Способ формирования решетки цилиндрических магнитных доменов

ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскикСоцивлистическикРеспублик пц 955199(22) Заявлено 240180 (21 2874165/18-24с присоединением заявки Йо 23) Приоритет -Опубликовано 300882, Бюллетень М 2 32 51) М. Кл.з О 11 С 11/14 Государственный комитет СССР по деяам изобретений и открытий(088.8) Дата опубликования описания 300882 Т.Г.Баряхтар, Ю.А.Кузин, Г.Н.Манянин, А.М.едфи Е.Ф.Ходосов,У,72) Авторы изобретени Донецкий физико-технический институт АН Украинской(54) СПОСО РМИРОВАНИЯ РЕШЕТКИ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХТНЫХ ДОМЕНОВ Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминаюп;их устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).Известен способ формирования решетки ЦМД, основанный на воздействии на доменосодержащую пленку постоянным магнитйым полем в плоскости пленки, большим поля анизотропии пленки; с последующим введением магнитного поля, направленного перпендикулярно плоскости пленки 1 .Недостатком этого способа является необходимость иметь громоздкий магнит для создания в плоскости пленки магнитного поляпорядка нескольких кЭ, что накладывает ограничение на применение этого способа в ЗУ на решетках.Наиболее близким техническим решением к предлагаемому является способ формирования решетки ЦМД, основанный на воздействии на доменосодержащую пленку постоянным магнитным полем смещения и импульсным магнитным полем,После смещения вначале возрастает так, что одна полярность полосковых доменов сжимается в узкий домен в форме нити, Затем прикладывается, с помощью катушки, импульсное поле и разбивает эти узкие нитевидные доменына ряд ЦМД 25Недостатком этого способа является существование "фокусирующего эффекта",не позволяющего создать решеткув виде параллелограмма, которая преимущественно используется при созда"нии накопителей. Однако этот "фокусирующий эффект" можно отрегулиро, вать, варьируя расстояние между плоскостью катушки и плоскостью пленки,но при этом снижается надежность ввиду того, что необходимость обеспечить достаточно высокую степень параллельности плоскости катушки иплоскости пленки, а также подобратьоптимальное расстояние между пленкойи катушкой. Кроме того, возрастают затраты времени на формирование решет"ки, так как оптимальное расстояниедля каждых катушки и магнитной пленки необходимо подбирать опытным путем,Цель изобретения - упрощение иускорение формирования решетки ЦМДПоставленная цель достигаетсятем, что в известном способе формирования решетки ЦМД воздействуют наЗО доменосодержащую пленку одновременноЗО Н=Н-Ф где Н 5 в , поле насыщения магнитнойпленки.Одновременно в проводник 1, кото" рый либо наносится непосредственно на 35 пленку, либо на стеклянную пластинку, прикладываемую к пленке, подаются прямоугольные импульсы тока. Если необходимо создать решетку ЦИД в области 2 пленки, находящейся на рас" 4 О стоянии а от проводника 1 (Фиг.1), то полярность импульсов должна бать такой, чтобы импульсное магнитное поле Нц, создаваемое проводником 1 в области 2, было антипараллельно гюлю смещения Н. Амплитуда импульсов тока должна быть достаточной для создания на расстоянии а от проводника импульсного магнитного поля.ННоюгде Н- поле эародышеобразования. Затем поле смещения снижается до величиныН ННгде Н- поле коллапса ЦИД в даннойпленке.55 При этом в области 2 образуется регулярная решетка ЦМД, плотность ко" постоянным магнитным полем смещения, равным полю насыщения доменосодержащей пленки, и импульсным градиентным магнитным полем, антипараллельным постоянному магнитному полю смещения, причем амплитуда импульсов градиент ного магнитного поля в заданных участках доменосодержащей плевки больше величины поля зародышеобразования доменов, и последовательно снижают постоянное магнитное поле сме щения до величины, меньшей поля колапса 1 ЩД, но большейполя зародышеоб-. разования доменов, и далее до величины поля зародышеобразования доменов и уменьшают одновременно амплитуду нмпульсон градиентного магнитного поля до нуля.На Фиг.1 изображена доменосодержащая пленка с образованной решеткой ЦИД; на фиг,2 приведена зависимость плотности решетки а/д, где а - расстояние. между центрами ЦМД; д - диаметр ЦИД, от длительности Т воздействия импульсного градиентно-, го магнитного поля.Формирование. решетки ЦИД в .соответствии с предлагаемым способом осу" ществляется следующим образом.К доменосодержащей пленке прикла,дывают постоянное магнитное поле смещения торой пропорциональная длительностивоздействия импульсного градиентногомагнитного поля.После этого поле смещается до величины Н=Н, а амплитуда импульсногоградиентного магнитного поля до О,Если в поле смещения ННсНбыласформирована достаточно плотная решетка, то она будет устойчивой придальнейшем снижении поля смещения,вплоть до О,Технико-экономические преимущества предложенного способа заключаютсяв значительном упрощении существующихустройств Формирования решеток ЦМД, вускорении процесса Формирования,в возможности регулирования плотностирешетки в процессе формирования, атакже в значительном снижении энергоемкости устройств, использующих решетки ЦИД.Формула изобретенияСпособ формирования решетки цилиндрических магнитных доменов, основанный на воздействии на доменосодержащую пленку постоянным магнитным полемсмещения и импульсным магнитным полем,о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, сцелью упрощения и ускорения Формирования решетки цилиндрических магнитных доменов, воздействуют на доменосодержащую пленку одновременно постоянным магнитным полем смещения,равным полю насйщения доменосодержащей пленки, и импульсным градиент"зим магнитным полем, антипараллельным постоянному магнитному полю смещения, причем амплитуда импульсовградиентного магнитного поля в задан-.ных участках доменосодержащей пленкибольше величины поля зародышеобраэования доменов и последовательно снижают гостоянное магнитное поле смещения до величины, меньшей поля коллапсацилиндрического магнитного домена, но большей поля зародышеобразо-.вания доменов, и далее до величиныполя эародышеобразования доменов иуменьшают одновременно амплитуду импульсов градиентного магнитного полядо нуля.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Патент США 9 4052710,кл. 340-174, опублик. 1979.2. "РЬ 11. Иацп.", ч, 27, 1973,р.569 ,(прототип).,955199 Составитель Ю.Розенталришанова ТехредТ.фанта,орректор Е. Рсаа акто писное лиал ППП фПатентф, г,уагород, ул.Проектная каз 6447/60 Тирам 622 ПодВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб. д.4/