Патенты с меткой «тонкопленочное»

Номер патента: 151999

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Юрьев, Яворовский

МПК: H01C 7/00

Метки: постоянное, сопротивление, тонкопленочное

...любая другая. На эти три грани нанпленка 2 (слой двуокиси олова), а затем на двени поверх пленки помещается серебряный слойконтактов. Ребра и вершины куба закруглены дмерности нанесения металлоокисной пленки имежду ней и слоем серебра,Таким образом, функцию собственно сопротталлоокисная пленка, обеспечивающая полнуюпротивления,Описываемое сопротивление представляетпетлю связи, которая при впаивании в СВЧ трасогласование в широком диапазоне частот, Такизгоговить любого значения от 10 до 100 о,ч ивания СВЧ трактов с разными волновыми сопр яет ме сть со ивления выпол безындуктивованную хорошее е можно согласособои соглас кт обеспечивает ое сопротивлени применить для отивлениями. К АВТОРСКОМУ СБМ противление отличает- меньшими габаритами,...

Номер патента: 263680

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Бех, Корсунский, Чернецкий

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающее, тонкопленочное

...усилителей.Это увеличивает объем ЗУ и уменьшает потребляемую мощность.На чертеже представлена схема описываемого устройства.Оно содержит накопители 1 и 2, з нающие элементы 8, числовые шины 4, ра очие разрядные шины 5, вспомогательные разрядные шины 6, формирователь тока записи 7, разделительный дроссель 8, дифференциальный усилитель 9 и транзисторы Т, - Т 4.Положительный эффект достигается путем отключения вспомогательной разрядной шины б от выхода формирователя тока записи 7 и входа транзистора Тв усилителя считывания и подключения ее только ко входу дополнительного транзистора, включенного параллельно транзистору Т Высвободившийся раз. рядный ток 1, подается в рабочую разрядную линию еще одного накопителя, которая...

Номер патента: 1599824

Опубликовано: 15.10.1990

Авторы: Нырков, Рагульскис, Шержентас

МПК: G01B 9/02, G02B 5/10

Метки: деформируемое, зеркало, тонкопленочное

...пок,рытие 4, например серебро, на котором через маску методом плазмохимического напыления сформированы пьезоэлектрические элементы 5 (например,из оксида цинка). Между пьезоэлектрическими элементами 5 расположендиэлектрический слой б (например, изоксида гафния), который наноситсячерез маску пиролитическим методом,причем толщина диэлектрического слоя6 равна толщине пьезоэлектрическихэлементов 5, Фронтальная поверхностьпьезоэлементов 5 покрыта токопроводящим слоем (например, серебром), Каждый пьезоэлемент 5 токопроводящейдорожкой (например, из серебра) соединен с соответствующей контактнойплощадкой (например, из серебра).Источник питания (не показан) подключен к контактным плошадкам и токопроводящему слою 4.Зеркало функционирует...