Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ СОюз СветскихСОцналнстнческнкРеспублик 111959160(6) Дополнительное к авт. свид-ву(22) Заявлено 050281 (21) 3243202/18-24 Д 1) М, Кд. 6 11 С 11/14 с присоединением заявки МоГосударственный комитет СССР ио делам изобретений и открытий(23) Приоритет Опубликовано 150982 Бюллетень М 9 34 1531 УДК 681. 327, . 66 (088. 8) Дата опубликования описания 150982(71) Заявитель БИБЛЖ 0ь,(54) СПОСОВ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАПОМИНАЮЩИХ МАТРИЦ НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ПЛЕНКАХ Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении матриц памяти запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках (ЦМП).Известен способ изготовления запоминающих матриц на: ЦМП, основанныйна плетении обмоток на станке, содержащем две ремизные рамы, которые заправляют числовым проводом и в процессе работы сдвигают поочередно вверх и вниз, образуя зев, через который пропускают стальной стержень и формуют вокруг него виткиобмотки. После набора необходимого числастержней полученную ткань режут с двух сторон и крепят к основанию матрицы, соединяя проводники пайкой, Стержнипри этом заменяют ЦМП (1 .Недостатком этого способа следует считать высокий процент брака, обус ловленный пропусканием тонкого провора через ремизные рамы, где он подвергается многократной деформации и механическим повреждениям, а также 25 низкой надежностью паяных соединений в числовой обмотке,.Наиболее близким техническим решением кданному изобретению является способ изготовления запоминающих матриц на 30 ЦМП, который основан на натяжениитехнологических струн, образовании зева между ними путем их разведения, формовке проводника технологическими струнами, перемещении сформованного проводника к адресным обмоткам, заливке компаундом и извлечении технологических струн 2.Недостатком известного способа является то, что формование проводника в момент закрытия зева происходит одновременно по всей длине проводника, -силы взаимодействия между струнами основы и проводником при этом препятствуют втягиванию свободного конца проводника, поэтому формование витков адресной обмотки про" исходит только за счет деформацииотрезка проводника, зафиксированного в момент закрытия зева. Возникающие деформации приводят к обрыву проводника, его утончению и нарушению его изоляции.Кроме того, струны, на которые уложен провод адресной обмотки при открытом зеве, не обладая достаточной жесткостью, а также под воздействием сил, прикладываемых,к формуемому проводу со стороны формующих его струн, несколько смещаются из своегонейтрального положения, что не обеспечивает; элной формовки вплетаемого провода.Целью изобретения является говышение надежности изготовления матриц.Поставленная цель достигается тем, 5 что согласно способу изготовления запоминающих матриц на ЦМП основанному на натяжении технологических струн, образовании зева между ними путем их разведения, формовке про водника технологическими струнами, перемещении .сформованного проводника к адресным обмоткам, заливке компаундом и извлечении технологических струн, располагают плоскость разведенных технолс-ических струн под углом к плоскости неразведенных технологических струн при неизменном угле наклона между плоскостями зева, формовку проводника осуществляют в направлении от вершины угла, образованного плоскостями зева, посредством закрытия зева при неизменном угле наклона между плоскостями зева до полного завершения формовки, пос-, ле чего совмещают плоскости зева в зоне плетения.На фиг. 1 изображен проводник, положение в момент закрытия зева; на фиг. 2 - разрез А-А на фиг. 1; на фиг. 3 - последовательное формование проводника в момент закрытия зева.В.соответствии с предложенным способом изготовление запоминающих матриц на ЦМП осуществляется следу ющим образом.На технологической основе натя. гивают технологические струны 1 (нечетные) и 2 (четные), Технологические струны 1 и 2,с помощью ремиз ных рам (не показаны) разводятся и образуют зев 3, при этом плоскость, образованная нечетными струнами 1, составляет с плоскостью, образованной четными струнами 2, угол Ы . В 45 зев вводится провод 4 адресной обмотки. формование провода 4 происходит при закрытии зева 3 в направлении от вершины угла сС, образованного плоскостями четных 2 и нечетных 1 струн (фиг. 3). При этом угол с сохраняется неизменным до окончания фор мовки, Свободный конец провода 4 при формовке втягивается из более широкой части зева (фиг. 3).В предложенном способе исключаются деформации провода адресной обмотки, так как формование витковпроисходит последовательно каждой парой струн, а за счет сохранения угла д. в процессе формовки постоянным,провод адресной обмотки имеет возможность свободно втягиваться в зону формовки,.Кроме того, последовательное закрытие зева одновременным сведением струн из обеих плоскостей в зоне формовки позволяет провести полную формовку провода адресной обмотки в результате того, что на формуемый участок провода действуют две противоположно направленные силы.Таким образом, расположение плоскостей четных и нечетных струн под углом друг к другу, сохранение угла до конца формовки витка посредством закрытия зева и совмещение плоскости. зева в зоне плетения позволяют устранить деформации провода при плетении и провести полную формовку провода, что повышает надежность изготавливаемых матриц.Формула изобретенияСпособ изготовления запоминающихматриц на цилиндрических магнитныхпленках, основанный на натяжениитехнологических струн, образованиизева между ними путем их разведения,формовке проводника технологическими струнами, перемещении сформованного проводника к адресным обмоткам,заливке компаундом и извлечениитехнологических струн, о т л и ч аю щ и й с я тем, что, с целью повышения надежности изготовления мат-риц, располагают плоскость разведенных технологических струн под угломк плоскости неразведенных технологи-.ческих струн при неизменном угленаклона между плоскостями зева, формовку проводника осуществляют внаправлении от вершины угла, образованного плоскостями зева, посредством закрытия зева при неизменномугле наклона между плоскостями зевадо полного завершения формовки, после чего совмещают плоскости зева взоне плетения.Источники информации,принятые во внимание при .экспертизе1. григорян Л.А. Запоминающиеустройства на цилиндрических магнитных пленках. М., "Энергия", 1975,с. 95.2. Авторское свидетельство СССР9 282428, кл. С 11 С 11/14, 1970. ВНИИПИ Государственн по делам изобретен 113035, Москва, ЖПо гО комитета С й и открытий Раушская наб
СмотретьЗаявка
3243202, 05.02.1981
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ А-7968
КОСИНОВ НИКОЛАЙ ВАСИЛЬЕВИЧ, КУЗЬМЕНКО ВЛАДИМИР МИХАЙЛОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G11C 11/14
Метки: запоминающих, магнитных, матриц, пленках, цилиндрических
Опубликовано: 15.09.1982
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-959160-sposob-izgotovleniya-zapominayushhikh-matric-na-cilindricheskikh-magnitnykh-plenkakh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках</a>
Предыдущий патент: Оперативное запоминающее устройство
Следующий патент: Ассоциативное запоминающее устройство
Случайный патент: Устройство для буксировки сейсмографной косы