G03F 7/028 — с веществами, повышающими светочувствительность, например фотоинициаторами

Номер патента: 212752

Опубликовано: 01.01.1968

МПК: G03F 7/028, G03F 7/039

Метки: негативных, фоторезистов

...происходит фотохимическое структурирование полимера, поэтому после проявления в щелочных, водных растворах происходит растворение необлученных участков и образование рельефного защитного рисунка. Концентрация проявителя целиком определяется видом радикала К в вышеприведенной общей формуле смол. Полученное защитное покрытие без дополнительно термического дубления позволяет производить травление окислов кремния, сплавов МЛТ толщиной 0,5 - 1 мк, кремния на глубину 50 в 1 мк без видимых разрушений поверхности подложки, покрытой пленкой фоторезиста.Применение предлагаемых фоторезистов позволяет получать схемы с размером отдельных элементов 3 - 5 мк. П р и м е р 1, К 10 о/,-ному раствору фенольнодифенилоксидной смолы, полученной при...

Номер патента: 426386

Опубликовано: 30.04.1974

МПК: G03F 7/028

Метки: 426386

...покрывают составом, содержащим желатин и 1- метокси-метилпиридин-и-толуолсульфонат в количестве, достаточном для получения 3% альдегида от общего веса твердого слоя, Толщина слоя 6 мк, Полученный материал подвергают действию ультрафиолетового излучения с помощью лампы мощностью 140 вт, расположенной на расстоянии 6,2 мм от поверхности материала, через пленку, имеющую непрозрачные и прозрачные участки. Затем промывают водой. Не подвергнутые действию лучевой энергии участки отмываются, а сшитые остаются. Аналогичные результаты получаются при использовании:2-р - анилиновинил - 1-метоксипиридин-п-толуолсульфонат, четырехфтористыи борат 1-этокси-метилхинолина, дибромид 1,1-тстраметилендиоксибис-(2-метилпиридина),426386 Альдегид...

Номер патента: 1792538

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Бернд, Манфред, Ринальдо, Эгинхард

МПК: G03F 7/028

Метки: состав, фотополимеризующийся

...слоя 35 см/ на алюминиевую пленку толщиной 200 ум. 50,0 г АсЮап (уретан-акрилата) (Яосете После удаления растворителя при 60 С в Мэбопа без Роидгез ет ЕхрозИз) течение 15 мин в конвекцйойной сушильной, 0,3 г ВуК 300 (ВуЕ-Майпсгой) камере на жидкий слой накладывали поли- Этот состав порциями смешивали с эфирную пленку толщиной 76,им и нанее 5 1,8 б 6 бензилкеталя формулы накладывали стандартизованный тестовый О О 1 СН 2 СНО)Б(СК)СИ негатив с 21 ступенями различной оптиче- . Иской плотности клин Штауфера). Пробу по. С С -С- крывали второй УФ-прозрэчной пленкой и с . помощью вакуума нажимали на металличе :.О (СНСНО)5(СН) СН скую пластину, Затем пробу освещали ме- и 0,2 ОД в расчете нэ содержание твердых таллогалогенидной лампой...

Номер патента: 1295930

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Кузнецов, Тряпицын

МПК: G03F 7/028

Метки: композиция, пленочного, сухого, фотополимеризующаяся, фоторезиста

ФОТОПОЛИМЕРИЗУЮЩАЯСЯ КОМПОЗИЦИЯ ДЛЯ СУХОГО ПЛЕНОЧНОГО ФОТОРЕЗИСТА, включающая пленкообразующий компонент, диметакрилат-бис-(этиленгликоль)фталат, фотоинициатор смесь бензофенона и 4,41-бис- (диметиламино)бензофенона, полиэфир, ингибитор, краситель и органический растворитель, отличающаяся тем, что, с целью повышения разрешающей способности композиции, ее устойчивости в кислой среде и улучшения реологических свойств при нанесении валковым ламинированием на поверхность, имеющую рельеф микронеровностей, композиция в качестве пленкообразующего компонента содержит полиметилметакрилат со среднемассовой мол. м. 4-9 104 или сополимер стирола с моно-н-бутиловым...