Способ определения резонансных частот

2584 б 2 ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союа Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельства21 д, 11 О Заявлено 19.И,1968 (М 1248848/26-25)с присоединением заявкиПриоритет 1 ПК НО Комитет ао делам иаобретений и открыти ари Совете Министра СССРубликовано З.Х 1.1969, Бюллетень1за 1970 та опубликования описания 29.1 у.1970 СПОСОБ ОП ЕХАНИЧЕСКИХ ПОЛУДЕЛЕНИЯ РЕЗОНАНСНЪХ ЧАСТОТОЛЕБАНИЙ ЭЛЕМЕНТОВ КОНСТРУКЦИОВОДНИКОВЪХ ПРИБОРОВ образцах приборов, которые становятся непригодными для дальнейшего применения. Кроме тото, вскрытие корпуса полупроводникового прибора не всегда осуществимо и может приводить к искажению результатов измерений.Цель изобретения - ускорить и удешевить способ определения резонансных частот механических колебаний различных элементов конструкции полупроводниковых приборов ц, кроме того, исключить необходимость вскрытия корпуса испытуемого прибора. Для осуществления этого контролируют переменное электрическое напряжение на полупроводцц. ковом приборе, подвергающемся воздействию вибрации плавно меняющейся частоты, и фиксируют частоты, на которых амплитуда напряжения возрастает.В основу способа положен эффект резкого увеличения электрического напряжения на испытуемом полупроводниковом приборе прц резонансе того или иного элемента конструкмере полу ции.Определение резон дится следующим обрИспытуемый полу устанавливают на виб электрической схеме, режим прибора и ос и индикацию перемен стот воляпольных 30 Изобретение относится к способам изния эксплуатационных характеристикпроводниковых приборов,В настоящее время резонансные частотымеханических колебаний элементов конструкции полупроводниковых приборов определяютлибо путем визуального наблюдения под микроскопом, либо с помощью датчика перемещений. В том и другом случае корпус испытуемого прибора вскрывают для обеспечения 1доступа к исследуемым элементам конструкции и удаляют вязкий наполнитель (если олимеется). Элементы конструкции полупроводникового прибора поочередно размещают вполе зрения микроскопа или в поле датчика, 1Прибор подвергают воздействию вибрацииплавно изменяющейся частоты. При этом путем наблюдения амплитуды колебаний илиамплитуды сигнала, поступающего с датчика,фиксируют увеличение амплитуды колебаний 2в момент резонанса.Недостатками указанных способов являются большая трудоемкость и сложность процесса измерения, обусловленные необходимостью вскрытия корпуса испытуемого прибора 2с обязательным сохранением целостностивнутренних элементов,Следовательно, известные спос зют осуществлять выборочный к ьскольку измерения проводятся н ансных ча произвоазом.проводниковый прибор ростенде, подключают и задающей электрический уществляющей усиление ного электрического на.258462 Предмет изобретения Составитель Л. Б. Пирожников Редактор Т, 3, Орловская Текред Л, Я. Левина Корректоры: Е. Н. Миронова и Г. П. ШильманЗаказ 852/7 Тираж 499 Подписное Ц 11 ИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва )К, Раушская нао, д. 4,5 Типография, пр. Сапунова, 2 пряжения на приборе.:При,пл авеном изменении частоты вибрации фиксируют частоты, на которых амплитуда переменного, напряжения на приборе возрастает. Эти частоты являются резонансными для каких-либо элементов конструкции испытуемого полупроводникового прибор а.Предложенный способ определения резонансных частот механических колебаний полу 1 проводниковых,приборов применим для контроля всех полупроводниковых приборов без вскрытия их корпуса, что позволяет упростить, ускорить и удешевить измерение резонансных частот, а также повысить достоверность результатов измерения и сохранить прибор пригодным для последующего применения. Способ определения резонансных частот механических колебаний элементов конструкции 5 полупроводниковых приборов, основанный навоздействии на них вибрации плавно меняющейся частоты, отличающийся тем, что, с целью ускорения и удешевления процесса определения резонансных частот, повышения до стоверности результатов измерения и сохранения испытуемых приборов в рабочем состоянии, производят фиксацию частот, на которых возрастает уровень переменного электрического напряжения на полупроводниковом при.15 боре,