Способ изготовления запоминающих матриц на плоских магнитных доменах

ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик п 964232(22) Заявлено 20. 03, 81 (21) 3262472/18-24 с присоединением заявки Нов(23) Приоритет -С 11 С 11/14 Государственный комитет СССР по делам изобретении и открытий.66(088.8) Опубликовано 07,10,82. Бюллетень Мо 37 Дата опубликования описания 07. 10. 82(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАПОМИНАЮЩИХ НА ПЛОСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНАХ е Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств на плоских магнитных доменах (ПМД).Известен способ изготовления запоминающих матриц на ПМД, основанныйна повышении коэрцитивной силы пленки Нс путем локального осаждения на нее другой пленки с высоким значением Нс 11.Недостатком этого способа является невозможность.увеличения, Нс массива пленки в широких пределах, что огра" ничивает область устойчивой работы запоминающего устройства.Наиболее близким техническим решением к изобретению является способ изготовления запоминающих матриц на ПМД, основанный на нанесении на поверхность стеклянной подложки алюминиевого слоя толщиной 5000 А и вытравливании в нем каналов, обнажающих поверхность стеклянной .подложки, с последующим напылением на всю поверхность подложки магнитной пленки, При этом участки магнитной пленки, нанесенной на шероховатный тонкий алюминиевый слой, имеют высокое значение Но, а в доменоперемещающих каналах, где магнитная пленка нанесена непосредственно нагладкую поверхность стеклянной подложки, Н с пленки имеет низкоЕ значение23Недостатком этого способа являетсневозможность увеличивать Нс массивапленки в широких пределах, что снижает надежность работы ЗУ. Кроме того, возникновение перепадов толщиныпленки на участках между каналамии массивом является источником полейрассеяния, снижающих величину поляэародышеобразования ПМД, которое определяет верхний предел допустимыхзначений рабочих токов матрицы. Технологический процесс сложный, так.как включает Фотолитографию и двукратное нанесение пленок - алюминиевой и магнитной. Плохая адгезия двуслойной пленочной структуры снижаетнадежность работы запоминающего устройства. на ПМД.Целью изобретения является повышение надежности изготовления запомина 25 ющих матриц на ПМД,Поставленная цель достигаетСя тчто согласно способу изготовлениязапоминающих матриц на ПМД, основанном на нанесении магнитной пленкина подложку и избирательном повыше9647 нии коэрцитивной силы магнитной пленки, избирательное повышение коэрци-тивной силы магнитной пленки осуществляют путем формирования в поверхност.ном слое подложки участков с пористойструктурой, 5На чертеже представлена последовательность изготовления запоминающихматриц на ПМД в соответствии с предложенным способом,Сущность предложенного способа 1 Озаключается в следующемНа поверхность подложки 1 из стекла, содержащего легкорастворимые компоненты, например натриевоборосиликатное (НБС), проводят фотолитографию 2, освобождая от фоторезистаучастки 3 поверхности подложки, гденеобходимо создать высокое значениеНс магнитной пленки. Эти участки подложки выщелачивают в кислотах, например в соляной, для получения пористыхучастков 4 подложки 1. Затем на поверхность подложки с периодическойструктурой пористых участков напыляют магнитную, например пермаллоевую,пленку 5. При этом пермаллой проникает в пористые участки подложки и образует участки пленки 6 с высокимзначением Нс, а поверхноств пленкиостается ровной.П р и м е р. На поверхности под- ЗОложки из НБС толщиной 0,6 мм методомфотолитографии создают рисунок, соответствующий положению доменоперемещающих каналов. Оирина полос фоторезис.тора составляет 60 мкм с .промежутками между ними шириной 100. мкмЗатемподготовленную таким образом подложкупомещают в растворитель - 40-ныйраствор соляной кислоты при 25-30 С.Процесс выщелачивания ведут от 3 до 4 О20 мин в зависимости от требуемойструктуры и глубины пористых слоевучастков подложки, В результате проис;ходит формирование пористых участковповерхностного слоя подложки за счет 45 32 4Вудаления легкорастворимых натриевыхи боратных компонентов из стекляннойподложки. Затем удаляют фоторезисти отмывают подложку в дистиллированной воде при 50-60 ОС в течение 20 мини сушат в термостате, Затем на подложку напыляют пермаллоевую пленку. Величина Н магнитной пленки, находя"щейся на пористых участках подложки,в 18-20 раэ больше Нс в доменоперемещающих каналах,Таким образом, предложенный способпозволяет значительно увеличить разницу Нс каналов и массива пленки,что расширяет область устойчивой работы устройства. Структура матрицысодержит только один магнитный слойна подложке, что увеличивает надежность. Технологический процесс изготовления включает только одну операцию напыления одного слоя магнитнойпленки, не требует специального материала (стекла) для подложки, что уп-,рощает изготовление запоминающегоустройства,Формула изобретенияСпособ изготовления запоминающихоатриц на плоских магнитных доменах,включающий нанесение магнитной пленки на подложку и избирательное повышение коэрцитивной силы. магнитнойплейки, о т л и ч а ю щ и й с я тем,что, с целью повышения надежности изготовления запоминающих матриц избирательное повышение коэрцитивной силымагнитной пленки осуществляют путемформирования в поверхностном слое подложки участков с пористой структурой.Источники информации,принятые во внимание при эксиертизеПатент СИ В 3416422, кл. 340-174,опублик. 1972.2. Патент США В 3488006, кл, 340-174опублик. 1972 (прототип),964732 Составитель Ю. РОзенталедактор Т. Кугрышева ТехредТ.Фанта тяга Зака Тираж 622арственного комитета СССРэобретений и открытийа, Ж, Раушская наб., д/5 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная,641/34 ВНИИПИ Госу по делам 113035, Моек