Накопитель для запоминающего устройства

ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯК П:АТЕН 1 У 31 988200 Сфюз СоветскихСециапиститесиихресттубпин(0.06,79) (РСТ/% 79/00386) (23) Приоритет "(32),12.06.78 6 11 С 11/1 тт Гааударатаеальа каиитат СССР(53) УЛК 681327. .66(088,8) Опубликовано 07.01.83. Бюллетень М 1 пв делам лааарателий и открытийДата опубликования описания 07, 01. 3(72) Автор изобретения Иностранец Эндру Генри Бобек(71) Заявнтел Ь 1 т) НдКОПИТБЛЬ ДЛЯ ЗдПОИИНдв УСТРОЙСТВД.мал а шением ется н устрой нито- полооос ж е Изобретение относится к вычис".яительной технике и может быть использовано при построении запоминающихустройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦИД).Известен накопитель дпя запоминаюего устройства, содержащйй магнито-,одноосную пленку на которой расположены токопроводящие проводники. В известном накопителе перемещение ЦМДв магнитоодноосной пленке осуществляется путем подачи импульсов тока всоответствующие токопроводящие проводники 13,Недостатком такого накется сложность его иэго енно при использовании пленом диаметром ЦИД. олее близкиИ техническим рек данному изобретению являкопитель для запоминающеготва, который содержит магую пленку, на которой расвый электропроводящий слой с отверстияю. В этом накопителе нали"чие отверстий в электропроводящемслое вызывает концентрацию токов вперемычках между отверстиями что всвою очередь приводит к образованиюлокальных градиентных магнитныхо"лей для продвижения ЦИД. Отверстиярасположены так, что их позиции несовпадают со стабильныю положениями ЦИД, в которые они перемещаютсяпри отсутствии градиентов поля,вызванных током. Таким образом, двухфазная система питания приводит кдвижению ЦИД в одном направлейии 23.ВНедостатками известного накопите-.ля являются трудоемкость изготовле- .ния, требующая высокой точности привзаимном размещении стабильныхположений ЦИД (имплантированных об"пастей пленки) и отверстий в электропроводящем слоеотносительно боль",шое потребление мощности от первичного источника питания и недостаточнаянадежность, 3 9882Цель изобретения - упрощение и повышение надежности накопителя для . запоминающего устройства.Поставленная цель достигается пу тем того, что накопитель для запоминающего устройства содержит лоследовательно нанесенные на первый элекгропроводящий слой изолирующий слой и второй электропроводящий слой с от"верстияю, причем отверстия во вто" 1 о ром электропроводящем слое смещены по отношению к соответствующим отверстиям в первом электропроводящемслое.На фиг. 1 изображена принципиаль ная схема накопителя; на фиг. 2-4-от.- дельные Фрагменты накопителя; на фиг. 5-10 - иллюстрация отдельных аспектов работы предлагаемого накопителя20Накопитель для запоминающего,устройства (фиг. 1) содержит магнитоодноосную пленку 1, на которую последовательно нанесены первый электро- проводящий слой 2 с отверстиями, изо 25 лирующий слой 3 и второй электропроводйщий слой 4 с отверстиями овальной формы. Отверстия 5 во втором . электропроводящем слое 4 смещены относительно соответствующих отверстий ,Ь в первом электропроводящем слое 2 на одну четверть периода продвижения ЦМД (фиг. 2),Траектория продвижения ЦМД, изображенная извилистой линией 7 на фиг. 1, определяется35 взаимным расположением вышеуказанных отверстий 5 и б (фиг. 2). В качестве примера на фиг 3 показана в увели ченном виде последовател ьност ь расположения отверстий 5 и б для замкО нутой траектории продвижения ЦМД, включая повороты. Размещение.отверстия относительно связанного с ним от. верстия в смежном электропроводящем слое определяет последовательность градиентов поля и,.тем самым, точное движение ЦМД в каждый момент. От.носительное размещение может быть таково, что отверстия в каждой паре могут .быть смещены относительно друг50 друга вдоль оси движения ЦМД, быть смещены в боковом направлении по отношению друг к другу или иметь как первое, так и второе смещение вместе,Накопитель для запоминающего устройства работает следующим образом.Ввод ЦМД в накопитель осуществля" ется с помощью генератора 8 ЦМД,возбуждаемого с помощью источника 9 импульсов тока. Считывание ЦМД в накопителе осуществляется после их предварительного растяжения ромбовидным расширителем 10 ЦМД с помощью тонкопленочного магниторезистора 11, сигнап с которого подается на усилитель 12 считывания,Продвижение ЦМД вдоль траектории 7 осуществляется путем подачи в электро- проводящие слои 2 и 4 биполярных импульсов тока 3,1, Зз и 3, 3,1 соответст венно, которые н а клады вают ся дру г на друга (фиг, 5). Направления протекания этих токов в слоях обозначены стрелками на фиг, б. В результате протекания этих токов на краях отвер стий возникают локальные магнитные поля, которые притягивают ЦМД. При подаче указанной последовательности импульсов тока каждая пара смещенныхотверстий, образующая период продвижения схемы, обеспечивает создание четырех устойчивых положений ЦМДП 1- П 4(фиг. 7)Сплошная и пунктирные линии на Фиг. 7 показаны смещенными относительно друг друга только для целей наглядности. Таким образом, при подаче последовательности импульсов 1- 3, ЦМД последовательно переходит из позиций П в позиции П. Повторяющаяся подача указанной последовател ьности и мпул ьсов тока 3- Э 4 приводит к последовательному продвижению ЦМД вдоль образованной отверстиями траектории продвижения ЦИД. Очевидно, что изгибающиеся и имеющие Форму замкнутой петли траектории движения ЦМД, как и прямые участки, ре ализуются путем соответствующего расположения отверстий в слоях 2 и (фиг. 3). На фиг. 3 движение ЦМД происходит по часовой стрелке. Однако, изменяя последовательность подачи импульсов 3,1- 3 на обратную, можно вызвать движение ЦМД против часовой стрел ки.Еще более гибкие возможности изменения направления движения ЦМД проиллюстрированы на фиг. 8,;яде взаимное размещение отверстий (обозначенных вертикальными линиями) обеспечивает одновременное перемеще ние ЦМД вдоль осей Х и У, а также поворот на 90 ф. При подаче изображенной на фиг, 5 последовательности импульсов тока; .34- 34 ЦМД на фиг.85 98820 перемещаются одновремейно снизу вверх по оси У и .слева направо по оси Х,.Форма напряжения питания РП и импульсов токов, а также схема подключения электропроводящих слоев 3изображены соответственно на Фиг.9 и 10. Как показано на Фиг. 10, слои 2 и 4 соединены друг о другом параллельно.и, соответственно, последовательно с конденсатором 13 и индук В тивностью.14, Такая- схема обеспечива" ет переключение энергии между конденсатором и индуктивностью.и создание прямоугольных импульсов тока в слоях. 15Растяжение ЦИД перед считыванием., осуществляется с помощью расширителя 10 ЦИД, в котором применяются щели последовательно увеличивающейся дли- . ны, расположенные в слоях 2 и 4 попе о рек траектории движения ЦИД. Продви" жение домена в расширителе 10 осуществляется таким же образом, как. и на других участках траектории продвижения ЦИД, 2Практические испытания одного из вариантов предлагаемого устройства иоказали его работоспособность 0 6на частотах до 1 ИГц. Выходнойсигнап 2 мВ. Емкость накопителясоставляла 10бит.формула . изобретенияНакопитель для запоминающего уст"ройства, содержащий магнитооднооснуапленку, на которой расположен пер"вый электропроводящий слой с отверстиями, отли чающий ся тем,что, с целью упрощения и повышениянадежности, он содержит последовательно нанесенные на первый электро-проводящий сбой изолирующий слой ивторой электропроводящий слой с отверстиями, причем отверстия во втором электропроводящем слое смещеныпо отношению. к соответствующим отверстиям в первом электропроводящемслоеИсточники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Патент США Ь 3460116,кл, 340-174, опублик. 1971.2. Патент США В 4143419,кп, 340-174, опублик. 1981 (прототип),.