G03F — Фотомеханическое изготовление рельефных (текстурированных) поверхностей или поверхностей с рисунком, например для печати, для изготовления полупроводниковых приборов; материалы для этих целей; оригиналы для этих целей; устройства, специально приспособленные для этих целей

Номер патента: 1652963

Опубликовано: 30.05.1991

Авторы: Астахов, Гордовер, Креймерман

МПК: G03F 3/08

Метки: записывающему, прикатки, фотопленки, цветоделительной, цилиндру

...в пальцах 7 и 8, которые через упругие втулки 9 расположены в жесткозакрепленной планке 10 и планке 11,закрепленной на кронштейне 5,Кронштейны 5 закреплены на неподвижных осях 1225Устройство работает следующим образом.В исходном положении плоские пружины 6 удерживают прижимной валик 1ма некотором расстоянии от записывающего цилиндра, При повороте оператором рукоятки 2 пальцы 7 и 8 в упругих втулках 9, которые закрепленыв планках 10, 11, поворачиваются под.действием плоских пружин 6, а кронштейны 5 вместе с рычагами 3 и 4 совершают движение по дуге окружностивокруг неподвижной оси 12,В результате этого прижимной валик 1 входит в контакт с записывающим цилиндром и удерживается в этом 40положении с помощью плоских пружин 6. Для отвода...

Номер патента: 1654772

Опубликовано: 07.06.1991

Авторы: Михалюк, Руденко, Шур

МПК: G03F 7/00

Метки: жидких, композиций, печатных, полимиризующихся, проявления, рельефных, форм

...инструкций, Валковое устройство по окончании процесса протирают ватой,смоченной ацетоном,П р и м е р ы 2 и 3. Получают печатнуюформу, как описано в примере 1, Отличие5 состоит в том, что на поверхность формыперед проявлением (пример 2) или в процессе проявления (пример 3) укладывают полиэтиленовую пленку толщиной 20 мкм.Скорость перемещения эластичного валика10 относительно формы составляет 1,0 м/мин,После проявления защитную пленку снимают с формы. Параметры и качество формыпрактически не отличаются от полученнойпо примеру 1. Очистка валкового устройства15 не требуется.П р и м е р ы 4 - 23. Получают печатнуюформу с использованием экспонирующейустановки ФЛЭ - 66, состоящей из излучателя на базе металлогалоидной лампы ДРТИ 20...

Номер патента: 1306402

Опубликовано: 07.06.1991

Авторы: Грибов, Мазин, Родионов

МПК: G03F 1/00, H01L 21/312

Метки: заготовки, регенерации, фотошаблона

...и сушки. Контроль качества фоташаблона проводится с помощью Оптического микроскопа при увеличенич от 200 до 500 крат. П р и и е р 2. Пришедшие в негодность в результате эксплуатации фото".шаблоны (появление недопустимого количества проколов) с маскиру 1 ощим слоем хрома после операции снятия маскирующего слоя и выдержки в окислитель.:ной среде дополнительно выдерживаютв щелочной среде раствор едко:":с иатра ИаОН в воде с РН 11 и 11,5 ед. инебольшой добавкой поверхностно:активного вещества) в течение 4 м:при температуре раствора 50 и о 5"СсОответственно, Затем поДложки ИОДвергают финишной полировке и изготавливают фотошаблоны,П р и м е р 3. Забракованные .поневытравливаемым точкам фотошаблоцы и фатошаблонные заготовки, забракованные па...

Номер патента: 1658120

Опубликовано: 23.06.1991

Авторы: Кмить, Лебедь, Мервинский, Чуприна, Шовгенюк

МПК: G03F 5/00

Метки: контактных, растров

...значениям параметра К0,9 приводит к сильному смыканию ячеек контактногоо растра и резкому падению контраста, что приводит к уменьшению интервала оптических плотностей контактного растра,Для формирования заданного профиля элементарной ячейки контактного растра и, следовательно, оптимальной градационной характеристики контактного растра экспонирование производят за двумя и более диафрагмами. Причем, изменяя конфигурацию экспонирующей диафрагмы, получают различную форму изоденс контактного растра и, следовательно, различную структуру растровых элементов.Особенностью использования двойной растровой системы является то, что формирование высокого контраста растрового поля, необходимого для получения контактного растра с интервалом...

Номер патента: 1662361

Опубликовано: 07.07.1991

Автор: Марица

МПК: G03F 7/26, H01L 21/312

Метки: рисунка, формирования

...плазме также позволяет избежать контакта сверхпроводящей пленки с органическими растворителями или другими жидкими реактивами, приводящего к ухудшению сверхпроводящих 45 свойств используемого материала. Реализация способа возможна с использованием как позитивного, так и негативного реэистов.П р и м е р 1, На подложку из ЯгТ 10 с площадью поверхности 5 см2 с помощью триодного распыления наносят слой 1 ВаСи 507 =-толщиной 0,3 мкм и подвергают его обработ-, ке в кислороде при температуре 850 С. Полученный слой является высокотем 55 пературным оксидным сверхпроводящим слоем с критической температурой л 93 К. Затем наносят слой оксида алюминия А 10 з толщиной 0,3 мкм методомвысокочастотного ионного распыпения.После этого методом...

Номер патента: 1665335

Опубликовано: 23.07.1991

Авторы: Ганиев, Грибановский, Папченко, Цуканов, Ченцова, Щеглов

МПК: G03F 5/02

Метки: диафрагмированных, линзовых, растров

...сушка, нанесесовмещения контуров линзовых и диафраг- ние на одну из сторон стекляной пластинки мируемых элементов. защитного покрытия, сенсибилизация, проП р и м е р. На стеклянную(ГОСТ 685-75) мывка, активирование, промывка, сушка, предварительно подготовленную активиро- печать линзовых элементов. Сушка нане- ванную раствором хлорида палладия пла- сенных линзовых элементов. Химическая стинку толщиной 2 мм наносят, например, металлизация растра. Промывка, Сушка. трафаретным способом, оптически прозрач- Ф о р м у л а и 3 о б р е т е н и я ную композицию на базе эпоксидной смо- Способ изготовления ддафрагмированлы и диэтиленамина, после отверждения ных линзовых растров, заключающийся в композиции производят химическую ме-...

Номер патента: 1668964

Опубликовано: 07.08.1991

Автор: Фролов

МПК: G03F 7/085

Метки: люминесцентный, материал, светочувствительный

...и м е р 1 (известный), Для приготовления светочувствительного слоя берут антрацен и полистирол в соотношении 1:33 (мас.ч,). Для этого в растворе полистирола(0,25 г) в 5 мл хлороформа растворяют 0,0075 г антра цен а, Хло роформн ы й раствор, содержащий 50 полимерного связух, в голограль - повыше- материала в ктра, Для этоющий подложсодержащим ние - 2-хлор- ,4-, или 2,5-, ен ил-пи риобразующий идон, поливиь, полувино - 20 мас,ч. В очувствитель 2 табл."Л Н аблица лидон в соотношении 1:17 мас.ч, Для этого навеску поливинилпирролидона 0,25 г растворяют в 5 мл этанола. В этот раствор вносят навеску соединения0,015 г, Спиртовый раствор, содержащий 5 полимерного связующего и 0,3 соединения , наносят на подложку поливом, сушат 60 мин при 20 С....

Номер патента: 1672406

Опубликовано: 23.08.1991

Авторы: Гавенко, Крикуненко, Лазаренко, Шаблий

МПК: G03F 7/004

Метки: жидкой, композиции, мелкорельефных, основе, печатных, форм, фотополимеризующейся, фотополимерных

...в нее предорошковый полимер, или карбоксильные е осуществляют элекв течение 1,5-3,0 м и и.1672406 Таблица 1 между валками устройства, предназначенного для прокатки негатива к системе подложка - фотополимериэующаяся композиция с порошковым полимером.П р и м е р 1, Металлическую пластину - основу будущей формы - сталь марки 08 КП толщиной 0,25 мм помещают в камеру в качестве анода, В камере находится фотополимеризующаяся композиция состава, мас,:Монометакриловый эфирэтиленгликоля и фталевойкислоты 80 Триэтиленгликольдиметакрилат 1 Фотоинициатор 5 и порошковый полимер с амино- или карбоксильными группами дисперсностью 10- 20 мкм 57; по отношению к массе основной композиции, находящийся во взвешенном состоянии в результате...

Номер патента: 1674400

Опубликовано: 30.08.1991

Автор: Киселев

МПК: G03F 7/20, H05K 3/00

Метки: печатных, плат, рисунка, спиральных, фотошаблонах, элементов

...сектора -УО+Е,Дискретно увеличиваот радиус дуги доОзначения Вз =- В 2 + = в момент пересечеиния экспонирующим лучом оси +7, а центр дуги скачкообразно перемещают в точку С по окружности 4 в направлении стрелки 5 и перемещают экспонирующий луч по круговой дуге радиусом Вз в пределах сектора +70+Х и т,д. до достижения экспонируюдиус расположения центров дуг спирально,О,го элемента 1 из условия г =- - ; устанавлиивают экспонирующий луч в начальную точкуспирального элемента 1, расположенную напересечении окружности 2 радиуса г и первой оси (в данном случае - оси -Х), проходящей через центр спирального элемента,перемещают экспонирующий луч в каждомиз секторов по круговой дуге, при этомцентр дуги, формируемой между 1-й и +1-йосью,...

Номер патента: 1675836

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Ганиев, Грибановский, Папченко, Цуканов, Ченцова, Щеглов

МПК: C25D 1/10, G03F 5/00

Метки: линзовых, матрицы, растров

...т,е, стой лишь разницей, чта диаметр прозрачных дисковсоставляет 56 мкм, и эту структуру размещают таким образом, чтобы центры ее прозрачных дисков строго совпадали сцентрами медных дисков предыдущегослоя. Далее все операции повторяются, после чего наносится третий слой фоторезиста, в котором описанным способомформируют отверстия диаметрам 29 мкм,расположенные строго па центру медныхдисков предыдущего ряда (для более точнойаппроксимации профиля линзовых элементов заданной кривизны таких чередующихся операций нанесения фоторезистивноймаски и наращивания слоя металла должнобыть не 3, а гораздо больше, при этом используются бинарные структуры, у которыхшаг уменьшения диаметра прозрачных дисков стремится к минимальной...

Номер патента: 1473568

Опубликовано: 15.10.1991

Авторы: Бедельбаева, Колобов, Любин, Любина, Петьков, Седых

МПК: G03F 7/26

Метки: литографии

...температуре 60-80" С В течение Вр 8 меии 1 о, определяемого из выражения60 ф/Т ;о500 3 1 Т, где- ИнтенсивностьэксгОнирующего СВета, Вт/см; Т - температура подложки, ОС; /3 - коэффициент,сф Вт го ад/РмПри Т 60 С сущесвеино уменьшаетсяскорость фоторастворения цинка в ХСП, чтоцриводит к снижению саеточуаствительноСти,я оСоказывается существенным влияние теомическои Виффузии цинка, что приВодит к снижению саеточуаствительности литографического г;роцессэ,Э г+ 1оИ 1 В ЕЧ Еи ИЕ Ррс:пЕИИ60/П - - 1 о 500/ Т обеспечивает селективность травления облученных и необлученных участков, что позволяет реализовать литографический процесс.При то 60 ф/1 Т селективность травления не обеспечивается, так как очень мала скорость растворения цинка.При 10500 ф...

Номер патента: 1688223

Опубликовано: 30.10.1991

Автор: Васин

МПК: G03F 7/004

Метки: глубокой, печати, форм, фотополимерных, цилиндрических

...формирование печатающих и пробельных элементов со стороны фотоформы 4 и основы - со стороны лампы 2,Формула и з о б р е т е н и я Составитель А.НосыреваРедактор А,Маковская Техред А,Кравчук Корректор М.Самборская Заказ 3708 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР. 113035, Москва, 3-35, Раушская наб. д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г,Ужгород, ул. Гагарина,101 Изобретение относится к полиграфической промышленности и может бытьиспользовано в формных процессахи оборудования для изготовления печатных форм из жидких фотополимериэующихся композиций,Целью изобретения является иовы,шение качества форм,На чертеже представлено схемати,ческое иэображение...

Номер патента: 1689916

Опубликовано: 07.11.1991

Авторы: Касьянова, Сергеев

МПК: G03F 5/16

Метки: контактных, растров

...растровых элементов с я ото мин на первом этапе многократной записи с шагом ЛЯ 0 тн, определяющим число воспроизводимых градаций, до Я 0 тн " на последнем этапе многократной записи, Таким образом, формируют элементы контактного растра с заданной градационной характеристикой.П р и м е р. Осуществляют настройку лазерного источника излучения с учетом сенситометрических характеристик фотоматериала,Осуществляют выбор экспозиции Н дозированного экспонирования Н = Е 1 ь где Е - освещенность фотоматериала в его плоскости при 1-м дозированном экспонирова.- нии;- время экспонирования каждого элемента растровой точки при 1-м дозированном экспонировании.Для определения этих параметров используют мощность Ю лазерного источника излучения,...

Номер патента: 1693584

Опубликовано: 23.11.1991

Авторы: Белицкий, Вайнер, Ковалишин

МПК: G03F 7/00

Метки: печатной, формы, фотополимерной

...на расстоянии 6 см от фотополимеризующегося слоя) в течение различного времени, перекрывая отдельныеучастки пластины светонепроницаемой бумагой. Вымывают пробелы 0,3-ным воднымраствором гидроокиси натрия при 40 С,контролируя время вымывания подложки,затем промывают водой и сушат в естественных условиях, Полученную тест-форму. рассматривают через лупу с увеличением( х 10. За оптимальное время экспонйрованияпринимают минимальное время, в течениекоторого образуются печатающие элементы, профиль которых у основания имеет угол65 750 За оптимальное время вымывания принимают минимальное время, втечение которого пробелы на таст-форме, полученной при оптимальном времени экспонирования, вымываются до подложки.1,ОЫ1Р,СБ1О - 51 СН 51ск,Жидкий...

Номер патента: 1693585

Опубликовано: 23.11.1991

Авторы: Авраменко, Белюнене, Габданк, Дорофеев, Епишкин, Колесникова, Ларина, Лукина, Науйокайтене, Петров, Станявичюс, Стреконис

МПК: G03F 7/032

Метки: блоков, герметизации, головок, композиция, магнитных, фотоотверждаемая

...кампозициеЙ так, чтобыана образовала вокруг цилиндра слой тол 25 щинай 6 мм, При отверждении композициивозникают остаточные напряжения, которые деформируют цилиндр, что, в свою очередь, вызывает изменение сопротивлениятензодатчикае, Па величине изменения са 30 противления тензадатчикав определяли дефОрмацию цилиндра и, следовательно,вызвавшие ее усилия.Кангактна 8 Давление рассчтывали ПОфа)МУЛ 8 Раачета ТОНКОСТЕННОГО ЦИЛИНДРас"ЬР " ео ):1 Ь/г , 1 - гг,2 ),где Р - контактное давление, кг/см;Гср 8 дний радиус цилиндра, мм: 4.) Е - моуль упруГОсти материала Цилиндра, кг/см;Л - толщина ст 8 нки цилиндра, мм;ео - Относительная Окружная гейс)амация;45,и - казффициент Пуассона.табл 1 Г) ривеДен ы и риме ы пал/чения предлаГаемой композиции...

Номер патента: 1611158

Опубликовано: 30.11.1991

Авторы: Генцелев, Самойлиди

МПК: G03F 7/20, H01L 21/312

Метки: маске, подложки, проводящего, рисунка, рисунком, совмещения

...поверхности другого совмещаемого обьекта ортогонально оси прецессии первого угол между плоскостями, а следовательно, и емкость конденсатора, будут постоянными по времени, цто позволяет использовать для измеоений мостиковую схему.Схема 9 узла контроля непараллельности рабочих поверхностей маски 1 и подложки 2 и микрозазора между ними постоянно следит за меняющейся емкостью конденсатора и совместно с блоком 3 обработки и управления вырабатывает и подает управляющие сигналы на двигатели б, добиваясь при этом такого положения подложки 2, когда величина электрической емкости конденсатора равна определенной наперед заданной велицине (эталонной емкости) и величина ее изменений отклонений от эталонной величины) за период прецессии ми...

Номер патента: 1501759

Опубликовано: 30.11.1991

Авторы: Генцелев, Самойлиди

МПК: G03F 9/00

Метки: маски, подложки, рисунка, рисунком, совмещения

...кремния, легированного бор2-3 мкм. Топологический рису6 на маске 3 выполнены из слощиной 0,6 мкм, Каждая меткамер 5 х 200 мкм.На подложке 1 формвиде чередующихся полслоев противоположного1501759 вского излучения, и величина электрического тока, протекающего через метки 5, минимальна.П р и м е р 2. Все операции выполняют как в примере 1. Метки 5 на подложке 1 выполняют в виде многослойной структуры, состоящей из чередующихся проводящих и пепроводящих слоев. В частности, такая структура может состоять из слоя кремния, разделенного с кремниевой подложкой слоем окиси кремния толщиной 30-40 А. Составитель В.Рубцов Редактор Н.Каменская Техред М.Моргентал Корректор М.ДемчикЗаказ 4644 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по...

Номер патента: 1618158

Опубликовано: 30.11.1991

Автор: Генцелев

МПК: G03F 7/20, H01L 21/31

Метки: маске, подложки, рисунка, рисунком, совмещения

...критическому углу, соответствующему явлению полного внутреннего отражения электромагнитного излученияот границы рабочая поверхность маски -вакуум зазора.Для получения максимальной интенсивности излучения на выходе каждого светопровода угол 3 между ограничивающимиплоскостями призм 8 определен из законаСнелла/3 = дГС 1 П (П 1/П 2 З 1 ПГХ)где п 1 и п 2 - соответственно показателипреломления материала маски 1 и подложки2.Нормальчое по отношению к входнымграням призм 7 направление хода электромагнитного излучения от источника 5 задают оптическим блоком 9, расположенным напути хода лучей от источника 5 к призмам 7.Устройство для совмещения рисунка намаске с рисунком подложки работает следующим образом,Излучение от источника 5 падает...

Номер патента: 1529973

Опубликовано: 30.11.1991

Авторы: Генцелев, Торопов

МПК: G03F 9/00

Метки: знак, маска, подложки, реперный, рисунка, рисунком, совмещения

...с концами элементов 85 Вр,1, а,01 рсшетки на мд.;ке;лектри- ЯГчески =оединены с третьей контдктой пло,сДКОй ,4 ЛЛЯ ЭТОГО О КРаЯМ МЕТК На ПОДл жхе; ьг ол ены элекгрогроводящие шины 1 О, которые легиродд ы аналогично кд;лам 3 металлические шины 1 Дляизе)ляции легированных шин 10 и летдлл 4 ческих шин 4, 5 между ними мегодом ло,:. нного хл 1 ческого оксид ровд 44 ЯГ,ГРМРОЕ На И.ОЛИРУЮЩДЯ ПЛЕН Д ТОЛсИИ 1 Ой 0 2-0,3 мкм.Уе. дллические шины 4, 5 и 11 сформирогд, ь мегодом сбратной лТогрдфа, имею)толщинь 0.1; м и не 4 зруе;От плоскостно.си поверхности меки.50 1 роводя 4;ие,ч)с; и 14 е) ки нд подложкенд Зее)ивдентне)1 Схем,. (См. фиг 3) Обг;нл 1529973чены сопротивлениями 12-19,которые подключены к двул одинаковым сопротивлениям 20, 21,...

Номер патента: 1707600

Опубликовано: 23.01.1992

Авторы: Ганиев, Грибановский, Ченцова, Щеглов

МПК: G03F 5/00

Метки: диафрагмированных, линзовых, растров

...ГД;Я.)Ой Ца)ГРИфУГЕ О та 1чс ,с 2 3 мин прс,:; гота врд;,)а ИЯ ротера 110 .1(,0 эб/мин, Г 1 оса зэсту,1 );С)1 ч сл(эс л; с Гнки суш. г в с )1.,Льн(:м 11):.т)у с лан- тИЛЯГОрОМ баЗ ПОДОГрвеа Э таза 1, . 15 К;ИН.Р(,)эив)зО) 11)з(эи)1 ны) с "Ой 1) залеый 1,1.", Г 1/ГЕ,"1 ГГР/жацН 1 .;,-:Ч.)И ОЭС- теор крдситаля ярко зала;О)- и,ау 1 Идд Ю Г.11 Э П Од ГОТП В Л аЫ Х О 11С ) ) 1 Ы Г 1 (. П О". О- ( ". П дс(ИНКс)Х (11 Ор;.;1 рс/От ЛИ ЗО Н)Е ЭЛЕ. С Нт Ы ПЕРИ О ГИЧОС КОЙ Г,т РУК ГУРЫ : дэ)И)здием( ра-) ТГфэретуо са" ку Кдй црОЗрдЧОй КОМГ)ПЗИПИИ На бд;Е.,1 К )сПМ ШКд 1)/ П).1 с) С Э 1 сСИ. 0 О Ч ДЛЯПсн;ИЯ ЕПР)С 1 ДО 1 Кзф.ЦОЗ)ЦИИ, Д За(11 е"Яг д них 2".,-1 ый водный рдсгворл 1),Чс) КО,)Г К;) )1;, О, (Эыд с,кнадОТ 1 - 211) 1,1) . О М Ь) да .О 1...

Номер патента: 1716472

Опубликовано: 28.02.1992

Автор: Яцевич

МПК: G02B 27/22, G03F 5/00

Метки: двух, диоптрических, изображений, размножения, растров, регулярных, системой, точечных

...в плоскость Р, которая совпадает с фокальной плоскостью растра Й 2. Вторым растром 3 с фокальной. плоскостью Мз, совпадающей с плоскостью Р, строят лишь одно суммарное изображение с такой же ориентацией, как и . в бесконечности. Пучки лучей, формируемые элементами 2 от точки объекта, лежащей на оси 00; совпадают с оптическимиосями элементов растра 2, имеющего конечную рабочую поверхность, При повороте растра 2 или 3 на некоторый угол вокруг оси 00 (фиг.1) с положения 0 - Х (фиг,3) в положение О -смещают оптические оси элементов двух растров. По мере продвиже-. ния, например,по оси расположения ряда линз 0 -от центра О, оси которых находятся на пересечении линии 0 -с дугами окружностей, проходящих через оптические оси линз 1, 2, 3,...

Номер патента: 1716475

Опубликовано: 28.02.1992

Авторы: Ганиев, Сысуев, Шваб

МПК: G03F 5/00, G03F 5/12

Метки: контактного, крупнозернистого, растра

...светопрочного красителя 2 К распыляют на эмульсионный слой фотопленки полученным на ней изображением регулярного растра, окрашенного в соответствующий, голубой, цвет субстрактивного синтеза с линиатурой 36 лин 1 см и интервалом 1,2. При этом используют сопла распылительной головки диаг метром 0,125 мм при давлении.3,5 кгс/см в течение 60 с (абсолютный среднестатистический размер частиц 0,15 мм, степень дискретизации 4200 элементов/см,2 относительная площадь точечных элементов 0,80), После высыхания пленки при комнатной температуре осуществляют повторное распыление водного раствора красителя. Число стадий распыления 7.Таким образом получают на фотопленке изображение, содержащее две растровые структуры. Изображение, окрашенное в...

Номер патента: 1720058

Опубликовано: 15.03.1992

Авторы: Ганиев, Грибановский, Иванов, Ченцова, Щеглов

МПК: G03F 5/00

Метки: линзового, растра

...коэффициентасимой композиции(п 1). 8 2 Подставляют (5) в (ют уравнение атнопреломления нанорезультате получаю П 2-пз -- ффициент.пр х элементов ффициент и ния материного растра; ения воздуых элеменгде и 3- коэ ала линзовь п 2 - коэломл сход м й - радиус кривизны овтов;1 - заданное фокусное расстояние изготавливаемого растра.П р и м е р 1. Исходный линзовый растримеет следующие характеристики; шаг 0,3мм; фокусное расстояние 0,6 мм; коэффициент преломления материала линзовыхэлементов 1,56,На имеющуюся линзово-растровую поверхность наносят методом полива расплавполиметилметакрилата с коэффициентомпреломления 1,49, прижимают сверху стеклянную пластинку, обработанную антиадгеэивом - диметилдихлорсиланом,охлаждают, затем стеклянную...

Номер патента: 1549366

Опубликовано: 30.03.1992

Авторы: Лантратова, Любин, Таксами

МПК: G03F 1/00

Метки: фотошаблона

...травиться в том же травителе, что и верхний слой, а именно в моноэтаноламине.Подобное обстоятельство приводит кпоявлению вуали и снижению контрастности полученного изображения.,35При толщине первого слоя меньше300 А нарушается сплошность слоя, чтовызывает рост дефектов нри нанесении .второго светочувствительного слоя.При увфпичении толШИны перво О слоя 40более 600 А происходит уменьшениесветопропускания проявленной подложки и появление вуали иэ-за невозможности полного удалензщ слоя, т,е.снижается контрастность полученного , 45иэображения.П р и м е р. Фотошаблон, состоящийиэ двухслойного маскирующеГО и фото."реэистивного покрытия из ХСП, изготавливйот следующим образом. 50Иатериалы маскирующего покрытия,а именно сульфнд германия и...

Номер патента: 1428058

Опубликовано: 07.04.1992

Авторы: Колобов, Любин

МПК: G03F 7/26

Метки: изображения

...150 мВт/см. Раэнье участки слоя экспонировались в течение разного времени. Облучение проводилось на воздухе, т.е. при содержании кислорода 21 Е лри Р1 атм, что соответствует парциальцому давлению кислорода О,Е 10 о Па.Проявление изображения осуществлялось. путем испарения цинка в вакууме, Для испарения использовалась вакуумная установка типа АВП,5. В качестве испарителя использовалась танта- Ф ловая лодочка, изготовленная из Фоль" ги толщиной 0,2 мм, размер лодочки: длина 4 см, высота 0,5 см. Лодочка подключалась к контактам, через которые на испаритель подается цапряже ние. В лодочку помещелись испаряемье грацулы цинка. Прозкспонированцый слой помещался на стеклянном стакане яад испарителем на расстоянии 16 см от лодочки. После...

Номер патента: 1725178

Опубликовано: 07.04.1992

Автор: Ганиев

МПК: G03F 5/00

Метки: проекционный, растр

...степени, имеют большую оптическую плотность, и наоборот. Таким образом, растр содержит ячейки 5, сформированные перекрещиванием линейных решеток, различной прозрачности, причем прозрачность возрастает от центра к периферийным участкам растра. При этом в плоскости фотографического слоя создают периодически изменяющееся распределение освещенности, постоянное в пределах периода растра для всего поля изображения.П р и м е р. Пусть максимальная оптическая плотность фотохромных пластин, являющаяся результатом воздействия максимального Уф-излучения, будет равна 0,7 ед. оптической плотности. Приняв во внимание, что характеристическая кривая фотохромного стекла из хлорида серебра является практической прямой, а также условно приняв время...

Номер патента: 1728845

Опубликовано: 23.04.1992

Авторы: Гранчак, Мервинский, Миклушка, Токарчик

МПК: G03F 7/00

Метки: жидкая, композиция, печатной, покрытия, продукции, фотополимеризующаяся

...и фотосенсибилизатора с добавлением 0,5 - 10 Ожидких масел или кислот, В качестве фото- инициатора используется этиловый, бутиловый эфиры бензоина или бензофенон,Недостатком этой композиции является большое содержание фотоинициирующей системы (10 - 15 мас.), что неблагоприятно сказывается на декоративных свойствах покрытия и ухудшает адгезию к печатному оттиску, Для устранения этих недостатков вкомпозицию вводят 0,5 - 1070 жирного маслаили жирной кислоты, а это снижает светочувствительность композиции и увеличивает время отверждения покрытия.Наиболее близкой к предлагаемой композиции является фотополимеризующаясякомпозиция, включающая метакрилдизтил ен гли кол ьфта лат (МДФ), три а к рилатпентаэритрит (ПЭТА), диалкиламиноэтилметакрилат...

Номер патента: 1730107

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Арефьев, Бойко, Опанасенко, Паутов, Шевчук, Шинкоренко

МПК: C09B 23/08, G03F 7/04

Метки: качестве, компоненты, красители, пленочного, фоторезиста, хино-2-карбоцианиновые

...в 100 мл дистиллированной воды. 0,2 гперхло рата 2-(1-метил,2,3,4 тетрагидрохинолил)-винил-фенилхинолиния суспендируют 10-15 мл воды в стаканчике, помещенном на излучатель ультразвуково го очистного устройства "Реут", в течение 10 мин. После этого раствор красителя вводят в раствор поливинилового спирта и смешивают с поливинилацетатной дисперсией на высокооборотной мешалке. После 55 перемешивания композицию фильтруют через четыре слоя батиста, доводят вязкость до величины 35-39 с(по воронке ВЗ) путем разбавления водой. Получают жидкую фоторезистную композицию сиреневого цвета,ного эфира и 3 мл пиридина кипятят в течение 40 мин, Реакционная масса приобретает интенсивно синий цвет. По охлаждениипиридин смывают декантацией эфиром, а5...

Номер патента: 1748135

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Ганиев, Сысуев, Шваб

МПК: G03F 5/00

Метки: контактного, нерегулярной, растра, структурой

...(флуктуацииразмеров в пределах, определяемых конструкцией распыляющего устройства), хаотическирасположенных друг относительно друга сопределенной плотностью на единичнойплощади изображения. При повторном рас пылении частицы аэрозоля отбеливателя, осаждаясь на поверхность желатинового слоя, частично перекрывают отбеленные на первой стадии участки желатинового слоя, в5 результате чего интегральная оптическая плотность на участках перекрытий уменьшается вследствие уменьшения интенсивности окрашивания желатинового слоя, При дальнейшем с промежуточным высушива 10 нием нанесений аэрозоля водного раствора отбеливателя на окрашенный желатиновый слой происходит неоднократное перекрытие отбеленных на предыдущих стадиях участков,...

Номер патента: 1758628

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Жикленков, Подойницын

МПК: G03F 7/00, H04N 3/08

Метки: лазерное, сканирующее

...20 (фиг, 8). Обрабатываемьп материал 21 закрепляется на предметном столе 1.Устройство работает следующим образом. Вращение от привода 11 через зубчатые колеса 10, 8 и 9 передается на цилиндрические барабаны 4 и 5,Иа Лиг. 1 изображено предлагаемое 15 устройство, общий вид; на фиг2 вид А на фиг. 1; на фиг, 3 - сечениеЬ- Б на фиг. 1; на фиг. 4 - узел 1 нафиг. 3; на фиг, 5 - сечение В-В нафиг. 1; на фиг, 6 изображена опти ческая система, обеспечивающая сужение пучка; на фиг. 7 изображенасхема отражения лазерного пучка;на фиг. 8 - оптическая схема фокусировки лазерного излучения.25 Устройство содержит предметныйстол 1 с приводом 2, корпус 3, цилиндрические барабаны 4, 5 со спиральными отражающими поверхностями6, 7, выполненными,...