP архив

Текст

О П И-С"А"Н" И Е ИЗОБРЕТЕНИЯ 277863 Союз Соввтскиз Социалистическиа РеспубликК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ависимое от авт. свидетельства244аявлено 07,17,1969 ( 1329021/18-24). 21 ат, 37/6 исоединением заявкиКомитет по декам зобретений и открытий ори Совете Министров СССРПриоритет МПК 6 11 с 11/.14УДК 621.326.77088,8 убликовано 05.Н 11,1970, Бюллетень2та опубликования описания 6.Х 1,1970 Авторыизобретени С. И. Коняев и Х. И, К ститут математики Сибирского отделения АН СССР явител ПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ПАМЯТИИзобретение относится к области радиоэлектроники и может быть использовано при изготовлении тонкопленочных элементов памяти и коммутаторов электрических сигналов для электронных вычислительных устройстг,.По основному авт. св.244398 известен способ изготовления тонкопленочных элементов памяти. Полученные этим способом элементы памяти имеют низкую стабильность и малую величину (1 - 2 в) порогового напрякения включения и коммутируют малые токи (менее 5 ма),С целью получения тонкопленочных элементов памяти с повышенной стабильностью порогового напряжения включения, увеличения порогового напряжения включения до 10 - 40 в и коммутируемого тока до 30 яа и сокращения технологического цикла, аморфная пленка диэлектрика осаждается в атмосфере элементарного селена на пленку металла с высоким коэффициентом диффузии в диэлектрик под действием электрического поля при комнатной температуре подложки, после чего при той же температуре подложки наносятся верхние металлические электроды. Например, на изолирующую подложку, нагретую до температуры 50 - 60 С, при вакууме 2 10-4 ля /т. Ст. наносится пленка металла, хорошо диффундирующего под действием электрического поля в диэлектрик (например,о1 п, Ад и др.), толщиной 5000 - 6000 А, Затем на эту же подложку при комнатной температуре в атмосфере элементарного селена при 5 давлении -10-з,ц,я рт. вт. термическим распылением наносится пленка аморфного диэлектрика (%Ох, Т 10. и т, д,) толщиной, определяемой выбранной величиной порогового напряжения включения. После этого при той 10 же температуре подложки наносится металлический электрод, не диффундирующий под действием электрического поля в диэлектрик и имеющий работу выхода меньшую, чем диффузант.15 На чертеже приведена вольт-амперная характеристика тонкопленочного элемента, полученного предложенным способом.Число переключений элемента составляет10 т на квадратный миллиметр площади элек тродов. Предмет изобретенияСпособ изготовления тонкопленочных элементов памяти по авт. св.244398, отличао щийся тем, что, с целью повышения стабильности порогового напряжения включения, увеличения амплитуды порогового напряжения включения и коммутируемого тока, сокращения технологического цикла, аморфную 30 пленку диэлектрика осаждают на пленку металла в атмосфере элементарного селена.Составитель Ю, РозеитаРедактор Т. 3, Орловская Корректор О. Б. Тюринааказ 3188/б Тираж 480 Подписпое ЦНИИПИ Комитета по делам изобретепий и открытий при Совете Министров СССР Москва, )К-З 5, Раушская наб., д, 45 шография, пр. Сапунова

Смотреть

Заявка

1329021

С. И. Кон, И. Институт математики Сибирского отделени СССР

МПК / Метки

МПК: G11C 11/14

Метки: памяти, тонконленочных, элементов

Опубликовано: 01.01.1970

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-277863-sposob-izgotovleniya-tonkonlenochnykh-ehlementov-pamyati.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления тонконленочных элементов памяти</a>

Похожие патенты