Способ продвижения цилиндрических магнитных доменов

О П И С А Н И Е 1982087ИЗОБРЕТЕН ИЯ Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик АВТОРСКОМУ СВМДЕТЕЛЬСТВ) УДК 681.32 .661088.8) Опубликовано 15.12.82. Бюллетень М 4 Г по делам изобретеии и открытий ликования описания 25,12.82 ат Ъ6Кацянин вто ы бтов и Г досов, А. О. изобре зико-технический институт АН Укрзгцжой,ГСР,. 1(54) СПОСОБ ПРОДВИЖЕНИЯ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВИзобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических. магнитнь 1 х доменах (ЦМД).Известен способ продвижения ЦМД, основанный на создании в доменосодержащей пленке ряда чередующихся областей с противоположной намагниченностью ЦМД в цих с помощью системы последовательно соединенных проводников, расположенных на доменосодержащей пленке, При подаче в проводники постояйного тока. создают магнитное поле, нормальное поверхности тонкой магнитной пленки и периодически распределенное вдоль ее поверхности. Формируется магнитная структура в виде ряда полосовых доменов с интервалом, соответствующим интервалу между проводниками. После этого в полосовых доменах зарождаются ЦМД, и обазуется магнитная структура в виде ряда чередующихся областей с противоположной намагниченностью ЦМД в них .11.Недостатками данного способа являются его технологическая нанесение проводников в виде аппликаций) и методическая сложность (зарождение ЦМД в полосовыхдоменах). Наиболее близким техническим решением к изобретению является способ продвижения ЦМД, который основан на воздействии на доменосодержащую пленку импульсным градиентным магнитным полем. Какал про движения представляет собой узкую полоску ЦМД-материала, ширина которой ненамного превосходит равновеснь 1 й диаметр ЦМД, расположенную на немагнитной подложке. Продвижение ЦМД по каналу производится или при помощи токовых аипликаций, расположенных поперек канала, либо за счет градиентов магнитного поля, создаваемых полосой магнитомягкого материала с зубчатым краем, расположенного вдоль канала продвижения, под действием вращаю щегося планарного поля 2.Недостатком известного способа продвижения ЦМД является его низкая надежность в широком температурном интервале продвижения ЦМД.20Цель изобретения - повышение наде.кности и расширение температурного интервала продвижения ЦМД.Поставленная цель достигается тем, что.согласно способу продвижения ЦМД создают в доменосодержащей пленке линейный/2 о формула изобретения 25 зо 35 4 О 45 50 участок с локально измененными магнитными свойствами, воздейсгвие импульсным градиентным магнитным полем осуществляют импульсами магнитного поля с амплиО2 тудои напряженности НколНН, где Н л - напряженность магнитного поля коллапса свободного полосового домена; Нк лг напряженность магнитного поля коллапса домена в линейом участке доменосодержащей пленки с локально измененными магнитными свойствами, формируют на указанном линейном участке доме носодержа щей пленки гребнчатую доменную структуру в виде разнополярных полосовых доменов с волнообазной доменной границей между ними изменением амплитуды импульсов магнитного поля и перемещают гребенчатую доменную структуру в заданном направлении изменением частоты и полярности импуль. сов магнитного поля.Согласно предлагаемому способу размеры канала продвижения ЦМД и.период транспортной структуры не зависят от геометрических размеров элементов продвижения ЦМД, в частности проводника с током, а зависят только от свойств доменосодержащего материала и параметров импульсного тока. Вследствие этого, предлагаемый способ продвижения оказывается работоспособным практически во всем. интервале температур от 4,2 К до температуры Нееля используемого ЦМД-материала (за исключением интервала монодоменности в том случае, ког. да ЦМД-материал имеет точку компенсации Т, ).На фиг. 1 изображена гребенчатая доменная структура в виде разнополярных полосовых доменов с волнообразной границей между ними; на фиг. 2 и 3 - некоторые варианты кодировки информации (расположения ЦМД в элементах гребнчатой доменной структуры) в канале продвижения ЦМД.Продвижения ЦМД осуществляются следующим обазом.В доменосодержащей пленке создают линейный участок с локально измененными магнитными свойствами, характе)изующийся на личием дгасМ, ргали Я, где М и Я - соответственно намагниченность и фактор качества доменосодержащей пленки, и т. д.по направлению, перпендикулярному указанному участку. Прикладывают перпендикулярно плоскости пленки в зоне линейного участка с локально измененными магнитными свойствами импульсное градиентное магнитное поле с амплитудой напряженности Н НН, где Н л - напряженность полн коллапса свободного полосового домена; Нгк - напРЯженность полЯ коллапса домена в линейном участке с локально измененными магнитными свойствами. Изменением амплитуды импульсов магнитного 4поля формируют возникающую на линейномучастке гребнчатую доменную структуру продвижения ЦМД в виде разнополярных полосовых доменов с волнообазиой доменной границей между ними, ограниченных по сторонам полосовыми доменами, параллельно линейному участку (фиг. 1). Изменением частоты следования и полярности импульсов магнитного поля перемещают гребенчаО тую доменную структуру вдоль линеиного участка в заданном направлении.Кодировку информации можно осуществлять, например, преобазованием в ЦМД концов полосовых доменов гребнчатой структуры (фиг. 2) или путем генерации ЦМД между полосовыми доменами (фиг. 3),Создаваемый таким обазом специфический канал продвижения ЦМД может устойчиво работать в нулевых полях смещения во всем температурном интервале существования доменной структуры. С изменением температуры размеры канала автоматически перестраиваются в согласии с изменением диаметра домена. Способ продвиженияцилиндрическихмагнитных доменов, основанный на воздействии на доменосодержащую пленку импульсным градиентным магнитным полем, отличающийся тем, что, с целью повышениянадежности и расширения температурногоинтервала продвижения цилиндрических магнитных доменов, создают в доменосодержащей пленке линейный участок с локально измененными магнитными свойствами, воздействие импульсным градиентным магнитнымполем осуществляют импульсами магнитногополя с амплитудой напряженности НкряННол, где Нкол - напряженность магнитного поля коллапса свободного полосового домена; Н - напряженность магнитгного поля коллапса домена в линейном участке доменосодержащей пленки с локально измененными магнитными свойствами, формируют на указанном линейном участке доменосодержащей пленки гребенчатую доменнуюструктуру в виде разнополярных полосовыхдоменов с волнообразной доменной границей между ними изменением амплитуды импульсов магнитного поля и перемещают гребенчатую доменную структуру в заданномнаправлении изменением частоты и полярности импульсов магнитного, поля.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Патент США396395, кл. 340 - 174,опублик. 1977.2. Патент США3701129, кл, 340 - 174,опублик. 1976 (прототип).982087 О О едактор Е. Лазуренкоаказ 9722/73ВНИИПло13035, МФилиал ППП РозентальКорректор Л. БокшанПодписноекомитета СССРоткрытийская наб д 4/5д, ул. Проектная, 4 Составитель Б.Тех ред И. ВсрссТираж 622Государственногоелам изобретений исква, Ж - 35, РаушПатент, г. Уж горо