Способ регулирования поля коллапса цилиндрических магнитных доменов

О П И С А Н И Е982088ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскикСбцкапистическккРеспублик(22)Заявлено 18.05.81 (21) 3286981/18-2 чс присоединением заявки И(23) Приоритет(51)М. Кл,С 11 С 11/1 Й 3 ЬоудоротюеН комитет СССР в далем озаоретеккй к открытки,66(088.8) Опубликовано 15. 12. 82, Бюллетень6 Дата опубликования описания 15. 12. 82 й ": С ":(";,": " , -", ".;т(71) Заявитель Каунасский политехнический институт им. Антанаса Снечкуса 5 Й ) СПОСОБ РЕГУЛИРОВАНИЯ ПОЛЯ КОЛЛАПСА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ1Изобретение относится к вычислительной технике и может быть ис пользовано при построении устройств хранения ипереработки дискретной информации на цилиндрических маг" .:нитных доменах (,ЦМД ). Поле коллапса ЦИД является одним из наиболее важных статических пара. метров, величину которого необходимо регулировать при изготовлении эпитаксиальных пленок ферритов-гранатов, применяемых в устройствах на Цг 1 Д. В запоминающем устройстве много ,различных .эпитаксиальных структур, устанавливаются в одном узле со смещающим магнитом, и наилучоим расположением всех структур является идентичное, Однако, как показывает опыт, поле коллапса изменяется от одной со пленки к другой, иногда в существенных пределах, даже если условия выращивания пленок номинально идентичны. 2Известен способ регулирования поля коллапса ЦМД путем химического травления, обеспечивающий плавную регулировку величины поля коллапса11.Однако химическое травление грана", товой пленки является "мокрым" технологическим процессом, применение которого затруднено в слуцае локального воздействия на управляемый параметр, Причиной этого является подтравливание, которое имеет место у краев, маски, защищающей не подвергающиеся травлению области гранатовой пленки. При малых размерах областей метод химического травления становится неприменимым.Наиболе близким техническим решением к изобретению является способ регулирования полл коллапса ЦМД, основанный на ионной имплантации доме," носодержащей пленки. Степень управления полем коллапса зависит от плотности дефектов, индуцированных ионной имплантацией. Изменение плотности3 98208дефектов, а вследствие этого и регулирование поля коллапса ЦИД осуществляется ваоьированием дозы внедренных ионов).Однако применение данного способа становится затруднительным, когданеобходимо легировать эпитаксиальнуюгранатовую пленку определенной ( Фиксированной 3 дозой ионов,Цель изобретенил - упрощение ре огулирования поля коллапса ЦИД,Поставленная цель достигается тем,что согласно .способу регулированияполя коллапса ЦИД, основанному наионной имплантации доменосодержащей 15пленки, ионную имплантацию доменосодержащей пленки проводят путемизменения плотности, ионного токав пределах 0,01-4 мкА/см при по 2стоянной дозе имплантированных ионов, роИмплантацию проводят при Фиксированной дозе внедряемых ионов, а изменение поля коллапса осуществляют варьированием плотности ионного тока,Согласно существующим теоретическим 25представлениям изменение плотностииойного тока существенно влияет накинетику возникновения и коническуюплотность дефектов в облучаемомкристаллическом материале. 30Тип ионов выбирают в соответствиис целью имплантационного легированияданного гранатового материала. Энергию имплантируемых ионов определяютв соответствии с требуемой толщинойлегированного материала. Требуемуюдозу определяют экспериментальнымпутем. Плотность ионного тока нерекомендуется выбирать более 5 мкИ/см,так как при более высоких значенияхимеет место повышение температурыобразца.На чертеже изображена экспериментально полученная зависимость разностного значения. поля коллапса ФНКОЛ.от плотности ионного тока 1.П р и м е р . Исследованию подвергается эпитаксиальная гранатоваяструктура, состоящая из эпитаксиальной пленки состава (ЧбщСа)(Гейе)О и немагнитной подложкитипа И, Са 01, . Исходные параметрыпленки: толщина Ь5,2 мкм, периодР, = 11,3 мкм, поле коллапса ЦИД.Н,1 ел95,2 3, С целью проведения .имплантации с различными плотностями ионного тока и 3 этой структурывырезают образцы размерами .10 Х 10 мм. 8 фИмплантацил осуществляется на установке ионного внедрения "Везувий". Имплантируют ионы Йе+ с фиксированной энергией, равной 100 кэВ, и дозой 2 104 ионов/см , Плотность ионного тока варьируется в пределах 0,01-4 мкА/смИзмерения проводятся с использованием магнитооптического эффекта Фарадел. ЦИД генерируются воздействием на локальную область пленки короткими импульсами ( ; = 0,1 мкс) магнитного поля, направление которого перпендикулярно поверхности исследуемого образца. Измеряют значения полей коллапср цИД в имплантированной и неимплантираванной пленках с последующим определением разностного зна= чения ДН ко .Приведенная на чертеже зависимость указывает на то, что в данном случае регулировку поля коллапса осуществляют в пределах 0,7- 2,6 Э.Предлагаемый способ дает положи-тельный эффект: регулирование поля коллапса ЦИД осуществляют при постоянном значении одного из основных параметровионного внедрения- дозе. Это позволяет при регулировке величины поля коллапса с заведомо заданной дозой модифицировать химический состав имплантированного слоя. В процессе регулирования поля коллапса измеритель дозы не нуждается в перестройке режима работы, что упрощает .регулирование поля коллапса ЦИД. Формула изобретения Способ регулирования поля коллапсацилиндрических магнитных доменов, основанный на ионной имплантации доменосодержащей пленки, о т л и ч а ющ и й с я тем, что; с целью упроще"ния регулирования поля коллапса цилиндрических магнитных доменов, ионную имплантацию доменосодержащейпленки проводят путем изменения плотности ионного тока в пределах 0,014 мкА/смф при постоянной дозе имплантированных ионов.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе,1. "Е 1 есйгоп(с Иайег 1 а 1 в", 1975,ч.4, Р 4, р.757.2. 1 ЕЕЕ Тгапз. Иадф, 1975, ИА 0-11,Р 51 р 1082 (прототип)982088 Сост 3 витель Ю.РозентальРедактор Е.Лазуренко Техред А,бабинец Корректор И.Варош илиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная,аказ.9721/73 ВНИИПИ п 113035, Тираж 622 ударственного коми елам изобретений и сква, 3-35, Рауаск Подписное та СССР ткрытий наб., д. 4/5