Шепшелей

Номер патента: 1683476

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Карманов, Никитин, Новиков, Чулин, Шепшелей

МПК: H03H 9/145

Метки: акустических, волн, поверхностных

Преобразователь поверхностных акустических волн (ПАВ), содержащий пьезоподложку и расположенные на ее рабочей грани основную и дополнительную электродные структуры, каждая из которых состоит из двух групп параллельных перекрывающихся электродов, в первой из которых электроды соединены гальванически с соответствующей контактной площадкой, а во второй - с соответствующими электродами другой электродной структуры, а перекрывающиеся участки электродов в основной электродной структуре выполнены с постоянной длиной, отличающийся тем, что, с целью уменьшения габаритов, в дополнительной электродной структуре перекрывающиеся участки электродов выполнены с постоянной длиной и снабжены...

Номер патента: 1501876

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Никитин, Шепшелей

МПК: H03H 9/64

Метки: акустических, волнах, поверхностных, фильтр

Фильтр на поверхностных акустических волнах (ПАВ), содержащий пьезоэлектрический звукопровод, на рабочей поверхности которого размещены входной секционированный преобразователь, содержащий последовательно соединенные секции, и выходной преобразователь, выполненный секционированным, эквиваленты проводимостей нагрузки, источники сигналов, соединенные соответственно с одними суммирующими шинами входного и выходного преобразователей, другие суммирующие шины которых соединены с общей шиной, отличающийся тем, что, с целью уменьшения уровня паразитного сигнала тройного прохождения (СТП), в него введены индуктивный и резистивный элементы, включенные параллельно входному преобразователю, в качестве...

Номер патента: 1655280

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Никитин, Орлов, Шепшелей

МПК: H03H 9/64

Метки: акустических, волнах, поверхностных, фильтр

Фильтр на поверхностных акустических волнах (ПАВ), содержащий пьезоэлектрический звукопровод, на рабочей поверхности которого в параллельных акустических каналах размещены две секции входного встречно-штыревого преобразователя (ВШП), первый дополнительный ВШП и идентичные секции входного ВШП, второй дополнительный и два выходных ВШП, расположенные по обе стороны от входного ВШП, а выходные ВШП, соединенные с выходными клеммами фильтра, включены относительно дополнительных ВШП, соединенных с соответствующими эквивалентами нагрузки, с фазовым сдвигом 90o, отличающийся тем, что, с целью повышения точности воспроизведения заданной амплитудно-частотной характеристики за счет...

Номер патента: 1820478

Опубликовано: 07.06.1993

Авторы: Алексеев, Горшков, Осипов, Шепшелей

МПК: H03H 9/30

Метки: акустоэлектронное, регулируемое

...домена 2, а так как скорости распростране ния внутри и вне домена 2 различны, то изменяется и время задержки выходногосигнала.Достижение заданной величины регулируемого параметра в регулируемом акусто 5 электронном устройстве осуществляется сиспользованием отрицательной обратнойсвязи по изменению ширины полосовогодомена 2 за счет изменения положения ПДГ3. Цепь обратной связи образована вход 10 ным 7 и выходным 8 ВШП ПАВ, образующими вспомогательный акустический каналблоком формирования сигнала управления11,.генератором опорного сигнала 12 и регулируемым источником электрического на 15 пряжения 10,функционирование цепи обратной связи осуществляется следующим образом.Сигнал опорного генератора 12 поступает на входной 7 ВШП ПАВ...

Номер патента: 1316533

Опубликовано: 23.02.1993

Авторы: Лакиза, Малащенко, Мезенов, Овсищер, Шепшелей

МПК: H03H 9/25

Метки: акустических, волнах, поверхностных, пьезоэлектрическое

...и струк"турных дефектов 4, Структурные дефекты 4 обеспечинают напранленноерассеяние, частичное поглощение инаправление ОАВ, преимущественно наторцовые поверхности звукопровода 1,которые могут быть покрыты акустопоглотителем (не показаны), что обеспечивает эффективное подавление ОАВ,Часть ОАВ, рассеянных структурнымиэлементами 4 и прошедщих в направлении выходного преобразователя 3,претерпевают многократные отраженияот зоны структурных дефектов 5., поверхностей эвукопровода 1 и эффектив.ное их поглощение акустопоглотителем.Структурные дефекты 4, 5 могутобразовывать локальные структуры,.расположенные относительно преобразователей НАВ 2, 3 так,. что обеспечивается направленное рассеяние(отражение) ОАВ и распространениеОАВ преимущественно в...

Номер патента: 1319430

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Лакиза, Малащенко, Мезенов, Овсищер, Шепшелей

МПК: B23K 26/00, B23K 26/38

Метки: лазерного, разделения

...повысить качество обработки10 прозрачных материалов и уменьшить количество брака при разделении заготовок на модули,В качестве примера конкретноговыполнения способа рассмотрим процесс15 разделения пластины из ниобата литияпри изготовлении звукопроводов дляустройств на поверхностных акустических волнах (ПАВ). Излучение лазера ЛТИПЧ-б с длительностью импульсов20 10 нс, длиной волны 1,0 б мкм и максимальной импульсной мощностью0,5 МВт фокусируется в пятно диаметром 8=10 мкм внутри пластины из ниобата лития. Исходя из требований кон 25 струкции приборов на ПАВ, для которых изготавливались звукопроводы,выбраны пластины, вырезанные так,что нормаль к поверхности пластинсовпадает с осью У.30 Направление разделения пластинна модули...

Номер патента: 1492447

Опубликовано: 07.07.1989

Авторы: Большаков, Гитман, Смирнов, Шепшелей

МПК: H03B 21/02

Метки: синтезатор, частот

...из Иидентичных декад 3, практически мож -но пренебречь из-за значительной раэницы частот, подводимых к иервому 4и второму 6 смесителям.14924Помехи, возникающие в датчике 2 в колебаниях вспомогательных опорных частот Е, имеют частотный разнос 24 Е и поэтому после деления часто5 ты на десять в делителях 8 в каждой из Ю идентичных декад 3 они легко отфильтровываются.Колебания вспомогательных опорных частот Е и дополнительных опорных 10частот Е формируются в датчике 2 из колебаний формирователя 11 и второго умножителя 13. В силу конструктивных особенностей датчика 3 взаимная развязка между выходами этих колебаний 15 не превышает 65 дБ. Первый 18, второй 19, третий 20 и четвертый 21 делители частоты на два, включенные между выходами...

Номер патента: 1467739

Опубликовано: 23.03.1989

Авторы: Большаков, Гитман, Смирнов, Шепшелей

МПК: H03B 21/02

Метки: синтезатор, частот

...частоты устанавливает в ДОЧ 2 заданную высоту Гоп, которая поступает на первый вход смесителя 3, а первый коммутатор 6 подключает выход ДОЧ 2 с 50 частотой Йо на второй вход смесителя 3, на выходе которого формируется сигнал суммарной частоты К = оп+Г,.В течение второго такта синтезируется колебание частоты соответст" венно на разряд старше. Первый коммутатор 6 подключает к второму входу смесителя 3 сигнал с частотой Е,/ 10 с выхода делителя 5 частоты. На первый вход смесителя 3поступает новое значение частоты Гоеи на его выходе формируется сигналКз,. Колебание на выходе делителя 5частоты с частотой Ед задерживаетсяво времени на длительность такта ь .по отношению к началу первого такта,В течение третьего такта формирователь 7 сигналов...

Номер патента: 955193

Опубликовано: 30.08.1982

Авторы: Литвинов, Никитов, Шепшелей

МПК: G11C 11/14, G11C 11/155, G11C 7/00 ...

Метки: доменов, магнитных, считывания, цилиндрических

...(1000-2000 Л ) пленки диэлектрика. При считывании МСВ воз-: ЗО; бчждаются микрополосковым преобраэова955193 формула изобретения аж 622 Подписное э 6447 ВНИИПИ филиал ППП "Пате Ужгород, ул.Проектная,4 телем 3 и распространяются вдоль пленок 1 и 2 ЖИГ. Если в положении А ре" гистра 1 находится ЦМД, то под действием его магнитного поля в пленке 1 в локальной области с размерами 26 будут меняться магнитные свойства (внутреннее поле, дисперсия и т.д.). Магнитостатическая волна, распространяющаяся вдоль пленки 1, будет тормозиться в указанной локальной области, и ее фазовая скорость изменится. Если 10 бы домена в положении А не было, то волна распространялась бы от воэбужцающего к приемному электроду вдоль пленки 1 в течение времени...