288048
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 288048
Авторы: Бех, Корсунский, Павлусь, Чернецкий
Текст
1,ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Соеетских Социалистических Республик-24 1 л 37,/04 исоелинениел аявкиКомитет по делам аобретений и открыти при Ссеете Министров СССРМПК 6 11 с 1 иоритет Опубликовано ОЗ.Х 11.1970. Бюллетень ЪЪ 3 1, 681.327.66 т 088,8) тя описания 28.1.1 Дата опубликова Авторыизобретен В, М. Корсунский, В. В. Чернецкий и Б. Институт кибернетики АН Украинской СС. Бе Заявитель АКОП ИТЕЛ Ь ного объе з Изобретение относится к запоминающим устройствам и может быть применено при построении этик устройств на тонкик магнитных пленках,В известных накопителях, выполненнык в виде тонкопленочных матриц с адресными и разрядными шинами, помеки при считывании устраняются с помощью компенсирующих разрядных шин, пролокепнык параллельно рабочим.Но при этом, если расстояние между разрядными шинами недостаточно большое, поле рассеивания запоминающих элементов пронизывает компенсирующие шины. Изменение этого поля при считывании создает на компенсирующпк шинак паразитное напрякение помехи, которое на усилителе воспроизведения складывается илп вычитается с полезным сигналом в зависимости от записанной информации в соседних разрядах.1.1 елью изобретения является устранение влияния запоминаюцгик элементов на компенсирующие шины, что позволит избавиться от взаимодействия между разрядами накопителя, сократить расстояние между разрядными шинами в матрице и тем самым увеличить плотность расположения запоминающих элементов, Увеличение плотности запоминающих элементов дает возможность обойтись меньшим количеством матриц при построении запсмиидющего устроиства адан д и уменьшить его стоимость.Это достигается путем добавления лонолнительнык разряднык шин, проходящи: нал компенсирующим разрядными шинами и замкнутыми между собой вне матрицы. Поле рассеивания запоминающик элементов пронизывает дополнительные и компенсирующие шины. Изменение этого поля при считывании 10 вызывает ток в короткозамкнутык дополнительнык шинак, который препятствует быстрому изменению магнитного потока, окватывающего компенсирующие шш 1 ы и, следовательно, появлению помеки от считаниы: сигналов в компенсирующик шинах. Таким образом. величина полезного сиптала, считанного с рабочей шины, не зависит от состояния намапшченности соседник запоминающик элементов.Предлагаемый накопитель пзобрджен начертеже. Он состоит из тонкопленочиык матриц 1, адрсснык шин 2, разрялнык рдбочик шин , разряднык компенсирующих шин 4 и дополнительнтяк короткозамкпутык шин 5, расположенные над шинами 4.Накопитель работает следующим образом.Прп отсутствии управляющик токов в накопителе магнитньш поток рдссеивспшя запоминающего элемента А полностью охватывает 30 шш 1., и частично шины 4 и о. Пш 1 гключсЗаказ 3948;16 Тираж 480 ПодписноеЦНИИГ 111 Комитета по делам изобрстсш 1 й и открытий при Совсте Министров СССР Москва, Ж, Раушская паб., д. 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 нии тока считывания в адресную шину 2 вектор намагниченности запоминающего элемента поворачивается на 90 и магнитный поток рассеивания запоминающего элемента, охватывающий шины т, 4 и 5, становится равным нулю. В результате такого изменения потока в шине 4 индуцируется паразитное напряжение в момент считывания сигнала, Индуцированный в шине 5 ток, протекающий по короткозамкнутым шинам вокруг матрицы, препятствует изменению магнитного поля вокруг шины 4. Поэтому индуцированное напряжение в момент считывания на шине 4 равно нулю и не влияет на величину полезного сигнала,Шины б не соединены с землей и расположены поверх шип считывания. Поэтому они не влияют на величину емкостцой связи шины 2 с шинами т и 4 и не нарушают, следовательно, компенсацию помех при считывании,Накопитель, выполненный в виде тонкопленочных матриц с адресными, разрядными ра О бочими и разрядными компенсирующими шинами, отличаощийся тем, что, с целью уменьшения величины ослабления считанных сигналов и увеличения плотности расположения запоминающих элементов, над разрядными 15 компенсирующими шинами размещены дополнительные шины, замкнутые между собой впе матрицы.
СмотретьЗаявка
1366057
А. Д. Бех, В. М. Корсунский, В. В. Чернецкий, Б. И. Павлусь Институт кибернетики Украинской ССР
МПК / Метки
МПК: G11C 11/14
Метки: 288048
Опубликовано: 01.01.1970
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-288048-288048.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">288048</a>
Матрица запоминающего устройства
Номер патента: 377874
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: G11C 11/02
Метки: запоминающего, матрица, устройства
...соединены последовательно и подключены к усилителю записи 17. Трансформатор имеет одну выходную обмотку 18, подключенную к усилителю считывания 19. Вершины каждых двух смежных мостовых схем, образованные попарно обмотками трансформатора 9, 10 и 11, 12, а также И, 14 и 15, 16, соединены вместе.Матрица запоминающего устройства работает следующим образом.При .возникновении импульса тока в разрядной шине в одном из плеч одного из мостов, в контуре, образованном двумя разрядными шинами и двумя обмотками трансформатора, протекает импульс тока, который через выходную обмотку 18 трансформатора поступает на вход усилителя 19.Для тока записи трансформатор служит режектором, так как ток записи протекает по обмоткам трансформатора во взаимно...
Матрица запоминающего устройства
Номер патента: 485499
Опубликовано: 25.09.1975
МПК: G11C 11/00
Метки: запоминающего, матрица, устройства
...контактным площадкам 13, В зависимости от последовательности технологических операций при изготовлении матрицы и требований, предъявляемых к разрядным и числовым шинам по ик входным емкостям, проводящие полоски числовых шин 7, а также разрядных 10, 11 и общих 8, 9 шин могут быть расположены как на поверхности слоев диэлектрика (см. фиг. 1) так и под ними. Итак если необходимо, чтобы шины имели малую входную емкость, о их располагают на поверхности пленок диэлектрика, диэлектрическая проницаемость которых значительно ниже диэлектрическойпроницаемости материала пластины 1.Участки материала между разрядными 255, 6 и общими 3, 4 электродами в данном варианте конструкции, числовыми 2 иобщими 3, 4 электродами в другом варианте...
Матрица запоминающего устройства
Номер патента: 292191
Опубликовано: 01.01.1971
Автор: Пилипос
МПК: G11C 11/14
Метки: запоминающего, матрица, устройства
...4. Перпендикулярно проводам отделенные тонким слоем 5 проходят шины 6 поперечного поля, обхватывая проволоки сверху и снизу. Две из этих шин являются шинами единиц и две нулей (т. е. в запоминающих элементах, находящих.ся под этими шинами, во всех словах записаны соответственно единицы и нули).Первоначальная запись информации в эти элементы производится следующим образом. Возбуждается шина единиц, затем на зигзагообразную шину подается импульс напряжения определенной полярности. Это напряжение трансформируется в контур слова за счет взаимоиндукции его плоской части с зигзагообразной шиной, Ток, протекающий по контуру, в результате этого запишет под шиной единиц во всех словах единицы. Аналогично записываются нули.Передача информации в...
Запоминающий элемент на моп-транзисторах
Номер патента: 343308
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Милославский, Паштно
МПК: G11C 11/40
Метки: запоминающий, моп-транзисторах, элемент
...элемента; выходы собирательных схем связаны соответственно с затвором координатного транзистора и с его истоком.На чертеже показана принципиальнаяэлектрическая схема предлагаемого устрой ства.Триггер с непосредственными перекрестными связями образован МОП-транзисторами Т 1 и Те, на объединенные истоки которых подается напряжение от постоянного источника пи тания Е. Одно плечо триггера через проходнойМОП-трапзистор Т, соединено с разрядной шиной 1 (РШ 1), второе в чер проходной МОП-транзистор Т 4 - с разрядной шиной О (РШ 0), Затворы МОП-транзисторов Т, и Т 4 15 соединены с истоком координатного МОПтранзистора Т 5, который по стоку и затвору через две собирательные схемы ИЛИ связан с шинами выборки элемента по координатам Х и У и...
Запоминающая матрица
Номер патента: 970469
Опубликовано: 30.10.1982
Авторы: Казаченко, Королюк, Костылев, Кузнецова, Романов
МПК: G11C 11/14
Метки: запоминающая, матрица
...выбран ного запоминающего элемента устанавливается в одно из двух устойчивых Ь 5 состояний, которые соответствуют либо коду "1", либо коду "О",При считывании информации из формирователя тока запоминающего устройства в выбранную числовую шину 1 по". дают импульс тока, создакший магнитное поле, под действием которого вектор намагниченности выбранного запоминающего элемента поворачивается,ми шинами 1 и препятствует распространению магнитного поля выбранной числовой шины 1 на соседние запоминающие элементы, т.е. локализует действие данного магнитного ноля в зоне выбранного 33, Кроме того, при считывании информации часть магнитного кипера 3 образует цепь с наименьшим магнитным сопротивлением для заьыкания магнитного потока выбранного...
Предыдущий патент: Запоминающий элемент
Следующий патент: Запоминающее устройство
Случайный патент: Ролик рольганга