293267

ОЛ ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУСоюз Созетскик Социалистическик Республикаявлено 04.Х 1 969 ( 1383229/18-24) МПК 6 11 с 11/1 явкис присоедине риоритетпубликовано Комитет по делам изооретеиий и открытий при Совете йтииистров СССР.1971, Бю етеньДК 681.327.66(088.8) 11. 971 ата опубликования описания невкйй,Авторы зобретения. М. Корсунский б. И. Павлусь и В. В. Ч ститут кибернетики АН Украинской ССР Заявитель АКО Л Настоящее изобретение относится к области запоминающих устройств и может быть применено при построении запоминающих устройств на тонких магнитных пленках,Для удешевления тонкопленочных накопителей пленочные запоминающие элементы часто располагают на диэлектрических, например стеклянных, подложках, которые размещают затем на токопроводящем основании; числовые и разрядные проводники, проходящие поверх тонкопленочных матриц, вместе с основанием образуют электричесие линии, служащие для переключения запоминающих элементов,Для уменьшения длины разрядной линии и увеличения количества запоминающих элементов расстояние между ними в разрядном направлении стремятся сделать как можно меньше. Однако, если расстояние между запоминающими элементами, а следовательно, и числовыми линиями недостаточно большое, то поле, создаваемое одной из этих линий, воздействует на токопроводящее основание и вызывает в нем ток, влияющий на работу запоминающих элементов, охваченных соседними числовыми линиями. При многократном воздействии этого тока совместно с полем записи происходит нарушение магнитного состояния (процесс криппа) в соседних элементах, что приводит к считыванию ложной информации из этих запоминающих элементов. Чтобы обеспечить надежную работу накопителя, прпходится значительно увеличивать расстояние между числовыми проводниками, что неблагоприятно сказывается на быстродействии запо минающего устройства (увеличивается длинаразрядной линии) и на его стоимости (увеличивается количество пленочных матриц при заданном объеме накопителя).Целью настоящего изобретения является 10 устранение влияния токов Фуко в проводящемосновании на запоминающие элементы, расположенные под соседними числовыми проводниками, что позволяет увеличить плотность запоминающих элементов в накопителе без ухуд шения надежности его работы.Требуемый положительный эффект достигается добавлением в накопитель проводников, проходящих рядом с числовыми проводниками и по концам замкнутых на проводящее осно ваяние. Возникающий в дополнительных проводниках ток взаимоиндукции вызывает в проводящем основании ток противоположного направления, благодаря чему устраняется растекание токов Фуко по основаньпо.25 Предлагаемый накопитель изображен начертеже.Он состоит из магнитных пленок 1, диэлектрической подложки 2, числовых проводников .т, разрядных проводников 4, токопроводящего 30 основания 5 и дополнительных проводников 6.Корректор Г. С. Мухина Редактор Б. С, Панкина Заказ 430,8 Издат.211 Тираж 473 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Ж, Раушская наб., д 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 Накопитель работает следующим образом.Считывание информации с накопителя осуществляется подачей импульса тока считыва. ния в один из проводников 3. Под проводником возникает магнитное поле, совпадающее по направлению с осью трудного намагничивания запоминающего элемента и постоянно убывающее за пределами проводника. Нормальная к проводящему основанию 5 составляющая поля числового проводника 3 индуцирует токи Фуко в основании, Тангенциальная составляющая поля выбранной числовой шины пронизывает контур, образованный близлежащим дополнительным проводником 6 и основанием. При изменении поля тока числового проводника в дополнительном проводнике возникает ток противоположного направления числовому току, Нормальная составляющая поля тока, индуцированного в дополнительном проводнике 6, вызывает в проводящем основании токи Фуко, которые имеют противоположное направление токам, вызванным полем проводника 3, Поскольку токи Фуко за пределами проводников 3 и 6 имеют противоположное направление, то они взаимно вычитаются, и по основанию 5 протекает ток только под выбранной числовой шиной. Магнитное поле разрядных импульсов тока воздействует на неизбранные запоминающие элементы вдоль оси легкого намагничивания, Так как с помощью дополнительных проводников 6 устраняется растекание числового тока, то информация в неиз бранных запоминающих элементах не разрушается при изменении разрядного тока в широких пределах. Локализация тока выбранных числовых проводников, полученная введением дополнительных проводников, позволяет таким 10 образом значительно увеличить плотность запоминающих элементов в накопителе с проводящим основанием. Предмет изобретения15Накопитель, содержащий запоминающиеэлементы в виде плоских магнитных пленок, расположенных на диэлектрической подложке, числовые и разрядные проводники, а также то копроводящее основание, отличаащийся тем,что, с целью уменьшения влияния числового тока на соседние запоминающие элементы и увеличения плотности запоминающих элементов, накопитель содержит дополнительные про водники, расположенные между числовымипроводниками, причем концы дополнительных проводников соединены с токопроводящим основанием.