Запоминающий элемент

й( дт 1 тАН1- иали 011.в ,ОПИСАНИЕИЗОЬЕЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 2 з 9 звб Союз Советских Социалистических Республик(л. 2 а 1, 3 риоединением заявкинор итет 1 ПК 6 11 сДК 681.327,66 (088.8 Комитет дел изобретений и открыти при Совете слинистро СССРОпубликовано 18,111.1969. Бюллетень11 Дата опубликования описания 24.И 1.1969 Авторизобретени В. Цвет аявитель ЗАПОМИНАЮ ЭЛЕМЕНТ Изобретение относится к области запоминающих устройстз.Известеч запоминающий элемент со считыванием иенформаг 1 ци без разрушения, содержащий две идентичные магнцтные пленки, пленку считывания ц пленку хранения информации, нанесенчые на диэлектрические или металлические подложки, с шинами считывани 51, записи и сигнала, размещенными между пленками ц отделеннымн от пленок одинаковымц диэлектрическими слоями. Принципиальной особенностью данного элемента является использование магнитных полей, создаваемых вецхревыми токами в металлической подложке, что делает весьма жесткими требования, предъявляемые к ампли удал и длительностям токов управления магнитным состоянием элемента. Предлагаемый запоминающий элемент отличается тем, что он содержит дополнительный диэлектрический слой, отделяющий шину счеитывацця от пленки хранения информации. Прц согласозанци шины считывания с помощью резистора на дальнем от генератора конце шины ложно перераспределить токи возврата, протекающие в проводящих подложках так Ем образом, что магнитное поле в пленке считывания становится больше магнитного поля в пленке хранения информации. Ссответствующим выбором толщин диэлектрических слоев можно в достаточно широких пределах изменять величины магнитных полец ц получать такое распределение ,полей, прц котором в момент подачи импульса считывания вектор намагниченности,в пленке счцтыва нця полностью позорашвается в направленцеосц трудного намагничивания, в то время как вектор намагниченности плецкц хранения информации продолжает сохранять ццформацшо, записанную в даненом элементе.10 1.1 Я фцг. 1 изображена конст 1 рукцця предле 1- гасмого запоминающего элемснга; ца фцг. 2 представлены диаграммы распрсделецця токоз в шине считывания ц проводящих подложках элемента, а также распределения магнитных 15 полей в плецках считывания и .,ранения информации; ца фцг. 3 - диаграмма работы запоминающего элемента в режимах счпывяце 1 я и запе 1 сц ццфорзЯццц.Запоминающий элемсцт (е 1 цг. 1) содержит 20 проВОД 51 щую подлоткк 1, ца которуО нацсссна пленка 2 сч 1 геывацЕя, проводящуо подложк 3, на кстор ю нанесена пленка 4 хранения информашш, управляющие шины с ецтыванця б 11 сигнала - записи 6, отделеццые от подло жек с пленками диэлектрическими слоями 7.Между шиной 5 и пленкой 4 введен дополнительный дцэлектре 11 ескцй слой 8, который отделяет также шину 5 от шЕшы 6. Последние согласованы на дальних от генераторов тока 30 концах с помощью резисторов, сопротивления3035 40 45 50 которых раВны ВолцОВым сопротивления по лосковых линий, образуемых шинами.Гслц расстояние между магццтнымц сло- ми невелико по сравнецао с лццейнымц размерами магнитных пленок, то между пленками существует магнитная связь, стремящаяся удержать вектора намагниченности обенх пленок в протцвофазном состоянии.Толщина диэлектрического слоя а отделяющего шину считывания 5 от подложки 1 с пленкой считывания 2, существенно меньше суммарной толщины аа диэлектрических слоев, отделяющих эту же шину от подложки 3 с пленкой 4,В момент подачи в шину 5 импульса тока считывания 1, (фиг, 2, а) в обеих подложках 1 1 3 возникнут противоположно направленные токи возврата 1, и 12. расположенные зеркально относительно шины 5. Так как шина 5 гальванцчески связана подложками 1 ц 3 с помощью согласующего резистора, то возникшие в указанных подложках вихревые токи не будут растекаться по нцм, затухая со временем, а образуют замкнутый контур с шиной 5. Ток 1, будет больше тока 12 и будет увеличиваться с уменьшением велечцны а 1, В пределе при а, - 0 ток 1 будет равен 1 а. С уменьшением 1 составляющая Н хагнитного поля в точке А, равная геометрической сумме составляющих Нот всех трех токов 1 1 и 12, буде увеличиваться, а составляющая Н в точке Б будет уменьшаться, Таким образом, изменением положения шины 5 считывания в зазоре ежду подложками 1 и 8 можно эффективно менять соотношение полей в местах расположения пленки считывания (точКа А) И ПЛЕНКац ХРаНЕЦИЯ 1 ЦфОРМаЦИИ (ТО 1- ка Б).Работает запохИнаюций элемент следующим образом (фиг. 8). В исходном состоянии (О или 1) вектора намагниченности пленок 2 и 4 параллельны ц направлены встречно. Импульс считывания, поданный в шину 5, создаег поле Нв пленке 2 считывания ц меньшее по величине4поле Н,в пленке 4. В результате вектор намагниченности пленки 2 отклоняется на угол у;, а вектор намагниченности пленки 4 - на угол уа, причем у 1) уа. После снятия импульса считывания магнитное поле пленки 4 воз 5 10 15 20 25 вращает вектор насцагниченностц пленки 2 в исходное состояние, чем ц достигается неразрушение информации,Зались новой информации осуществляется подачей импульса записи в шину б записи в момент прекращения действия импульса счцтыванця. При этом возможны два варианта записи, При использОВанци первого Варианта шина 6 записи смещается ближе к пленке хранения информации, Тогда при подаче импульса записи в месте расположения пленок 2 и 4 возникнут неравные по величине маги,цтные поля. Так как вектор намагниченности в плецке 2 выведен импульсом считывания в направление, близкое к направлению оси трудного намагничивания, то для переключения этой пленки необходимо незначительное ПО ВЕЛИЧИНЕ ПОЛЕ Нзап, В ТО жЕ ВрЮя для Надежного переключения пленки 4, вектор намагниченности которой отклонился на угол уа =- 90, необходимо большее по величине4 2 ПО;Е ЗаПИСИ Нзап ВЕЛИЧИНЫ ПОЛЕЙ Нзап И Нзап определяются током, подаваемым в шину б записи, и геохетрИческим расположением шины б в зазоре между проводящими подложками 1 и 3. Г 1 рц использовании второго варианта шина записи располагается симметрично в зазсре между подложками. Величина тока считывания в момент записи выбирается такой, чтобы вектора, намагниченности обеих пленок повернулись в направлении оси трудного намагничивания, Тогда небольшое по величине поле ЗаПИСИ Нзап ПОДаННОЕ В НаПРаВЛЕНИИ ОСЦ легкого намагничивания, уверенно переключит элемент в момент снятия поля считывания. Предмет изобретенияЗапоминающий элемент, содержащий две одинаковые магнитные пленки - ,пленку хранения информации и пленку счТыван 1 ия, нанесен 1 Ые на металлические подложки, с шинами считьпвания и шинами сигнала и записи, отделенными соответственно от пленок считывания и хранения одинаковыми диэлектрическими слоями, отличающийся том, что, с целью повышения надежности работы элемента, он содержит дополнительный диэлектрическиц слой, отделяющий шину считывания от пленки хранения информации.г Составитель А. Соколов Техред А. А. Камышннков ректор Н. В. Дятло Вербо едак Заказ 1675/12 Тираж 480 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Центр, пр. Серова, д. 4 Типография, пр. Сапунова Юеюа 4 5,.лР у с ф.