Гусарская

Номер патента: 1342279

Опубликовано: 30.04.1994

Авторы: Александрова, Гусарская, Есин, Калашников, Олейник, Померанцева, Таранец, Треушников

МПК: G03F 7/025

Метки: гальванопластического, защитного, композиция, матрицы, наращивания, рельефа, фотополимеризующаяся

ФОТОПОЛИМЕРИЗУЮЩАЯСЯ КОМПОЗИЦИЯ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАЩИТНОГО РЕЛЬЕФА МАТРИЦЫ ГАЛЬВАНОПЛАСТИЧЕСКОГО НАРАЩИВАНИЯ, включающая сополимер метакриловой кислоты и метилметакрилата формулыдиметакрилаттриэтиленгликоль, изобутиловый эфир бензоина и этиловый спирт, отличающаяся тем, что, с целью повышения разрешающей способности при толщине фотополимерного слоя 150 - 500 мкм, композиция содержит сополимер метакриловой кислоты и метилметакрилата общей формулы 1, где m = 600, n = 450, мол. мас. 90000 - 100000, и дополнительно содержит ингибитор радикальной полимеризации, выбранной из ряда хлоранил, бензохинон 2,2,6,6-тетраметил-4-оксопиперидин при следующем соотношении компонентов, мас. % :Сополимер метакриловой кислоты и метилметакрилата...

Номер патента: 1105851

Опубликовано: 30.07.1984

Авторы: Гусарская, Зеленова, Калашников, Олейник, Померанцева, Треушников

МПК: G03C 1/68

Метки: композиция, фотополимеризующаяся

...композиции при толщинах 50 100 мкм в несколько раз больше, чем50 у композиции по базовому объекту, При толщинах более 100 мкм светочувствительность предлагаемой композиции превышает светочувствительность композиции по базовому объекту в де - 55 сятки раз.Незащищенные участки матрицы, выполненной на базе предлагаемой ком П р и м е р 2, Композицию готовят как в примере 1 при следующем соотношении компонентов, вес.0:Хлорированный поливинилхлорид 12,01 етиловый эфир бензоина 1,2Эпоксидная смола 25,0Диметакрилаттриэтиленгликоль 61,8П р и м е р 3. Композицию готовят как в примере 1 при следующем соотношении компонентов, вес. Е:Хлорированный поливинилхлоридМетиловый эфир бензоинаЭпоксидная смолаДиметакрилаттриэтиленгликоль 78,3 5,0 0,7...

Номер патента: 1025815

Опубликовано: 30.06.1983

Авторы: Григорьев, Гусарская, Овчинников, Подгорный

МПК: E02F 9/00

Метки: монтажа, основания, подвышечного

...сборку верхнейчасти подвышечного основания производятс возможностью расположения ее стороныдля монтажа вышки снизу верхней частиподвышечного основания, которое соединяют с нижней частью подвышечного ос 50новяния посредством мехяьиэмв промежуточного поворота, и подъем верхней частиподвышечного основания производят путемпоследовательного поворота ее вокруг осеймеханизма промежуточного поворота, фик". сациюв вертикальном положении и отсоединение механизма промежуточного поворота с возможностью последующего поворота верхней части подвьшечного основания совместно с вышкой.Устройство для монтажа подвышечного основания, включающее связанную с верхней частью подвышечного основания опору с возможностью ее шарнирного соединения с нижней частью...

Номер патента: 615448

Опубликовано: 15.07.1978

Авторы: Гусарская, Лебедева, Меликова, Олейник, Треушников

МПК: G03C 1/68

Метки: защитных, негативных, пленочных, помощью, рисунков, сухих, фоторезистов

...Формула изобретения Редактор Л. Емельянова За каз 3907/37 ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и. открытий 113035, Москва, Ж 35, Раушская наб. д. 4/5 Филиал ППП кПатентэ, г. Ужгород, ул. Проектная, 4том лавсановой пленкой, появление диффе. ренцнрованной прочности сцепления облученных и необлученных участков возникает только в том случае, если после экспонирования, не позднее, чем через 4 - 5 мин фо. торезистивные пленки, прикрепленные к под ложке, подвергнуть термообработке при .60 - 100 С в течение 3 - 0,5 мин. Проведение такой термообработки способствует резкому увеличению прочности сцепления облученных участков пленки с подложкой, В этом случае необлученные участки пленки легко удаляются...

Номер патента: 615447

Опубликовано: 15.07.1978

Авторы: Гусарская, Зеленцов, Лебедева, Меликова, Олейник, Треушников

МПК: G03C 1/68

Метки: защитных, негативных, помощью, рисунков, сухих, фоторезистов

...нтрахннона с образованием макрорадикалов ПММА;2) собственно реакция привитой сополимеризации триакрилатментаэритрита на ГАММА, включающая в качестве первого шага передачу .свободной валентности с ПММА на одну из двойных связей ТАПЭ.Было также, найдено, что со второй стадией конкурирует реакция взаимодействия кислорода с макрорадикалами ПММА, Эта реакция блокирует привитую сополимеризацию. Если температура при экспонировании ниже 40 - 50 С, то образующиеся макрорадикалы реагируют преимущественно с растворенным в пленке кислородом, что и обуславливает низкую светочувствнтельность сухих негативных фоторезистов. Светочувствительность этих резистов резко возрастает, если экспонирование проводить прн температурах пленки 60 в100 С, В...