Треушников

Номер патента: 1342279

Опубликовано: 30.04.1994

Авторы: Александрова, Гусарская, Есин, Калашников, Олейник, Померанцева, Таранец, Треушников

МПК: G03F 7/025

Метки: гальванопластического, защитного, композиция, матрицы, наращивания, рельефа, фотополимеризующаяся

ФОТОПОЛИМЕРИЗУЮЩАЯСЯ КОМПОЗИЦИЯ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАЩИТНОГО РЕЛЬЕФА МАТРИЦЫ ГАЛЬВАНОПЛАСТИЧЕСКОГО НАРАЩИВАНИЯ, включающая сополимер метакриловой кислоты и метилметакрилата формулыдиметакрилаттриэтиленгликоль, изобутиловый эфир бензоина и этиловый спирт, отличающаяся тем, что, с целью повышения разрешающей способности при толщине фотополимерного слоя 150 - 500 мкм, композиция содержит сополимер метакриловой кислоты и метилметакрилата общей формулы 1, где m = 600, n = 450, мол. мас. 90000 - 100000, и дополнительно содержит ингибитор радикальной полимеризации, выбранной из ряда хлоранил, бензохинон 2,2,6,6-тетраметил-4-оксопиперидин при следующем соотношении компонентов, мас. % :Сополимер метакриловой кислоты и метилметакрилата...

Номер патента: 1632228

Опубликовано: 30.04.1994

Авторы: Есин, Зуева, Калашников, Князева, Модева, Олейник, Семчиков, Таранец, Треушников, Шульпин

МПК: G03F 7/32

Метки: гальванопластического, защитного, композиция, матрицы, наращивания, рельефа, фотополимеризующаяся

...е р 17, Определение средневязкостной молекулярной массы сополимера ММД с МДК и БМД с МДК,Средневяэкостную молекулярную массу Мд сополимеров, синтезированных по(ч) =К 45 50 55 примерам 1-16, определяют вискозиметрическим методом после предварительного метилирования.Метилирование сополимеров проводят по стандартной методике.Для определения характеристической вязкости используют вискозиметр Убеллоде, помещенный в термостатирующую баню 30 С. Последовательно определяют время истечения растворов исследуемого сополимера в ацетоне (концентрации растворов: 10; 5; 2,5; 1,25; 0,6 г/л) и время истечения чистого ацетона.Рассчитывают удельные вязкости ( т/уд) растворов сополимера указанных концентраций сополиЧера (Со) по формулет тотогде 1, то - время...

Номер патента: 1810397

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Булгакова, Есин, Зуева, Калашников, Нестерова, Радковский, Розенштейн, Сацкая, Таранец, Треушников

МПК: C25D 1/10

Метки: гальванопластического, матриц, плоских, сложнопрофилированных, формирования

...нижнего слоя, наносили методом центрифугирования на металлическое основание из"0 нержавеющей стали 12 Х 18 Н 10 Т толщиной1 мм и сушили при температуре 50 С втечение 30 мин, Раствор ФПК, приготовленный для верхнего слоя наносили методомцентрифугирования на лавсан толщиной15 30 мкм и сушили при температуре 50 С в(валика) лавсановую пленку с нанесеннымслоем ФПК прикатывали на металлическоеоснование с нанесенным слоем ФПК таким20 образом, чтобы произошло сцепление обоих слоев ФПК (не должно быть защемленных пузырьков воздуха),Экспонирование проводили светомртутной лампы ДРК - 120 через фотошаблонс заданным рисунком в течение 120 с, Интенсивность света падающего на поверхность фотошаблона составляла 100 Вт/м.После экспонирования...

Номер патента: 1105851

Опубликовано: 30.07.1984

Авторы: Гусарская, Зеленова, Калашников, Олейник, Померанцева, Треушников

МПК: G03C 1/68

Метки: композиция, фотополимеризующаяся

...композиции при толщинах 50 100 мкм в несколько раз больше, чем50 у композиции по базовому объекту, При толщинах более 100 мкм светочувствительность предлагаемой композиции превышает светочувствительность композиции по базовому объекту в де - 55 сятки раз.Незащищенные участки матрицы, выполненной на базе предлагаемой ком П р и м е р 2, Композицию готовят как в примере 1 при следующем соотношении компонентов, вес.0:Хлорированный поливинилхлорид 12,01 етиловый эфир бензоина 1,2Эпоксидная смола 25,0Диметакрилаттриэтиленгликоль 61,8П р и м е р 3. Композицию готовят как в примере 1 при следующем соотношении компонентов, вес. Е:Хлорированный поливинилхлоридМетиловый эфир бензоинаЭпоксидная смолаДиметакрилаттриэтиленгликоль 78,3 5,0 0,7...

Номер патента: 920624

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Олейник, Треушников, Фролова

МПК: G03F 1/02

Метки: защитных, негативных, помощью, рисунков, фоторезистов

...нанесенного на поверхность матрицы-держателя. Затем непрозрачный материал убирают и производят экспониоование через фотошаблон с рисунком.Предложенный способ реализуется3 следующим образом. П р и м е р, На обезжиренную и очищенную поверхность хрома наносят слой негативного Фоторезиста из раствора 7,5 г натурального циклизованного40 каучука (МВ 30000, .коэффициент непредельности 48/) и 0,225 г 2,6-ди(4- -азидобензаль) -циклогексанона в 100 мл толуола и м-ксилола (3:1)(ТУ на фоторезист ФН6-14"631-71), Слой сушат при 80 С в течение 20 мин, Толщина высушенного слоя составляет 1 мкм. На слой фоторезиста накладывают Фотошаблон, а на него непрозрачный материая, который закрывает на Фотошаблоне участки с высокой плотностью элементов, и...

Номер патента: 645990

Опубликовано: 05.02.1979

Авторы: Калашников, Олейник, Тимин, Треушников, Шульпин

МПК: C25D 1/10

Метки: гальванопластического, матрица, наращивания, плоских

...1, слой 2 Фоторезиста, 5прилегающий к металлическому основанию, основной защитный слой 3, элементы 4 гальнанопластически осажденного изделия, дополнительный промежуточный слой 5 из триакрилатг 1 ентаэрит- )0рита,Введение дополнительного слоя изтриакрилатпентаэритрита позволилоукрепить между собой слои нз сухогопленочного Фоторезиста, составл:ощего осовной ваши оный сло:, и негативных Фоторезистов (ФН, ФП),непосредственно нанесенных ца металлическое основание.Повышение адгези между слосцизащитного копировального рельеФа матрицы обусловлено тс.м, что при использовании в качестне дополнительного промежуточного слоя триакри.цатпентаэритрита обеспечивается термо 5динамическая сонместимость его как сматериалом основного зашитного...

Номер патента: 615449

Опубликовано: 15.07.1978

Авторы: Зеленова, Олейник, Померанцева, Треушников, Фролова

МПК: G03C 1/68

Метки: изображений, материалах, рельефных, фотонеактивных

...только из фотонеактивногослоя и новьзсить эдгезию фотонеактнвногослоя к иодложке, то облученные участки светочувствительного слоя можно удалить нагззевэннем (фнг, 26. Необлученные участкисветочувствительного слоя прн нагреваниине удаляются. При нанесении фотоиеактивиого слоя Возникает ситуация, изображен- фбиая на фиг. 2 в, После прнкатывания лентыс клеевым слоем и ее отделении образуетсярельефное изображение из фотонеактивногослоя (поз. 2 г), Зто изображение так же каки в первом случае является негативным, ане позитивным, Отличие состоит лишь втом, что между подложкой и фотонеактивным слоем нет светочувствительного слоя.Пример I,1) На алюминиевую подложку центрифугированием наносят слой композиции полиметилметакрилата (ПММА) с...

Номер патента: 615448

Опубликовано: 15.07.1978

Авторы: Гусарская, Лебедева, Меликова, Олейник, Треушников

МПК: G03C 1/68

Метки: защитных, негативных, пленочных, помощью, рисунков, сухих, фоторезистов

...Формула изобретения Редактор Л. Емельянова За каз 3907/37 ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и. открытий 113035, Москва, Ж 35, Раушская наб. д. 4/5 Филиал ППП кПатентэ, г. Ужгород, ул. Проектная, 4том лавсановой пленкой, появление диффе. ренцнрованной прочности сцепления облученных и необлученных участков возникает только в том случае, если после экспонирования, не позднее, чем через 4 - 5 мин фо. торезистивные пленки, прикрепленные к под ложке, подвергнуть термообработке при .60 - 100 С в течение 3 - 0,5 мин. Проведение такой термообработки способствует резкому увеличению прочности сцепления облученных участков пленки с подложкой, В этом случае необлученные участки пленки легко удаляются...

Номер патента: 615447

Опубликовано: 15.07.1978

Авторы: Гусарская, Зеленцов, Лебедева, Меликова, Олейник, Треушников

МПК: G03C 1/68

Метки: защитных, негативных, помощью, рисунков, сухих, фоторезистов

...нтрахннона с образованием макрорадикалов ПММА;2) собственно реакция привитой сополимеризации триакрилатментаэритрита на ГАММА, включающая в качестве первого шага передачу .свободной валентности с ПММА на одну из двойных связей ТАПЭ.Было также, найдено, что со второй стадией конкурирует реакция взаимодействия кислорода с макрорадикалами ПММА, Эта реакция блокирует привитую сополимеризацию. Если температура при экспонировании ниже 40 - 50 С, то образующиеся макрорадикалы реагируют преимущественно с растворенным в пленке кислородом, что и обуславливает низкую светочувствнтельность сухих негативных фоторезистов. Светочувствительность этих резистов резко возрастает, если экспонирование проводить прн температурах пленки 60 в100 С, В...