Способ измерения емкости туннельного диода

Номер патента: 164482

Опубликовано: 01.01.1964

Авторы: Атомной, Предпри, Сидоров

МПК: G06M 3/00, H03K 23/80

Метки: десятичный, диодах, счетчик, туннельных

...или индуктивностен, Такое выполнение счетчика позволяет упростить его схему н менять коэффициент пересчета.11 а чертеже нзооражена принципиальная схема счетчика.Счетчик содержит две двоичные и одну троичную ячейки, выполненные соответственно на туннельных диодах ТД 1 - ТДь ТД - ТД, и ТД, - ТД,.В качестве порогового элемента устройства сброса используется амплитудный дискриминатор на туннельном диоде ТД подключенный к цепочке диодов через эмиттерный повторитель на триоде Т Сопротивление Я выбрано таким, что дискриминатор срабатывает под действием третьего импульса на входе ячейки. Туннельный диод ТД переключаясь на вторую восходящую ветвь характеристики, формирует отрицательный импульс стандартной амплитуды н длительности, при. годный...

Номер патента: 171449

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Андрианов, Виньш, Вычислительной, Институт

МПК: G01R 31/26

Метки: диодов, нараметров, туннельных

...4 блока 1, Прп достижении протекающим через диод 2 током значения 1 пах происходит переключение туннельного диода в состояние высокого напря. жения. Перепад напряжений подается на блок 9 формирования и усиления импульсов. Сфор. мированный импульс поступает на блок 10 управления, включающий реле времени 11, через которое сигнал подается на блок 8, и останавливающий источник входного напряженияблока б. Одновременно постоянное напряжение через коммутатор 12 подается на электронный цифровой вольтметр 13, который снабжен печатающей приставкой 14, регистрирующей значение токов 1 х. Для контроля работы вольтметра 13 служит прецезионный вольтметр 15.Аналогично измеряется значение 1;,; только в этом случае напряжение, подаваемое на зажимы...

Номер патента: 172376

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Зильбер, Новиков

МПК: G01R 31/26

Метки: диода, емкости, р—г-перехода, туннельного

...с указанным контуром эталонный колебательный контур. Плавно изменяя величину наггрякег 1 ия постоянного тока, смещаОт рабочую точку диода в направлении экстремальной области, непрерывно контролируя величину падения напряжешгя ца колебательцом контуре с диодом ц на эталонном контуре. Эквивалентное сопротивление эталонногоконтура выб 11 растся олпзкцм и соцротцвленшо диода, рабочая точка которого лежит в5 области первого максимума тока на вольтамцерной характеристике диода. В момент,1,ОГд 2 цап 1 эяжсццс ца диоде р 2 В 10 пап 1 эяжецшо ца эталс 1:1 ом колебательном контуре,т. е. КОГда соп 1 эотцвление дпод 2 1 эавцо экВПВалецтномУ соц 1 эотцвл".ПИ 10 этОГО 1 ОцтУ 1 эа, и,слсДОВатслцО, 1 эаООч 251 то 1 ка ДПОД 2 н 2 ходптся в...

Номер патента: 148143

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Логунов

МПК: H01L 29/88

Метки: диодов, емкости, основанный, перехода, площади, туннельных, уменьшении, уменьшения

...в том, что рабочую плошадьр - п перехода туннельного диода уменьшают за счет изменения электрической структуры исходного материала, для чего на полупроводникнаносят тонкий слой материала того же типа, но с меньшим удельнымсопротивлением.Во время вплавления выпрямляющего контакта происходит проплавление поверхностной пленки и образование надежного р - и перехода как с пленкой, так и с основной массой полупроводникового кристалла.Применяя тонкие поверхностные слои низкоомного материала, можно получить туннельные диоды с очень малой емкостью. На полупроводниковый кристалл поверхностный слой наносят, например, при помощидиффузии примесей или осаждением низкоомного материала из газовойфазы и т. д.Государственный комитет...

Номер патента: 311244

Опубликовано: 01.01.1971

МПК: G04F 10/04

Метки: длительности, импульсов, пачки, периода, следования

...- 1 ггТ; тп2и,.-совгог 1 ггг.Т,10 гг= ) о л Тг - . гг 15 где /г - номер гармоццки разложения; Т,зп2 У - 1Йсв Т,Это выраже;.5 ие факт:чески предстазлястсоо 05 Грг 5 фик 5 р 55 тОй л 5 ни И 5;а:у=а (1 - вх) . 15)ИзбСяя велгниу а, в данном сл 5 ча 5 2- (Н - 1), ъ ОжО изме 5 ггь 5 акло р 55 мой к осп абсциссы,Это позволяет при малейших измс 5 не;5 иях 10аргумента х (Т;) получать зпачительныс изменения функции у (Фн).Таким образом, по предложенноа 5 у способу точность измерения повышается, с одной стороны, за счет увеличения номера га 1 тт 5 О 5 яки разложения, с другой стороны, за счет величи 1 ия числа и мпульсов В пачке. Тог 5 Ост 5 способа не зависит от величины дискрста с, может быть выше любой, нанеред заданной.При этом время измерения...