293268

ОП ИСА НИ Е ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУСооз Советских Социалистических Республик.ЧПК 6 11 с 11 Заявлено 19,Ч присоединением заявки Ъо Комитет по делам вебретений и открытий при Совете Министров СССР(088.8) пуоликован Дата опубликования описания 11,111,1971 цкевич, А. М. Райтаровский, А. М. Ленивцев, Г. Ф. Ялагит и С. Н. Погодина Авторыизобретен Заявитель ЛЯ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ПЛЕНО ПОДЛО Это улучшает паоаме ет технологию их получеТип и качсство повер. ют первостепенное зцяч качественных пленок. лццдричсскцх магнцтц 1. жат полые стекляшцле лока из проводццкозых медь - бериллий, берилл тры пленок и упния.;ности подложкение для полПодложками длх пленок обы ицилиндры илиматериаловцевая бронза ц имеенияцц 20слу- ово 1 ЕДЬ,п.),25 дложек имеет, класс чистоты, да. Это позвомстод 1.1 цацек (ТМП). З Изобретение относится к области вычислительной техники и, в частности, к области запоминающих устройств.Известны цилиндрические магнитные пленки с подложками, выполненными в виде стеклянных цилиндров или в виде проволоки изпроводниковых материалов,Однако такие магнитые пленки имеют плохие электрические параметры, а технология ихполучения сложна,В описываемом изобретении это устраняется применением литого микропровода в стеклянной изоляции в качестве подложки дляпроизводства цилиндрических магнитных пленок.рощаПоверхность стекляццых п как правило, более высокий чем поверхность тяцутого пров ляет использовать вакуумные сения тонких магнитных плен Прц нанессш 1 ц маги:тых пленок на цилиндрические цроводниковые подложки спользуется обычьо метод элсктрохцмцческого осаждения.Пленки, получепц 1:е вакуумными методамц на стеклянных подложках, отличаются более совершенной структурой ц большей плотностью. Вакуумньвц метода.1 ц можно получить болес тонкие качественные плеши, обладаюшце большим быстродействием и меньшими потерями.В то же время прц использовании цилиндрических проводццковых подло,кек появляется дополнительное технологическое препму- ЩЕСТВО, ТЯК КЯ 1. В ЭТОМ СЛ 1 ЯЕ ПОДЛО)1 КЯ ВЫ- полняст определенные электрические функции.1-1 апрцмер, прц нанесении пленки через проводник процускяегся ток для получения цпркулярцоц осц легкого намагничивания, подложка сл жцт проводником зяп;сц-счцтывац:1 я в элсмецтях запом няО 1 ц;х устройствпроводцц:.Ох возб,ждсцця в пяраметроцях.В случае подложек - стеклянных полыхш шцдров для тех же целей нужно пропускать вц 1 трц подложек проводники, что требует дополнительной трудоемкой технологП 1 еской операции. Кроме того, х 1:нцмальцый диаметр стекляшых цилиндрцескцх подложек ограничен величиной 0,3 х вследствие техно.293268 Б = 0,4 17 аа/с.и,25 Предмет изобретен пя Составитель В. М. Щеглов Редактор Б. С. Нанкнна Техред А, Я, Левина Корректор Г. С. МухинаЗаказ 526/13 Издат. хв 240 Тираж 473 ПодписноеИНИИПИ Комитета по делам изобретений и открьпий при Совете Министров СССР Москва, К, Раушская наб., д, 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 логических трудностей прошивки пх проводниками. (минимальный диаметр проводниковых подложек в существующих элементах электронной техники составляет 0,05 - 0,15 лл).Предлагается использовать в качестве подложки при получении цилиндрических магнитных пленок литой провод в стеклянной изоляции. Отечественная мпкрометаллургия и микротехнологпя имеют приоритет в получении этого провода, находящего в настоящее время все более широкое применение в различных областях электронной техники.Выбор технологического процесса и качества исходного материала позволяет получать такой провод с высокой чистотой поверхности стеклоизоляции, удовлетворяющей требованиям, предьявляемым к повсрхностп подложек для ТМП,Применение литого провода в стеклянной изоляции в качестве подложки при получении цилиндрических магнитных пленок даст положительный эффект благодаря сочетаншо преимуществ стеклянной подложки с технологичностью, присущей проводниковым подложкам, Кроме того, существенно уменьшается минимальный диаметр стеклянной подложки - до величин порядка десятков микрон.В ряде случаев путем уменьшения диаметра пленки можно улучшить электрические па 1 заметры изделий, пап 1 зимср снизить гокп правления магнитным состоянием пленки, поскольку ток, и;отекающпй по проводу, создает циркулярное (направленное по окруж ности) поле, обратно пропорциональное дпамстру пленки; где П - циркулярное поле; 1 - ток; с 7 - диаметр пленки.Таким образом, использование провода встеклянной изоляции в качестве подложкидля ТМГ 1 позволит:15 а) расширить область использования литого мпкропровода в стеклоизоляцпи;б) получать маппппые пленки на стеклянных подложках значительно меньшего диаметра, чем используемые в настоящее время;20 в) повысить технологгп 1 ость изготовленияТМП на стеклянных подложках, устранив необхсдимость операции прошивки стеклянныхцилиндров проводниками. Применение литого микропровода в стеклянной изоляции в качестве подложки для производства цилиндрических магнитных пле нок, с целью улучшения параметров пленок иупрощения технологии пх получения.