Патенты с меткой «тонконленочных»
Способ изготовления тонконленочных элементов памяти
Номер патента: 277863
Опубликовано: 01.01.1970
МПК: G11C 11/14
Метки: памяти, тонконленочных, элементов
...40 в и коммутируемого тока до 30 яа и сокращения технологического цикла, аморфная пленка диэлектрика осаждается в атмосфере элементарного селена на пленку металла с высоким коэффициентом диффузии в диэлектрик под действием электрического поля при комнатной температуре подложки, после чего при той же температуре подложки наносятся верхние металлические электроды. Например, на изолирующую подложку, нагретую до температуры 50 - 60 С, при вакууме 2 10-4 ля /т. Ст. наносится пленка металла, хорошо диффундирующего под действием электрического поля в диэлектрик (например,о1 п, Ад и др.), толщиной 5000 - 6000 А, Затем на эту же подложку при комнатной температуре в атмосфере элементарного селена при 5 давлении -10-з,ц,я рт. вт. термическим...