G03F — Фотомеханическое изготовление рельефных (текстурированных) поверхностей или поверхностей с рисунком, например для печати, для изготовления полупроводниковых приборов; материалы для этих целей; оригиналы для этих целей; устройства, специально приспособленные для этих целей

Номер патента: 1297624

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Барачевский, Бурменко, Гвоздовский, Гудзере, Задонцев, Камардин, Карнаух, Кислица, Козенков, Маслакова, Нерозник, Осташкова, Передереева, Санчугова, Стрежнев

МПК: G03F 7/004

Метки: дифракционной, копии, решетки

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОПИИ ДИФРАКЦИОННОЙ РЕШЕТКИ, включающий последовательное нанесение на стеклянную матрицу маннита, алюминия, моноокиси кремния и олигомерной композиции, содержащей олигомер, стирол и фотоинициатор, наложение на слой олигомерной композиции стеклянной подложки, обработанной метакрилоксиметилтриэтоксисиланом, отверждение композиции ультрафиолетовым светом и отделение подложки, отличающийся тем, что, с целью сокращения времени изготовления копии решетки и повышения ее климатической устойчивости, в качестве олигомера используют олигоуретанакрилат формулы(CH2= CH- -O-CH2-

Номер патента: 1398641

Опубликовано: 30.04.1994

Авторы: Белых, Тимашев, Федорец, Якименко

МПК: G03F 7/26

Метки: контактной, маски, подложке, прозрачной

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КОНТАКТНОЙ МАСКИ НА ПРОЗРАЧНОЙ ПОДЛОЖКЕ, включающий нанесение на ее рабочую поверхность слоя фоторезиста, формирования скрытого изображения путем экспонирования фоторезиста актиничным излучением с использованием поглощающего покрытия и проявление скрытого изображения, отличающийся тем, что, с целью улучщения точностных параметров маски, поглощающее покрытие формируют на обратной стороне подложки толщиной не менее четверти длины волны экспонирующего излучения, причем в качестве материала поглощающего покрытия используют медь.

Номер патента: 1632228

Опубликовано: 30.04.1994

Авторы: Есин, Зуева, Калашников, Князева, Модева, Олейник, Семчиков, Таранец, Треушников, Шульпин

МПК: G03F 7/32

Метки: гальванопластического, защитного, композиция, матрицы, наращивания, рельефа, фотополимеризующаяся

...е р 17, Определение средневязкостной молекулярной массы сополимера ММД с МДК и БМД с МДК,Средневяэкостную молекулярную массу Мд сополимеров, синтезированных по(ч) =К 45 50 55 примерам 1-16, определяют вискозиметрическим методом после предварительного метилирования.Метилирование сополимеров проводят по стандартной методике.Для определения характеристической вязкости используют вискозиметр Убеллоде, помещенный в термостатирующую баню 30 С. Последовательно определяют время истечения растворов исследуемого сополимера в ацетоне (концентрации растворов: 10; 5; 2,5; 1,25; 0,6 г/л) и время истечения чистого ацетона.Рассчитывают удельные вязкости ( т/уд) растворов сополимера указанных концентраций сополиЧера (Со) по формулет тотогде 1, то - время...

Номер патента: 1342279

Опубликовано: 30.04.1994

Авторы: Александрова, Гусарская, Есин, Калашников, Олейник, Померанцева, Таранец, Треушников

МПК: G03F 7/025

Метки: гальванопластического, защитного, композиция, матрицы, наращивания, рельефа, фотополимеризующаяся

ФОТОПОЛИМЕРИЗУЮЩАЯСЯ КОМПОЗИЦИЯ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАЩИТНОГО РЕЛЬЕФА МАТРИЦЫ ГАЛЬВАНОПЛАСТИЧЕСКОГО НАРАЩИВАНИЯ, включающая сополимер метакриловой кислоты и метилметакрилата формулыдиметакрилаттриэтиленгликоль, изобутиловый эфир бензоина и этиловый спирт, отличающаяся тем, что, с целью повышения разрешающей способности при толщине фотополимерного слоя 150 - 500 мкм, композиция содержит сополимер метакриловой кислоты и метилметакрилата общей формулы 1, где m = 600, n = 450, мол. мас. 90000 - 100000, и дополнительно содержит ингибитор радикальной полимеризации, выбранной из ряда хлоранил, бензохинон 2,2,6,6-тетраметил-4-оксопиперидин при следующем соотношении компонентов, мас. % :Сополимер метакриловой кислоты и метилметакрилата...

Номер патента: 1667529

Опубликовано: 30.05.1994

Авторы: Красножон, Фролов, Хворов

МПК: G03F 7/26

Метки: маски, формирования, фоторезистивной

СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ФОТОРЕЗИСТИВНОЙ МАСКИ, включающий нанесение на подложку слоя фоторезиста, его селективное экспонирование, проявление, сушку, обработку в плазме ВЧ-разряда смеси фторсодержащего газа и кислорода и термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения плазмостойкости маски, обработку в плазме осуществляют при содержании кислорода в смеси в количестве 20 - 40 об. % , давлении 60 - 100 Па и удельной мощности ВЧ-разряда 0,1 - 0,3 Вт/см2.

Номер патента: 1550745

Опубликовано: 15.10.1994

Авторы: Бицаева, Дюнова, Макаров, Максимова, Перепечкина

МПК: B23K 35/24, G03F 7/027

Метки: защитная, маска, фотополимеризующаяся

ФОТОПОЛИМЕРИЗУЮЩАЯСЯ ЗАЩИТНАЯ МАСКА при нанесении локальных гальванических покрытий и при пайке волной припоя, содержащая смешанный эфир эпоксидной смолы общей формулыR1-Rn-O-OC гдеR1 - -CH2= CH-CO-O-CH2- CH2-;R- -O O-CH2- -CH2-;n = 1 - 2,с мол. м. 600 - 2000, олигоэфиракрилат, фотоинициатор, гидрохинон, аэросил, краситель, полиметилсилоксановая жидкость,...

Номер патента: 1779170

Опубликовано: 27.01.1995

Авторы: Руднева, Слободянюк, Тищишина, Шкуренко

МПК: G03F 7/09

Метки: печатная, форма, фотополимерная

ФОТОПОЛИМЕРНАЯ ПЕЧАТНАЯ ФОРМА, состоящая из полиэтилентерефталатной подложки, адгезионного слоя, включающего пленкообразующий компонент, и фотополимеризующего слоя, включающего олигоуретанакрилат, полиэфир, мономер, изобутиловый эфир бензоина, динитрил азо-бис-изомасляной кислоты и этиловый спирт, отличающаяся тем, что, с целью повышения тиражеустойчивости и улучшения репродукционно-графических характеристик, адгезионный слой в качестве пленкообразующего компонента содержит сополимер диметилтерефталата, этиленгликоля и диэтиленгликоля общей формулы I среднечисловой мол.м. 6000 - 12000H[O(CH2)2 - O(CH2)2 - OOCC6H4COOCH2CH2]n OH,где...

Номер патента: 1584607

Опубликовано: 20.04.1995

Авторы: Быстров, Волков, Ковалев, Кузнецов, Погост

МПК: G03F 7/031

Метки: композиция, фотополимеризующаяся

ФОТОПОЛИМЕРИЗУЮЩАЯСЯ КОМПОЗИЦИЯ, включающая полимерный пленкообразующий компонент сополимер метилметакрилата с метилакрилатом (с соотношением звеньев 98 2 мас.) со среднемассовой мол.м. (8 12) 104 у.е. фотоинициатор смесь бензофенона с 4,4'-бис-(диметиламино)бензофеноном в массовом соотношении 3 5 1, полифункциональный акриловый мономер - диметакрилат-бис-(этиленгликоль)фталат или пентаэритриттриакрилат, краситель - основной синий K C.J. N 44040 или метиловый фиолетовый C.J N 42535, или Виктория чисто-голубой C. J N 42595, ингибитор гидрохинон или бисалкофен, гидроксилсодержащий полиэфир соединение общей формулы I

Номер патента: 1734487

Опубликовано: 30.04.1995

Авторы: Гунина, Мандрыкина, Пимкина, Поярков

МПК: G03F 7/42

Метки: позитивного, состав, удаления, фоторезиста

СОСТАВ ДЛЯ УДАЛЕНИЯ ПОЗИТИВНОГО ФОТОРЕЗИСТА, содержащий метилпирролидон, глицерин, алифатический амин и воду, отличающийся тем, что, с целью расширения эксплуатационных возможностей, он содержит указанные компоненты при следующем соотношении, об.Метилпирролидон 17-82Глицерин 1-20Алифатический амин 0,01-25Вода Остальное

Номер патента: 1653442

Опубликовано: 30.04.1995

Авторы: Гунина, Дынник, Мандрыкина, Пимкина, Поярков

МПК: G03F 7/42, H01L 21/312

Метки: позитивного, состав, удаления, фоторезиста

СОСТАВ ДЛЯ УДАЛЕНИЯ ПОЗИТИВНОГО ФОТОРЕЗИСТА, содержащий метилпирролидон и воду, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности процесса удаления, он дополнительно содержит глицерин и алифатический амин при следующем соотношении компонентов, об.Метилпирролидон 17-82Глицерин 10-20Алифатический амин 2-25Вода Остальное

Номер патента: 1829679

Опубликовано: 20.05.1995

Авторы: Гунина, Комаров, Суровцев

МПК: G03F 7/26

Метки: нанесенного, подложку, слоя, термообработки, фоторезиста

...способа для термообработки резиста позволит повысить качество слоя резиста, а именно равномерность слоя по толщине по поверхности подложки, уменьшить дефектность, а следовательно, увеличить выход годных после литографических операций за счет повышения качества термообработки. Все зто дает возможность ввести в КД допуск на размеры не +0,3 мкм, а + 0,2 мкм, получить воспроизводимость от пластины к пластине и по пластине уменьшить реставрацию. термопарой, Для сравнения проводилисьоперации термообработки известными методами; для шаблонов - конвекционным,для кремниевых пластин - посредством го 5 рячей плиты, Режимы обработки приведеныв табл. 3,Все полученные данные обрабатывались статистическим методом в производственных...

Номер патента: 1834530

Опубликовано: 20.05.1995

Авторы: Артемова, Кононов, Мещеряков, Огурцов, Поликарпов, Смоляницкий, Шульгин, Яковлев

МПК: G03F 7/20

Метки: микроизображений, формирования

...в масштабе "0:1). Максимально допустимым током луча, при котором обеспечивается возможность фор- " мирования изображений размером 0,2 мкм, является 0,25 мкА, При формировании изобракений в масштабе 10:1 требования к точности не будут удовлетворены, если ток превысит значение 10 мкА. Отсюда устанавливается требование ограничения площади сечения электронного луча в плоскости фокусировки таким образом, чтобы при выбранной на основании соотношения (1) плотности тока, общий ток луча не превышал значения иэ указанного выше диапазона.Известен способ экспонирования электронным лучом, согласно которому форми 1834530рование микроизображений обеспечивается облучением фигуры топопогического рисунка, прямоугольными штампами площадью, равной...

Номер патента: 1083809

Опубликовано: 27.05.1995

Авторы: Гетманский, Гунина, Лобов, Милюкова, Пимкина, Поярков

МПК: G03C 5/00, G03F 1/00

Метки: изображения, методом, обращения, проявления, составы, чернения

1. Способ получения изображения методом обращения на эмульсионной подложке, включающий формирование скрытого изображения, его проявление, отбеливание, осветление и чернение, промывку подложки после каждой операции в дистиллированной или деионизованной воде и финишную сушку, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей, чернение проявленного изображения проводят в течение 3 5 мин, а промывку подложки после чернения осуществляют в 0,2 0,3%-ном растворе алкилбензилдиметиламмоний хлорида в дистиллированной или деионизованной воде.2. Состав для проявления скрытого изображения, включающий в себя сульфит натрия, метол, гидрохинон, калий бромистый, роданистый калий, ускоряющее и буферное вещества и дистиллированную...

Номер патента: 1295930

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Кузнецов, Тряпицын

МПК: G03F 7/028

Метки: композиция, пленочного, сухого, фотополимеризующаяся, фоторезиста

ФОТОПОЛИМЕРИЗУЮЩАЯСЯ КОМПОЗИЦИЯ ДЛЯ СУХОГО ПЛЕНОЧНОГО ФОТОРЕЗИСТА, включающая пленкообразующий компонент, диметакрилат-бис-(этиленгликоль)фталат, фотоинициатор смесь бензофенона и 4,41-бис- (диметиламино)бензофенона, полиэфир, ингибитор, краситель и органический растворитель, отличающаяся тем, что, с целью повышения разрешающей способности композиции, ее устойчивости в кислой среде и улучшения реологических свойств при нанесении валковым ламинированием на поверхность, имеющую рельеф микронеровностей, композиция в качестве пленкообразующего компонента содержит полиметилметакрилат со среднемассовой мол. м. 4-9 104 или сополимер стирола с моно-н-бутиловым...

Номер патента: 1591688

Опубликовано: 27.06.1995

Авторы: Бурменко, Задонцев, Зайцев, Клебанов, Липская, Михайлова, Никифоренко, Подольская

МПК: G03F 7/00

Метки: композиция, фотополимеризующаяся

ФОТОПОЛИМЕРИЗУЮЩАЯСЯ КОМПОЗИЦИЯ для защитно-упрочняющего покрытия световодов, включающая эпоксиакриловый олигомер общей формулы Iгде n 3(мол.м. 552),адгезионную добавку и фотоинициатор, отличающаяся тем, что, с целью повышения адгезии, водостойкости, деформационно-прочностных свойств и скорости отверждения композиции, она в качестве адгезионной добавки содержит 1-метакриловый 3-[4-(2,3-эпокси)пропоксибензойный]эфир глицерина формулы IIи в качестве фотоинициатора 2,2-диметокси-2-фенилацетофенон при следующем соотношении компонентов, мас.ч.Эпоксиакриловый олигомер формулы I...

Номер патента: 1454116

Опубликовано: 25.07.1995

Автор: Кудряшов

МПК: G03F 7/26

Метки: фотолитографии

СПОСОБ ФОТОЛИТОГРАФИИ, включающий нанесение на подложку позитивного фоторезиста, модификацию его приповерхностного слоя пучком высокоэнергетических частиц, экспонирование через фотошаблон и проявление, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей за счет плавного управления снижением фоточувствительности фоторезиста, в качестве высокоэнергетических частиц используют электроны с энергией 1 5 кэВ.

Номер патента: 1674644

Опубликовано: 27.10.1995

Авторы: Витовтова, Чиркунов

МПК: G03C 1/74, G03F 7/16

Метки: нанесения, пленочного, подложку, покрытия

УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ПЛЕНОЧНОГО ПОКРЫТИЯ НА ПОДЛОЖКУ, содержащее столик для размещения и фиксации подложки, кинематически связанный с приводом вращения, магистраль для подачи сжатого газа на подложку со стороны столика и дозатор для подачи исходного материала покрытия, отличающееся тем, что, с целью расширения эксплуатационных возможностей устройства, в столике выполнено кольцевое углубление, соответствующее форме и размеру подложки, соединенное с магистралью для подачи сжатого газа, причем высота h его внутренней стенки и высота h его внешней стенки связаны соотношениемh

Номер патента: 1517663

Опубликовано: 20.01.1996

Авторы: Алейникова, Бунин, Малахов, Сутырин, Федорова, Хриткин

МПК: G03F 7/26, H01L 21/312

Метки: структур, субмикронных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СУБМИКРОННЫХ СТРУКТУР, включающий формирование резистивной маски путем нанесения на подложку слоя резиста, его электронно-лучевого экспонирования и жидкостного проявления, удаление недопроявленных остатков резиста в кислородной плазме и реактивное ионно-лучевое травление подложки под углом к обрабатываемой поверхности, отличающийся тем, что, с целью повышения точности изготовления структур, удаление недопроявленных остатков резиста в кислородной плазме осуществляют путем реактивного ионно-лучевого травления под углом к обрабатываемой поверхности, равным углу при последующем реактивном ионно-лучевом травлении подложки.

Номер патента: 1577555

Опубликовано: 20.01.1996

Авторы: Алейникова, Николенков, Сутырин, Хриткин

МПК: G03F 1/00, G03F 7/26, H01L 21/312 ...

Метки: хромовых, шаблонов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ХРОМОВЫХ ШАБЛОНОВ, включающий создание на поверхности заготовки шаблона защитной маски и реактивное ионно-лучевое травление пленки хрома, отличающийся тем, что, с целью улучшения оптических свойств шаблонов, реактивное ионно-лучевое травление пленки хрома проводят на 80 - 90% ее толщины, затем проводят ионно-лучевое травление в атмосфере инертного газа в течение времени t, удовлетворяющего соотношению t=(0,1-0,2) мин, где - время реактивного ионного травления пленки хрома на всю толщину, после чего осуществляют...

Номер патента: 1565302

Опубликовано: 27.01.1996

Авторы: Бунин, Иноземцев, Кораблин, Малахов, Самохин, Серова

МПК: G03F 7/26, H01L 21/312

Метки: подложке, полупроводниковой, рельефа

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РЕЛЬЕФА НА ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПОДЛОЖКЕ, включающий последовательное нанесение на подложку слоев электронорезисторов с термообработкой каждого слоя, формирование многослойной маски путем экспонирования и проявления системы слоев и перенос рисунка маски в подложку путем химического травления подложки в окнах маски, отличающийся тем, что, с целью повышения точности получения точности элементов рельефа, нанесение на подложку первого слоя электронорезиста осуществляют из раствора сополимеров полиметилметакрилата и метакриловой кислоты в смеси бутилацетата, толуола и этилцеллозольва, причем данный слой наносят толщиной 0,01 - 0,1 мкм, а его термообработку проводят при 210 - 220oС.

Номер патента: 1501756

Опубликовано: 20.02.1996

Авторы: Бунин, Курмачев, Мякиненков, Николенков, Павлова

МПК: G03F 1/00, G03F 7/26

Метки: фотошаблонов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОШАБЛОНОВ, включающий нанесение на подложку металлического маскирующего слоя, нанесение слоя электронорезиста на основе полиметилметакрилата, его сушку, экспонирование, проявление, термическое задубливание и селективное травление маскирующего слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет улучшения адгезии электронорезиста к металлическому маскирующему слою, перед травлением проводят обработку подложки в СВЧ-поле с удельной мощностью 0,2 - 0,8 Вт/см2 в течение 10 - 60 с.

Номер патента: 1817579

Опубликовано: 10.03.1996

Авторы: Ивлюшкин, Покрывайло, Устьянцев, Холостов, Чуриков

МПК: B41C 1/14, G03F 7/12

Метки: жидкой, композиции, основе, печатной, трафаретной, формы, фотополимеризующейся

...толщины заполимеризованной композиции над сеткой 0,07++ 0,007 мм, ширину отверстий 0,7 +0,005 мм.При этом точность нанесения слоя запо 35 лимеризованной композиции в 3-5 раз выше по сравнению с точностью нанесенияполучаемой любым известным способом изготовления трафаретной печатной формы,Разрешающая способность при изготовле 40 нии предлагаемым способом повышается в2 раза,микросхем, .заключающийся в изготовле Изобретение относится к областям техники, применяемым в методах трафаретной печати, и может быть использовано для изготовления печатных форм в производстве газоразряднцх индикаторных панелей,Целью данного изобретения является повышение качества трафаретной печатной формы за счет уменьшения влияния сеточной основы на формирование...

Номер патента: 1804223

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Беляева, Зыкова, Фролов

МПК: G03F 7/40

Метки: маски, упрочнения, фоторезистивной

...смеси, Нижний предел содержания ацетона в растворе обусловлен сохранением приемлемого времени обработки (не более 5 мин), верхний предел - стойкостью обрабатываемого фоторезиста к воздействию раствора (при содержании ацетона более 45 мас. происходит сильная эрозия ФРМ). Выбор ацетона в качестве реагента обусловлен его стойкостью к действию КМпОрастворимостью КМп 04 в ацетоне и растворимостью фоторезистов в ацетоне.Решений, характеризующихся признаками, сходными с признаками, отличающими заявляемое решение от протбтипа, не обнаружено, поэтому можно сделать вывод о новизне и существенности отличий заяв- "0 ляемого решения.П р и м е р 1. На кремниевых пластинах.покрытых пленкой алюминия толщиной 1 мкм, формировали ФРМ иэ фоторезиста...

Номер патента: 1834588

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Берестенко, Боков, Буравцев, Можаров, Мшенская, Сатаров, Шевченко

МПК: G03F 7/26, H01L 21/312

Метки: интегральных, микросхем, рельефа, формирования

...ф 10 кл/смприводит к тому, что резист не сшивается,а края рисунка расплываются, что существенно повышает дефектность.Экспонирование дозой более 5 ф 102кл/см может привести к полимеризациипленки резиста, которая является маской дляплазмополимеризованного слоя, что такжеповышает дефектность.Реактивно-ионное травление плазмополимеризованного стирола проводят при давлении не более 10 Па и удельной мощности2,5 - 3 Вт/см,Травление плазмополимеризованного стирола при давлении более 10 Па ведет кувеличению остаточных частиц в объеме и,к уменьшению длины их свободного пробега,а значит эти частицы имеют возможностьчаще сталкиваться с рабочей поверхностьюподложки и могут быть захвачены, ею, чтоповышает привносимую дефектность,Травление при...

Номер патента: 1331369

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Земсков, Игуменов, Чесноков

МПК: G03F 1/00, H01L 21/312

Метки: локального, нанесения, подложку, покрытия

1. Способ локального нанесения покрытия на подложку, включающий осаждение покрытия из парогазовой фазы металлоорганического соединения под действием лазерного излучения, отличающийся тем, что, с целью повышения адгезии покрытия и производительности процесса, осаждение покрытия осуществляют при общем давлении, равном атмосферному, а облучение осуществляют последовательностью импульсов излучения наносекундного диапазона длительностей и мощностью в импульсе 107 109 Вт/см2, причем в процессе облучения проводят периодическое отклонение луча с частотой, меньшей частоты следования импульсов или некратной ей.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве металлоорганических соединений используют летучие...

Номер патента: 1618157

Опубликовано: 27.10.1998

Авторы: Арефьев, Гильманов, Запорожец, Паутов

МПК: B41C 1/14, B41N 1/24, G03C 1/72 ...

Метки: сеткотрафаретного, экрана

Способ получения сеткотрафаретного экрана, включающий приготовление пленочного материала путем полива водной композиции на основе полинивилового спирта и полимерного наполнителя на полиэтилентерефталатную основу и сушки, накатывание полученного пленочного материала на сетку, предварительно смоченную водным раствором бихромата аммония с последующей сушкой, экспонирование и проявление водой, отличающийся тем, что, с целью повышения разрешающей способности экрана и улучшения качества изображения, в качестве полимерного наполнителя используют водную дисперсию сополимера винилацетата с 2 - 50 мол. % диалкилмалеината с числом углеродных атомов в алкильном радикале от 2 до 8 или с 2 - 95 мол.% этилена при следующем соотношении компонентов водной...

Номер патента: 738456

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Куликов, Немтинов, Пашков

МПК: G03F 7/04

Метки: изображения, подложке, полимерной, полиметилметакрилате, преимущественно

Способ получения изображения на полимерной подложке, преимущественно на полиметилметакрилате, включающий нанесение на поверхность подложки светочувствительного материала, формирование защитной маски, окрашивание пробельных участков поверхности подложки в растворе органического красителя, удаление защитной маски, отличающийся тем, что, с целью повышения качества изображения, перед нанесением светочувствительного материала на поверхность подложки последовательно наносят слой токопроводящей эмали и гальванический слой меди, а после формирования защитной маски проводят избирательное удаление нанесенных слоев.

Номер патента: 1018521

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Андреев, Лейбзон, Леонова, Мыльцева, Пясецкая

МПК: G03F 5/04

Метки: изображения, растрового, регулятор, структуры

Применение натриевой соли ди-2-этилгексилоктаэтиленгликолевого эфира сульфоянтарной кислоты формулыв качестве регулятора структуры растрового изображения.

Номер патента: 1019935

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Андреев, Лейбзон, Леонова, Мыльцева, Пясецкая

МПК: G03F 5/04

Метки: изображения, растрового, регулятор, структуры

Применение полигликолевого эфира изооктилфенола формулыв качестве регулятора структуры растрового изображения.

Номер патента: 1176735

Опубликовано: 10.08.1999

Авторы: Кузовкин, Тудоси, Халугин

МПК: B41M 3/02, G03F 1/00

Метки: издательского, карты, оригинала

1. Способ изготовления издательского оригинала карты, заключающийся в том, что переносят изображение с составительского оригинала на гравировальную основу, производят ручное гравирование на ней соответствующего элемента содержания карты с последующим контактным копированием гравюры на малодеформирующуюся пленку с помощью актиничного излучения, отличающийся тем, что, с целью повышения качества изготовления, перенос изображения осуществляется факсимильным гравированием на глубину, составляющую 20 - 30% от толщины непрозрачного для актиничного излучения слоя гравировальной основы, с последующим механическим гравированием соответствующего элемента содержания карты по образовавшимся...