G03F — Фотомеханическое изготовление рельефных (текстурированных) поверхностей или поверхностей с рисунком, например для печати, для изготовления полупроводниковых приборов; материалы для этих целей; оригиналы для этих целей; устройства, специально приспособленные для этих целей

Номер патента: 1764027

Опубликовано: 23.09.1992

Автор: Ясенчук

МПК: G03F 7/00

Метки: жидких, композиций, печатных, проявления, форм, фотополимеризующихся

...с козырьком для изменения направления воздуха, соединен с емкостью 37, выполненной с краном 38 для слива жидкой композиции и с трубопроводом 39 для отвода воздуха в атмосферу.Пэтрубок 35 соединен с емкостью 40 для сбора воды или водного раствора, поступающего из ракеля после промывки рельефа 41 печатной формы, снабженного теплонагревателем 42 и трубопроводом 39 для отвода воздуха в атмосферу,Устройство для проявления печатных форм снабжено пультом управления 43 ее работой в ручном или автоматическом режимах.. Проявления печатных форм в устройстве производят следующим образом,Вначале перед проявлением печатной формы в емкость 40 заливают воду или водный раствор и включают теплонагреватели 42 для подогрева ее до с = 40-50 С и тепло-...

Номер патента: 1768043

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Райнер, Юрген

МПК: G03F 3/02

Метки: изображений, копировальной, репродукции, ретуши, цветных, электронной

...ретушь должна 45быть произведена из одного цветоделенияв другое, например при переносе тени изцветоделения "пурпурное" в цветоделение"черное", получают К э = амМ.При другом виде копировальнй ретуши 50новые значения цвета для замещения Ездля точек записи Я вычисляют, исходя извыражения Ез = а Ез + Ь Е 1, путемвзвешенного сложения первоначальныхзначений цвета Еэ точек записи Я и значений цвета Ег относящейся к ней точки считывания , при этом этот вид копировальнойретуши может быть также произведен как в цветном изображении, так и в одном из цветоделений,При помощи этого вида ретуши могут быть получены, например, двойные изображения.Для оценки полученного результата копировальной ретуши на экране 3 цветного монитора 2 может быть...

Номер патента: 1772779

Опубликовано: 30.10.1992

Авторы: Полищук, Рубан, Руднева, Чуднова

МПК: G03F 7/42

Метки: печатных, покрытия, раствор, сеток, трафаретных, удаления, форм, фотополимерного

...характеризуют отношением количества ячеек, иэ которых покрытие удалено полностью, к общему количеству ячеек на единице площади сетки, Величину выражают в процентах,Механическую прочность сеток определяют путем испытания образцов сеток наразрыв по ГОСТ 3813-72.Кратность использования трафаретныхсеток характеризуют по показателям чистоты ячеек и прочности на разрыв ситовыхтканей после каждого снятия фотополимерного покрытия предлагаемым раствором.За показатель кратности принимают количество снятий фотополимерного покрытия с ситовой ткани, которое не вызываетснижения прочности ткани более, чем в двараза от первоначальной прочности, приобеспечении чистоты ячеек не менее 99,П р и м е р 4. Трафаретную печатнуюформу изготавливают, как в...

Номер патента: 1547556

Опубликовано: 07.12.1992

Авторы: Белых, Малахов

МПК: G03F 1/00

Метки: контактной, фотолитографии, фотошаблон

...в слое фото- ф,резиста, В современной технологии фотолитографии, как правилй, используются уфоторезистивные пленки толщиной 0,4 - 1,0 умкм, Таким образом, для достижения минимального размера необходимо, чтобы фо- фкальные плоскости собирающих оптическихлинз лежали на расстоянии, не превышающем 0,4 мхм от рабочей поверхности фото- ашаблона,Фотошаблон согласно изобретению состоит из рельефной стеклянной подложки срасположенным на выступах маскирующимслоем. Впадины рельефа выполнены в соответствии с элементами топологии с вогнутыми основаниями, Эти элементы топологиипредставляют собой области в стеклянной1547556 Составитель О. ПавловаРедактор Т, Лошкарева Техред М, Моргентал Корректор Н, Гунько Заказ 562 Тираж Подписное ВНИИПИ...

Номер патента: 1781666

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Баран, Белицкий, Быков, Генгало, Горбань, Гридченко, Макаровский, Черная, Щерба

МПК: G03F 7/20

Метки: пластин, фотополимеризующихся, экспонирования

...экран 2, вакуумный пластинодержатель 3, а также отражательныйэкран 4, размещенный надлюминесцентны ми лампами облучателя 1, и установленный под пластинодержателем 3 вакуумный насос 5 с вакуумметром 6. Светокорректирующий экран 2 включает в себя затвор 7,светорассеиватель 8, светофильтр 9 и осно вание 10.Установка работает следующим образом,На вакуумном пластинодержателе 3размещают фотопленку, накладывают на Указанная цель достигается тем, что установка для экспонирования фотополимеризующихся пластин, содержащая облучатель с люминесцентными лампами ультрафиолетового излучения, вакуумный 5 пластинодержатель и затвор, снабжена размещенным над вакуумным пластинодержателем перпендикуляррно. направлению светового потока...

Номер патента: 1786464

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Бусыгина, Гомон, Дацко, Канафоцкая, Карпенко, Лазаренко, Луцив, Маслюк, Старченко, Юрре

МПК: G03F 7/004

Метки: композиция, офсетных, печатных, светочувствительная, форм

...задержки, твердых схем с высокой разрешающей способностью, в радиотехнике и микроэлектронике. Но при использовании этого состава композиции в полиграфии, где для офсетных печатных форм применяют Слой толщиной 3-5 мкм, разрешающая способность слоя составляет 120 - 180 лин/см. Кроме того, технологический процесс с ее использованием включает операцию термообработки, которая должна проводиться в узком интервале температур при создании условий равномерного прогрева всей поверхности формной пластины. 6 ли зость рабочей температуры прогрева к интервалу термического разложения производных о-нафтохинондиазида, а также большие форматы офсетныхпластин выдвигают дополнительные требования к точности проведения процесса термообработки, которая в...

Номер патента: 1789540

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Авраменко, Белюнене, Кашевский, Ковальчук, Комарова, Лазаускене, Стреконис

МПК: C09D 167/07, G03F 7/027

Метки: композиция, фотополимеризуемая

...полимерной композиции гексаметилендиамина приводит к увеличению теплового эффекта реакции, в результате чего полимерная композиция в момент отверждения разогревается. Повышение температуры способствует улучшению совместимости компонентов, С другой стороны, отверждение композиции происходит под действием УФ-света (фотоинициирование, полимеризация). Независимость скорости фотохимического инициирования от температуры приводит к быстрому отверждению композиции в разогретом состоянии, что обеспечивает фиксацию достигнутой прочности композиции в моментразогрева за счет действия гексаметилендиамина.Изобретение иллюстрируется следующими примерами,П р и м е р ы 1-5, В расчетное количество олигоэфиракрилата марки ОКМдозированного весовым методом,...

Номер патента: 1792538

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Бернд, Манфред, Ринальдо, Эгинхард

МПК: G03F 7/028

Метки: состав, фотополимеризующийся

...слоя 35 см/ на алюминиевую пленку толщиной 200 ум. 50,0 г АсЮап (уретан-акрилата) (Яосете После удаления растворителя при 60 С в Мэбопа без Роидгез ет ЕхрозИз) течение 15 мин в конвекцйойной сушильной, 0,3 г ВуК 300 (ВуЕ-Майпсгой) камере на жидкий слой накладывали поли- Этот состав порциями смешивали с эфирную пленку толщиной 76,им и нанее 5 1,8 б 6 бензилкеталя формулы накладывали стандартизованный тестовый О О 1 СН 2 СНО)Б(СК)СИ негатив с 21 ступенями различной оптиче- . Иской плотности клин Штауфера). Пробу по. С С -С- крывали второй УФ-прозрэчной пленкой и с . помощью вакуума нажимали на металличе :.О (СНСНО)5(СН) СН скую пластину, Затем пробу освещали ме- и 0,2 ОД в расчете нэ содержание твердых таллогалогенидной лампой...

Номер патента: 1797087

Опубликовано: 23.02.1993

Автор: Ганиев

МПК: G03F 5/00

Метки: проекционный, растр

...изобретения состоит в том,что. прозрачные линии растра будут иметьлинейные размеры, возрастающие от центра к краям поля изображения и при равной. наложенной освещенности величина освещенности за. растром будет тем большей,чем больше ширина прозрачной линии (см.:Шашлов Б,А. Теория фотографических процессов. М,: Книга, 1981, с, 286).30Так как при репродукционной съемкеналоженная на растр освещенность будетнеравномерной, убывающей от:центра растра к его краям, а освещенность за растромбудет, наоборот, возрастать от центра к периферии поля иэображения, то неравномерность освещенности, наложенной на растр,будет компейсироваться неравномерностью освещенности за растром и поэтомупри экспонировании.на центральные и периферийные участки...

Номер патента: 1797088

Опубликовано: 23.02.1993

Авторы: Кухта, Романенко

МПК: G03F 7/00

Метки: жидкой, композиции, основе, офсетной, печати, печатных, типоофсетной, форм, формирующе-копировальная, фотополимеризующейся, фотополимерных

...образовать герметическую полость и иметь дополнительные источники для подогрева жидкости.Цель изобретения - в надежности и упрощении конструкции установки.Поставленная цель достигается тем, что в известной формирующе-копировальной установке содержащей остов, формирующую кассету, состоящую из нижней и верхней полукассет, имеющих ростовые планки, прозрачный элемент, подложку и средства их скрепления, системы подогрева подложки, облучатели, системы крепления негатива и подачи композиции, ростовые планки жестко укреплены нэ верхней полукассете по периметру ее рабочей плоскости, а подложка расположена внутри ограниченной10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 ими плоскости, при этом в верхней полукассете вмонтированы по М-образной форме не менее...

Номер патента: 1798760

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Касьянова, Сергеев

МПК: G03F 5/02

Метки: крестообразный, проекционный, растр

...по площади проекционного растра будет соответствовать распределению яркости оригинала с учетом условий экспонирования, и смыкание растровых элементов в полутонах будет осуществляться по оси, параллельной растровым линиям 3, Приращение площадей растровых элементов будет происходить в соответствии с приращением логарифма яркости оригинала, Предлагаемый растр обеспечивает передачу большого числа градаций яркости, чем все известные проекционные растры, поскольку оптическая плотность фотохромных линий меняется в зависимости от яркости оригинала. При этом процесс регулирования градационной характеристики растровых негативов упрощается вследствие исключения операции изменения размера диафраг 1798760 4мы или растрового расстояния в...

Номер патента: 1801221

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Дитер, Клаус, Уве, Хайнц, Эберхард

МПК: G03F 3/02

Метки: изображений, репродукции, ретуши, форме, цветных, цифровой, частичной, электронной

...изображения, Присовпадении адресов снова появляется команда "Светоуказатель" на линии 34, и генератор 21 светоуказателя образует световуюточку в светоуказателе 31, передвигающуюся по экрану 3,Для определения коэффициента ретуширования г(х,у) для каждой ретушируемойточки изображения с координатами х и укоординатное перо 51 используется оператором в качестве "кисти для ретуши" и многократно проводится по соседним линиямчерез область листа цифрового преобразователя 50, соответствующую области изображения, подлежащей ретушированию(число проводок на точку изображения является мерой желаемой степени ретуширования в этой точке изображения).Координаты х и у, затронутые или перейденные координатным пером 51, непрерывно передаются по линии 53...

Номер патента: 1353142

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Иванковский, Семенова, Сульжиц

МПК: G03F 1/00, G03F 7/26

Метки: рисунка, шаблона

...получен в соот ветствии с изобретением был изготовлен резистивный делитель большой ин" тегральной схемы (БИС) аналого-цифрового преобразователя (АПП) . Идентичные прямоугольные элементы 12 резисторов делителя длиной 300 мкм (между контактными областями алюминия) и шириной 45 мкм формировались на фотооригинале экспонированием одного н того же прямоугольного фрагмента 3 длиной 32 мкм и шириной 45 мкм, образованного диафрагмой фотонаборной установки ЭИ 559 Б, .О раз со смещением на длину прямоугольного фрагмента 3 после каждой экспозиции, Кратность экспозиции М определялась, искодя из требования к допустимому . стандартному отклонению ширин идентичных элементов (/), из выраженияВ ьИ ъ( в в ) . С изготовленного фотоИ Уоригинала на...

Номер патента: 1805444

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Кривенцов, Сергеев, Чепелев

МПК: G03F 5/02

Метки: копий, крестообразных, проекционных, растров

...конкретного выполнения способа: лист меди обезжиривают (мел + 5 Н) на медную фольгу толщиной до 150 мкм наносят в центрифугу копировальный слой на основе ПВС при скорости вращения крестовины ротора 80 об/мин и при температуре 40 С и сушат в течение 10 мин; толщина копировального слоя при этом составляет 3+5 мкм. После этого фольгу с нанесенным копировальным слоем копируют линейчатый растр в течение 2 мин, при освещенности около 20000 лк. Проявление в воде 1 мин при температуре 38 - 40 С; Окраска в растворе метилвиолета в течение 3 мин, промывка в воде в течение 1 мин, дубление в растворе хромовых квасцов в течение 40 с.Промывка в воде в течение 1 мин, обжиг при температуре 180 С в течение 10 мин, Оборотную сторону фольги...

Номер патента: 1809924

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Клаус, Юрген

МПК: G03F 3/02

Метки: изображений, репродукции, ретуши, форме, цветных, цифровой, частичной, электронной

...уменьшающаяся сила ретуши в зависимости от расстояния от средней точки плоскости ки сти. Коэффициенты ретуши после одного шага коррекции (п=1) показаны на фиг, 5 б, а после трех шагов коррекции (п=З) - на фиг, 5 в. В результате оценки точки а с а=1 и точки б с а=2 получается, например, после 55 трех шагов коррекции для точки а величина коррекции Ек=З Ь Е, а для точки б уже удвоенная величина коррекции, а именно Ей=6 Ь,Е, Коэффициенты ретуши вне плоскости кисти равны нулю. Одновременнодля отдельных случаев схематично показаны профили силы ретуши при помощи средней точки плоскости кисти.Коэффициенты ретуши г, полученные всхеме 37 обработки датчика 33 ретуши, вовремя паузы считывания изображения нацветном мониторе 2 передаются через...

Номер патента: 1809925

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Клаус, Юрген

МПК: G03F 3/02

Метки: изображений, репродукции, ретуши, форме, цветных, цифровой, частичной, электронной

...кирующим интервалом.С началом обозначенного стрелкой Вбланкирующего интервала записи изображения вызывается первая пара(2, 3) координат точек изображения в списке и поадресной шине 52 выбирается соответствующий адрес устройства 47 запоминания ретуши, Хранящийся под этим адресоммножитель г ретуши считывается по адресной шине 52 с увеличением на определенное абсолютное значение, например на "1""1" (ослабление рисунка) и по шине 53 сбораданных перезаписывается опять в устройство 47 запоминания ретуши, В приведенномпримере при усилении рисунка соответствующий множитель "15" ретуши увеличивается на "1" до "16" и переэаписывается.Затем вызываются последовательноследующие пэры координат точек изображения из списка, После перезаписи множителей...

Номер патента: 1812546

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Бекичева, Жулай, Калоева, Псарева

МПК: G03F 7/26

Метки: заготовки, фотошаблона

...стеклянную подложку шем соотношении компоне1812546 Корректор Е,Папп Составитель ,.ьеляевТехред М.Моргентал едак Заказ 1576 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 и ставили в центре вращающегося дискацентрифуги и накрывали колпаком скоро сть вращения 1000 об/мин в течение 1 мин).Стеклянную подложку с полученным тонкимслоем ( 0,25 мкм) помещали в предварительно нагретый до 80-100 С сушильныйшкаф, доводили т до 160 С, выдерживали20-30 мин и наносили регистрирующийслой, Адгезионная прочность изготовленной изложенным способом заготовки фотошаблона составляла 100 г,П р и м е...

Номер патента: 1817861

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Глыбина, Гуров, Девяткина, Звонарева, Каленова, Крюковский, Мальцева, Перова, Сидякина, Смеловская, Холмянский, Шалаев, Эрлих

МПК: G03F 7/004

Метки: негативный, фоторезист

...мкм.о Микронеровность пленки составляет 100 А; при этом клин проявления 1,0 мкм. Примеры получения фоторезиста и егохарактеристики представлены в табл. 1 и 2, В зависимости от массовой доли сухого остатка композиции, формирование пленки проводят при частоте вращения 4000-1000мин, остальные стадии фотолитографического процесса проводят аналогично примеру 1,5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 Фотолитографические характеристикиоценивают по следующим параметрам: толщина фоторезистивной маски, светочувствительность, микронеровность, разрешающаяспособность, клин проявления,Стабильность фоторезиста при храненииопределяют продолжительностью сохранения беэ изменений фотолитографических характеристик. При этом контролируют такжепоявление посторонних...

Номер патента: 1824623

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Алиева, Глебов, Даниленко, Кирсанов, Коноваленко, Присяжнюк

МПК: G03F 7/00

Метки: видимого, изображения, полупроводниковый

...одом-инструменовый элемент ый заданным обжду фотопроводметаллической и электрическую щую протекание Процесс получения видимого изображения заключается в следующем.На элемент 4 через прозрачный проводящий слой 5 проецируют заданным образом сформированный световой поток; прозрачный электрод 5 подключают к отрицательному полюсу батареи, подложка 1, соответственно - к положительному полюсу. Через зазор, образованный диэлектрическими прокладками 3, пропускают электролит. В результате, протекания электрического тока металлическая пленка 2 подвергается анодному растворению, интенсивность которого в данной точке металлической пленки 2 определяется освещенностью соответствующего участка фотопроводникового элемента 4. Различная глубина...

Номер патента: 1825362

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Манько, Селиванов, Фирсов, Фролов

МПК: C07C 309/75, G03F 7/022

Метки: 2-нафтохинондиазида, качестве, компонента, оксибензоилбензофенона, позитивного, светочувствительного, сульфоэфир, фоторезиста

...и м е р 2. Используют в качестве светочувствительного компонента диэфир 1,2-нафтохинондиаэида (2), 5-сульфокислоты и 2,4 диоксибензоил-бензофенона общей формулыОо0 С где г)= 2оОсОв котором отношение числа нафтохинондиаэиных групп в молекуле к числу гидроксильных групп 2;О.Приготавливают композицию позитивного фоторезиста следующего состава,;6;25,5 Контраст у оценивают по известной методике с построением характеристической кривой - зависимости толщины проявленной пленки фотарезиста ат дозы экспонирования по формуле: Светочувствительныйкомпонент 9,5 Плен кообразующийкомпонент - трикрезолформальдегидная смолаСф Растворитель - диметиловыйэфир диэтиленгликоля 65 Фоторезист фильтруют через мембранный фильтр с размером пор 0,2 мкм, методом...

Номер патента: 1825425

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Абрамович, Аскеров, Дударчик, Кабанова, Казарцева, Крупен, Ладутько, Маринченко, Сахарова, Сердюк, Скорнякова, Чальцева, Челушкин, Чикирисова, Шумилкина, Эрлих

МПК: G03F 7/023, G03F 7/039

Метки: позитивный, термостойкий, фоторезист

...до температуры 63 4. 3 С и в течение 2 ч добавляют 78 г фпрмальдегида (в виде 37-ного формалина, Реакционную массу выдерживают в течение 3 ч при 67 + 3 С и охлаждают до 20 - 25 С, а затем выделяют на 700 г деиониэированной воды, охлажденной до 5-10 С, Выделившуюся смолу отфильтровывают, промывают деионизированной водой, отжимают. Пасту смолы растворяют в 277 г уксусной кислоты при перемешивании и нагревании до температуры 40-50 С. Затем охлажденный раствор выделяют на 185 г деионизированной воды,охлажденной до 5 - 10 С, Выделившуюся смолу отфильтровывают, суспендируют в 60-ной водной уксусной кислоте, отфильтровывают, промывают, отжимают и сушат.Получают креэолоформальдегидную смолу с Т пл.155 С; Миг=50005500; (3-4; массовая доля...

Номер патента: 1825426

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Абрамович, Аскеров, Дударчик, Кабанова, Комагоров, Крупен, Ладутько, Маринченко, Сахарова, Сердюк, Чальцева, Челушкин, Чикирисова, Шумилкина, Эрлих

МПК: G03F 7/023

Метки: позитивный, фоторезист

...не хуже, чем 1:2,что позволяет при толщине пленки фотореэиста 2,0-2,3 мкм проводить травление слояалюминия на глубину до 2 мкм.П р и м е р ы 1-20, Приготовление композиции фоторезиста,8 колбу при перемешивании загружаютсмесь метилцеллозольвацетата иксилола, исветочувствительные продукты при 18-23оС и размешивают до полного растворения.добавляют диатомит или активированный уголь (масса которого составляет 3-10 от массы светочувствительного продукта), размешивают 1,0-1,5 ч и фильтруют на лвбора 1825426торном друк-фильтре при давлении азота неболее 0,2 кгс/см,Фильтрат собирают в круглодоннуюколбу с механической мешалкой, добавляютизмельченную .крезолоформальдегидную 5смолу и КЭПА, размешивают 3-4 ч до полного растворения кусочков смолы....

Номер патента: 1838158

Опубликовано: 30.08.1993

Авторы: Берг, Игнатьев, Сенюков

МПК: B41C 1/10, B41N 1/00, G03F 7/26 ...

Метки: печатной, формы, фотополимерной

...физико-механических параметров проводят при температуре 20 С,П р и м е р 2. Образец печатной формы иэфотополимера типа "Флексофот" облучаютпучком электронов с энергией 10МэВ стоком пучка электронов, равным 10 мкА, втечение 25 мин. Измерение физико-механических параметров проводят при температуре 20 С, 15П р и м е р 3, Аналогично примеру 1,Измерение физико-механических параметров проводят при температуре 140 С,Режимы способа выбирались, исходя изследующих соображений: при энергии электронов ниже 0.5 МэВ (Ее 0,5 МэВ) выводэлектронов через вакуумные окна установкизатруднен, происходит разрушение выходного окна, при Ее 10 МэВ, идут фотоядерныереакции у -и, происходит активация оборудования, возникает радиационная опасность, При плотности...

Номер патента: 1308111

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Берлин, Красножон

МПК: G03F 1/00, H01L 21/312

Метки: рисунка, фотошаблона

...и диапазоне 0,41-0,54 нм (Ац .дМО л Г),),или ультрафиолетом сдлиной волны 180-470 нм через фотошаблон, или. на Оптикомеханическом генераторе иэображений с поглощаемой дозой; достаточной для фотохимической диффузии сеРабРз в слой АвхЯе -х Обычно ДО 1 Дж/см,После этого удаляют слой серебра с неэкспонировзнных участков путем Обработки структуры в растворителе сере)ра, удобнее всего в 20-3)%-ном растворе НКО; Проявление экспонированных участков до полного удапения неэкспонированных участков слоя АэхЯеьх проводят путем Формула иэобоетенил СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РИСУНКА ЭОТОШАБЛОНА, вкпочающий последовательное нзнесанис на проэрзчнио подлож ку слоя полиимидз неорГаничаскОГО резиста на Основе халькОГениднОГО стаклоОб)ззного полупроводника,и слОЯ...

Номер патента: 1314881

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Берлин, Красножон, Чернышов

МПК: G03F 1/00, H01L 21/312

Метки: рисунка, фотошаблона

...130 С в течение 30 мин и экспонирование рисунка топологии на установке ЭМ, После проявления рисунка в 0,5(-ном растворе КОН и эадубливании его при температуре 140 С в течение 1 О мин проводят травление пленки 3 алюминия в травителе состава НЗРОп; НМОэ: СНэСООН : Н 20 = 140:6:30:5. Затем осуществляют реактивно-ионное травление слоя 2 сополимера поли глицидил мета крилата с этилэкрилатом в кислороде на установке УВПпри давлении 2,6 Па на установке вакуумного напыления УРМЗ,279,040 электронно-лучевым и термическим испарением, одновременно напыляют покрытие 5 (слой кермета на основе двуокиси кремния с содержанием никеля от 1 до 10 ат.1 ь). Затем полученную структуру обрабатывают в 10-ном растворе КОН до удаления слоев алюминия и...

Номер патента: 2003155

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Гектин, Свешникова, Фарбер

МПК: G03F 3/00

Метки: изображения, полиграфического, синтеза, фотоформ, цветного, цветоделенных

...используется телевизионно-компьютерный способ получения условного псевдоцветнсгс изображения, в заявляемом изобретении - полиграфический способ цветного изображения с заданной точностью воспроизведения памятных цветов изобракения, причем цветоделенные фото- формы, изготавливаемые по предлагаемому способу на электронных цветокорректорах, имеют в контрольных участках изображения скрытые координаты цвета (относительные размеры растровых элементов), обеспечивающие получение памятных цветов в процессе печати полиграфических оттисков, Отличительными признаками предлагаемого способа является возможность получения с помощью скеннера и тиражирования полиграфическим способом цветного иэображения обьекта сьемки по сигналам видеоинформации с...

Номер патента: 2004083

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Бутовецкий, Коломникова, Крупнов, Себежко

МПК: G03F 7/20, H05K 3/00

Метки: изображения, пленочном, себежко, скрытого, фоторезисте

...фотокомпозиции без видимойее вертикальной составляющей обьясняется, например, разницей более чем в два разалинейных размеров формируемого рисункаиз фоторезиста в этих плоскостях, т.е. в данном случае при толщине пленочного фоторезиста 50 мкм ширина формируемого изнего элемента составляет 125 мкм,Исходя из рассмотренной информации,возможности существующих сухих пленочных фоторезистов, например, по разрешающей способности могут быть расширены,если управлять величиной 2 Ьх. Для этогообратимся к фиг. 2.На фиг, 2 а показана известная совокупность элементов в вакуумной раме установки экспонирования перед формированием вфотокомпозиции скрытого изображения, Нафиг. 26 схематично показано начало усадкифотокомпозиции под...

Номер патента: 2004918

Опубликовано: 15.12.1993

Автор: Моисеев

МПК: G03F 7/00

Метки: высокой, печати, печатных, форм

...в том числе и машинных способов. Кроме того, способ позволяет создавать равномерную глубину травления по всей поверхности пластины независимо от расстояния между элемен тами рельефа."Эмульсионное травление типографских печатных форм на магнии". М., Книга. 1965. Изобретение относится к полиграфии и может быть использовано при изготовлении печатных форм.Известен способ изготовления печатных форм для высокой печати, включающий формирование печатающих и пробельных элементов на металлической подложке с нанесенным.слоем фоторезиста путем экспонирования оригинала, проявлению, нанесения на печатающие элементы защитного слоя и травления.Целью изобретения является повышение качества печатных форм за счет обеспечения. заданной глубины травления...

Номер патента: 2004919

Опубликовано: 15.12.1993

Автор: Алексеев

МПК: G03F 7/23

Метки: изображения, копии, плоской, поверхности

...быть электронного, электромеханического или чисто механического типов,Но толщины наносимыхна поверхность красочных пленок будут воспроизводить оптические плотности оригинала правильно лишь в том случае, когда краситель остается на поверхности, образуя стабильную ровную пленку. 8 действительности, в связи с тем, что при распылении образуются капли различных размеров. оседающие на поверхность, не всегда создаются условия для стабильного пленкообразования. Чаще, особенно на участках с низкими оптическими плотностями, осевшие на поверхность капли образуют множество красочных точек различных размеров, Результирующая оптическая плотность участков будет отличаться от теоретической. Кроме того, различные поверхности могут впитывать часть...

Номер патента: 1026564

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Довжик, Зубрицкий, Коган, Коломиец, Котлецов, Лантратова, Любин, Шило

МПК: G03F 1/00

Метки: фотошаблон

1. Фотошаблон, содержащий подложку с двухслойным маскирующим покрытием на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников, прилегающий к подложке нижний слой которого выполнен из материала системы As - Se, отличающийся тем, что, с целью повышения разрешающей способности и износостойкости конструкции материал нижнего слоя имеет полимеризованную структуру, а верхний слой выполнен из материала AsI-xSex, где 0,45 x 0,55 с деполимеризованной структурой, причем толщина нижнего слоя удовлетворяет условию 0,05 h