Чистяков

Номер патента: 1093184

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Манжа, Мирошников, Патюков, Чистяков, Шурчков, Щербинин

МПК: H01L 27/02

Метки: изоляцией, интегральной, комбинированной, структура, схемы, элементов

СТРУКТУРА ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ С КОМБИНИРОВАННОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ ЭЛЕМЕНТОВ, содержащая сформированные в кремниевой подложке области с эпитаксиальным и скрытым слоями, боковая изоляция которых выполнена в виде слоев диэлектрика, пересекающих эпитаксиальный и скрытый слои и часть подложки, а изоляция донных участков скрытого слоя с подложкой в виде p n-перехода, отличающаяся тем, что, с целью повышения плотности компоновки элементов и увеличения быстродействия интегральных схем, слои диэлектрика погружены в подложку на глубину не менее ширины области с объединенным зарядом донной части p - n-перехода между скрытым слоем и подложкой.

Номер патента: 1371445

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Манжа, Патюков, Чистяков

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, транзисторов

...250-300 нм. Осаждают первый слой поликремния толщиной 300 нм, маскируют его нитридом кремния толщиной 100- 150 нм и под защитой фоторезистора в Я зй 4 вскрывают окна о местах комбинированной изоляции и осуществляют селективное окисление первого слоя голикремния при Т = 1123 К и Р = 10 атм. Удаляют нитрид крем ния, ионным легированием вводят бор с Е = =60 кэВ и О = 3,7510 сгл о первый слой13 -2поликремния и осаждают окисел кремния толщиной 500 нм. Под защитой фоторезистд плазмохимическим травлением удаляют окисел кремния и первый слой поликремния и осаждают окисел кремния иэ паров дихлорсилана и закиси азота при Т = 1123 К прн пониженном давлении, толщиной 500 нм, Далее ионно-реактивным травлением удаляют окисел кремния со дна...

Номер патента: 1215550

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Казуров, Манжа, Патюков, Попов, Чистяков, Шурчков

МПК: H01L 21/265

Метки: p-n-переходами, полупроводниковых, приборов, пристеночными

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С ПРИСТЕНОЧНЫМИ P-N-ПЕРЕХОДАМИ, включающий формирование боковой диэлектрической изоляции, формирование глубокого коллектора, окисление меза-областей, создание базовой области, осаждение нитрида кремния, вскрытие окон в диэлектрических слоях к коллектору, активной и пассивной части базовой области, осаждение пленки поликристаллического кремния, ионное легирование вскрытых в диэлектрических слоях областей через пленку поликристаллического кремния, одновременный отжиг ионнолегированных слоев и формирование металлизации, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных приборов, после вскрытия окон в диэлектрических слоях проводят ионное подлегирование активной части базовой...

Номер патента: 1072666

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Кокин, Манжа, Патюков, Чистяков

МПК: H01L 21/331

Метки: p-n-переходами, полупроводниковых, приборов, пристеночными

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С ПРИСТЕНОЧНЫМИ p-n-ПЕРЕХОДАМИ, включающий формирование боковой диэлектрической изоляции, глубокого коллектора, нанесение диэлектрических слоев, вскрытие окон в диэлектрических слоях, осаждение пленки поликристаллического кремния, легирование пассивных, активных базовых и эмиттерных областей и металлизацию, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных приборов и повышения плотности их компановки, после создания боковой диэлектрической изоляции проводят ионное легирование пассивной базы, осаждают нитрид кремния, осуществляют фотолитографию всех контактных окон, затем наносят пленку поликристаллического кремния, формируют фоторезистивную маску для защиты эмиттерных и...

Номер патента: 1178269

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Казуров, Кокин, Манжа, Патюков, Чистяков, Шурчков

МПК: H01L 21/76

Метки: p-n-переходами, полупроводниковых, приборов, пристеночными

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С ПРИСТЕНОЧНЫМИ p-n-ПЕРЕХОДАМИ, включающий формирование боковой диэлектрической изоляции, глубокого коллектора окисления меза-областей, создания активной и пассивной базовой областей, осаждение нитрида кремния, вскрытие контактных окон в диэлектрических слоях, осаждение пленки поликристаллического кремния, ионное легирование донорной примесью областей, вскрытых в диэлектрических слоях, через пленку поликристаллического кремния, одновременный отжиг всех ионолегированных слоев, металлизацию, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных приборов, после осаждения пленки поликристаллического кремния дополнительно проводят ее ионное подлегирование акцепторной примесью дозой (5...

Номер патента: 824824

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Кокин, Манжа, Назарьян, Одиноков, Чистяков

МПК: H01L 21/82

Метки: изоляцией, интегральных, комбинированной, конструкция, схем

1. Конструкция интегральных схем с комбинированной изоляцией, содержащая транзисторы и резисторы, изготовленные в областях, изолированных локальными областями, легированными примесью противоположной скрытому и эпитаксиальному слоям типом проводимости, и диэлектриком, отличающаяся тем, что, с целью повышения степени интеграции и процента выхода годных схем, боковая диэлектрическая изоляция транзисторных структур состоит из двух слоев диэлектрика, пересекающих эпитаксиальный слой и касающихся локальной области, между которыми расположен эпитаксиальный слой с легированной областью резисторной структуры.2. Способ изготовления интегральных схем с комбинированной изоляцией по п.1, включающий операции формирования диэлектрической изоляции,...

Номер патента: 760837

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Власов, Кокин, Манжа, Чистяков, Шварц

МПК: H01L 21/20

Метки: интегральных, полупроводниковых, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование областей скрытого слоя противоположного типа проводимости подложке, маскирование подложки диэлектрической пленкой, вскрытие в ней окон, эпитаксиальное наращивание, диффузию примеси одного типа проводимости с подложкой для формирования базовых областей, диффузию примеси привоположного типа проводимости по отношению к подложке для формирования эмиттера, вскрытие контактных окон, металлизацию, отличающийся тем, что, с целью уменьшения размеров элементов, сокращения технологического цикла и повышения процента выхода годных, вскрытие окон в диэлектрической пленке проводят по периметру скрытого слоя и внутри его, а диффузию примеси для формирования базовых областей...

Номер патента: 1195862

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Манжа, Патюков, Чистяков, Шурчков

МПК: H01L 21/82

Метки: интегральных, схем

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование n+ скрытых слоев, наращивание эпитаксиальной пленки, создание противоканальных p+-областей, диэлектрической изоляции, формирование активных областей структур в эпитаксиальной пленке, осаждение пленки поликристаллического кремния для изготовления резисторов, ее легирование, формирование резистивных областей, формирование диэлектрической пленки, вскрытие контактных окон, металлизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости резисторов, степени интеграции и быстродействия интегральных схем, после легирования пленки поликристаллического кремния проводят ее термический отжиг и формирование участков пленки поликристаллического кремния над...

Номер патента: 880167

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Волк, Волкова, Коваленко, Кокин, Лукасевич, Манжа, Одиноков, Патюков, Самсонов, Сулимин, Чистяков, Шевченко, Шепетильникова

МПК: H01L 21/82

Метки: боковой, диэлектрической, изоляцией, полупроводниковых, приборов, тонкослойных

...проводимости (рР= 10 Ом см локально формируют и -скрытые слои (Х,+ = 3-3,2 25 мкм, р, = 36 - 40 Ом/о ). Методом эпитаксиинаращивают пленку и-типа проводимости с удельным сопротивлением 0,8-1,2 Ом см, толщиной 1-1,2 мкм. Эпитаксиальную пленку маскируют двуслойным диэлектриком 30о5 Ю 2 и Рзй 4 толщиной 600 - 800 А и 1800о2000 Аз соответственно. Методом фотолитографии травят двуслойный диэлектрик и эпитаксиальную пленку на глубину 0,6-0,8 мкм. Формируют р -стопорный слой в вытравленных канавках диффузией бора, Параметры загонки р, = 85 - 90 Ом/а. Удаляют боросиликатноестекло и производят заполнение канавок окислом кремния при 1000 С в парах воды при повышенном давлении 1,5 атм в течение 2,5 ч. Толщина окисла кремния в канавках...

Номер патента: 764557

Опубликовано: 20.03.1996

Авторы: Манжа, Одиноков, Сулимин, Чистяков

МПК: H01L 21/311

Метки: композициях, отверстий, пленочных

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОТВЕРСТИЙ В ПЛЕНОЧНЫХ КОМПОЗИЦИЯХ, включающий формирование первого и второго маскирующих слоев, фотолитографию и травление, отличающийся тем, что, с целью получения узких отверстий, после формирования на первое максирующее покрытие наносят слой поликристаллического кремния, формируют на его поверхности вспомогательное маскирующее покрытие, устойчивое к травителю для поликристаллического кремния и первого маскирующего покрытия, методом фотолитографии, формируют островки из поликристаллического кремния и вспомогательного маскирующего покрытия в местах требуемого расположения узких отверстий, под защитой вспомогательного покрытия подтравливают поликристаллический кремний по периметру вышеупомянутых островков, затем формируют...

Номер патента: 1513981

Опубликовано: 27.01.1996

Авторы: Земцов, Кудряшов, Чистяков, Шкурко

МПК: E21B 7/15, E21C 37/18

Метки: бурения, льду, плавления, скважин, электротермического

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЭЛЕКТРОТЕРМИЧЕСКОГО БУРЕНИЯ - ПЛАВЛЕНИЯ СКВАЖИН ВО ЛЬДУ по авт. св. N 1149670, отличающееся тем, что, с целью повышения эффективности работы за счет сокращения непроизводительных потерь энергии и повышения производительности бурения, оно снабжено датчиком осевого давления на забой, датчиком уровня воды и датчиками температуры, при этом корпус установлен с возможностью осевого перемещения относительно переходного кольца посредством пружины, размещенной между корпусом и кольцом, которое выполнено в виде двух полуколец, а датчик осевого давления на забой размещен между корпусом и полукольцами, датчики температуры размещены в корпусе и на внешней поверхности водоподъемной трубки, а датчик уровня воды установлен на наружной...

Номер патента: 1149670

Опубликовано: 27.12.1995

Авторы: Земцов, Кудряшов, Чистяков, Шкурко

МПК: E21B 25/00, E21B 7/15

Метки: бурения-плавления, керна, льду, отбором, скважин, электротермического

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЭЛЕКТРОТЕРМИЧЕСКОГО БУРЕНИЯ-ПЛАВЛЕНИЯ СКВАЖИН ВО ЛЬДУ С ОТБОРОМ КЕРНА, включающее корпус, нагревательные элементы и водоотводящие трубки, отличающееся тем, что, с целью повышения КПД, корпус выполнен в виде литого цилиндрического кольца с параболической формой нижней торцовой части, а на внутренней и наружной поверхностях в месте перехода параболической части корпуса в цилиндрическую выполнены кольцевые канавки, которые сообщены посредством каналов с водоотводящими трубками.

Номер патента: 1743027

Опубликовано: 27.11.1995

Авторы: Беденко, Дудников, Мамков, Михалишин, Ничикова, Савельев, Чистяков, Шипилов

МПК: A61K 39/135

Метки: адъювант, вакцины, против, ящура

АДЪЮВАНТ ДЛЯ ВАКЦИНЫ ПРОТИВ ЯЩУРА, содержащий кремнийорганический полимер и эмульгатор, отличающийся тем, что, с целью снижения его реактогенности, а также снижения вязкости и повышения стабильности в качестве эмульгатора алкенилсукцинимид при следующем соотношении компонентов, мас.Алкенилсукцинимид 3 5Кремнийорганический полимер 95 97

Номер патента: 1017033

Опубликовано: 27.11.1995

Авторы: Небера, Новомейский, Строителев, Чистяков

МПК: C22C 35/00

Метки: модификатор, сплавов, сталей

Применение эвдиалита в качестве модификатора для сталей и сплавов.

Номер патента: 786438

Опубликовано: 10.11.1995

Авторы: Буртакова, Каган, Королев, Купершмидт, Марков, Чистяков

МПК: F02N 17/00

Метки: аэрозольного, баллона, внутреннего, двигатель, жидкости, крепления, подачи, пусковой, сгорания, системы

УСТРОЙСТВО ДЛЯ КРЕПЛЕНИЯ АЭРОЗОЛЬНОГО БАЛЛОНА СИСТЕМЫ ПОДАЧИ ПУСКОВОЙ ЖИДКОСТИ И ДВИГАТЕЛЬ ВНУТРЕННЕГО СГОРАНИЯ по авт. св. N 606401, отличающееся тем, что, с целью повышения эксплуатационной надежности устройства и уменьшения его веса, опорная тарелка дополнительно снабжена фиксирующими упорами, сопряженными со скобой.

Номер патента: 1118119

Опубликовано: 10.11.1995

Авторы: Буртакова, Бычкова, Каган, Королев, Купершмидт, Луцкий, Марков, Николаева, Румянцев, Чистяков

МПК: F02N 17/00

Метки: аэрозольного, баллона, внутреннего, двигатель, жидкости, крепления, подачи, пусковой, сгорания, системы

УСТРОЙСТВО ДЯЛ КРЕПЛЕНИЯ АЭРОЗОЛЬНОГО БАЛЛОНА СИСТЕМЫ ПОДАЧИ ПУСКОВОЙ ЖИДКОСТИ В ДВИГАТЕЛЬ ВНУТРЕННЕГО СГОРАНИЯ по авт. св. СССР N 786438, отличающееся тем, что, с целью повышения эксплуатационной надежности, один из элементов скобы прикреплен к корпусу при помощи выступающих за скобу штырей, а другой элемент снабжен отверстиями, выполненными на уровне штырей при сложенном состоянии скобы и примыкающими к отверстиям боковыми направляющими выступами.

Номер патента: 793057

Опубликовано: 27.10.1995

Авторы: Буртакова, Каган, Королев, Купершмидт, Марков, Чистяков, Штырев

МПК: F02N 17/08

Метки: внутреннего, двигателя, запуска, облегчения, сгорания

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОБЛЕГЧЕНИЯ ЗАПУСКА ДВИГАТЕЛЯ ВНУТРЕННЕГО СГОРАНИЯ, содержащее аэрозольный баллон с пусковой жидкостью, форсунку, установленную во впускном коллекторе двигателя и сообщенную с баллоном через соединительный трубопровод и канал в подвижном подпружиненном сердечнике электромагнита, расположенного на баллоне и управляющего его открытием, и отсечной клапан, связанный с сердечником, отличающееся тем, что, с целью упрощения конструкции, отсечной клапан установлен между сердечником электромагнита и соединительным трубопроводом.

Номер патента: 713207

Опубликовано: 27.10.1995

Авторы: Агалаков, Давыдов, Новинский, Чистяков, Шишкин

МПК: F16C 17/06

Метки: подшипник, скольжения, упорный

1. УПОРНЫЙ ПОДШИПНИК СКОЛЬЖЕНИЯ, содержащий корпус с расположенными в нем упорными сегментами, опирающимися на пружинные пакеты, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности работы и увеличения срока службы, пружинные пакеты выполнены в виде по крайней мере двух последовательно расположенных по направлению действия нагрузки секций пружин различной жесткости и первой по направлению действия нагрузки установлена секция пружин с меньшей жесткостью, при этом между секциями, а также между секцией с большей жесткостью и корпусом имеются зазоры.2. Подшипник по п. 1, отличающийся тем, что величины зазоров между секциями пружин, а также между секцией пружин с большой жесткостью и корпусом определены из следующих соотношений:

Номер патента: 1169237

Опубликовано: 25.07.1995

Авторы: Акимов, Грунин, Ермаков, Изаксон, Илюхин, Лихолобов, Никитин, Плаксин, Семиколенов, Троицкий, Чистяков, Швец

МПК: B01J 23/44, C07C 209/36

Метки: аминобензотрифторид, гидрирования, катализатор, нитробензотрифторида

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КАТАЛИЗАТОРА ДЛЯ ГИДРИРОВАНИЯ НИТРОБЕНЗОТРИФТОРИДА В АМИНОБЕНЗОТРИФТОРИД путем взаимодействия в водной среде палладийхлористоводородной кислоты и щелочного агента в присутствии углеродного носителя с последующим восстановлением в среде взаимодействия, промывкой и сушкой, отличающийся тем, что, с целью получения катализатора с повышенной активностью, в качестве щелочного агента используют углекислый натрий и взаимодействие углекислого натрия и палладийхлористоводородной кислоты ведут при атомном отношении в пересчете на элементы Na/Pd, равном 4-10, при pH 3,0 6,6 и температуре 293-373 К и восстанавливают при pH 6,5 - 9,5.

Номер патента: 1074011

Опубликовано: 20.07.1995

Авторы: Вахе, Гончаров, Куцерубов, Степанищев, Чистяков

МПК: B64C 25/52

Метки: аппарата, летательного, лыжное, шасси

1. ЛЫЖНОЕ ШАССИ ЛЕТАТЕЛЬНОГО АППАРАТА, содержащее лыжу, переднюю и заднюю стойки, механизм уборки-выпуска в виде параллелограмма и карданы, отличающееся тем, что, с целью уменьшения веса путем перераспределения нагрузок между стойками, шасси снабжено крестовиной со скользящей посадкой, размещенной на одном из карданов.2. Лыжное шасси по п.1, отличающееся тем, что одно звено кардана, крепящего лыжу к передней стойке, жестко соединено с лыжей, а другое является осью рычага передней стойки.3. Лыжное шасси по п.1, отличающееся тем, что одно звено кардана с крестовиной со скользящей посадкой снабжено стержнем, жестко прикрепленным к лыже, а другое звено является осью рычага задней подвески.4. Лыжное шасси по п.1, отличающееся...

Номер патента: 771967

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Андрусенко, Борисенко, Огибалов, Рачек, Решидов, Чистяков

МПК: B03C 3/00

Метки: газов, электрической

СПОСОБ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ОЧИСТКИ ГАЗОВ, включающий пропускание дисперсной фазы через зону униполярного коронного разряда и волокнистый диэлектрический материал, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности улавливания частиц дисперсной фазы, волокнистый диэлектрический материал помещают непосредственно в зону униполярного коронного разряда.

Номер патента: 1780276

Опубликовано: 27.03.1995

Авторы: Муромцев, Наговицына, Нестеренко, Чистяков

МПК: C04B 33/00

Метки: керамики, крупноразмерной, масса, преимущественно, строительной

МАССА ДЛЯ ИЗДЕЛИЙ СТРОИТЕЛЬНОЙ КЕРАМИКИ, ПРЕИМУЩЕСТВЕННО КРУПНОРАЗМЕРНОЙ, включающая легкоплавкую глину, вермикулит или гидрофлогопит, или гидробиотит фракции более 2,0 мм, отличающаяся тем, что, с целью удешевления стоимости продукции и расширения сырьевой базы, при сохранении качества, она дополнительно содержит компонент из группы: зола, песок, шлак фракции не более 2,0 мм при следующем соотношении компонентов, мас.%:Легкоплавкая глина - 53 - 93Вермикулит, или гидрофлогопит, или гидробиотит фракции не более 2,0 мм - 2 - 42Компонент из группы: зола, песок, шлак фракции не более 2,0 мм - 5 - 45

Номер патента: 1823336

Опубликовано: 10.03.1995

Авторы: Давиденко, Комаров, Королев, Коротков, Чистяков

МПК: B24B 19/06

Метки: дорожек, качения, колец, подшипников, станок, хонингования

СТАНОК ДЛЯ ХОНИНГОВАНИЯ ДОРОЖЕК КАЧЕНИЯ КОЛЕЦ ПОДШИПНИКОВ, содержащий станину с расположенными на ней бабкой изделия и инструментальной головкой с брускодержателями с приводами вращения их шпинделей вокруг осей, а также механизмы зажима колец по торцу и выгрузки, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и производительности обработки, путем обеспечения работы станка в автоматическом режиме, станок снабжен полым валиком с установленным на нем с возможностью самоустановки упором, гидроопорой и двумя штоками, первый из которых установлен в шпинделе изделия на подшипниках качения, а второй - в шпинделе инструментальной головки, причем один конец первого штока жестко связан с корпусом шпинделя изделия, а на другом его конце установлена...

Номер патента: 1341944

Опубликовано: 27.02.1995

Авторы: Глушков, Левшин, Марченко, Чистяков

МПК: C07D 215/22

Метки: 4-хинолон-3-карбоновой, кислоты, производных

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПРОИЗВОДНЫХ 4-ХИНОЛОН-3-КАРБОНОВОЙ КИСЛОТЫ общей формулы I:где R = CH3, C2H5, CH2 -CH=CH2, изо-C3H7, -CH2CH2N(C2H5)2,отличающийся тем, что, с целью повышения выхода и расширения ассортимента целевых продуктов, енамин общей формулы II:где значения R указаны выше,подвергают взаимодействию с гидридом натрия в среде безводного ароматического углеводорода в...

Номер патента: 1706134

Опубликовано: 27.01.1995

Авторы: Давиденко, Королев, Чистяков

МПК: B24B 1/00

Метки: абразивными, брусками, чистовой

СПОСОБ ЧИСТОВОЙ ОБРАБОТКИ АБРАЗИВНЫМИ БРУСКАМИ, при котором брускам и детали сообщают вращение вокруг их осей, пересекающихся в точке, расположенной в плоскости симметрии профиля детали, отличающийся тем, что, с целью повышения качества обработки, частоту вращения брусков определяют по формулегде L - число абразивных брусков;B - длина дуги контакта бруска с обрабатываемой поверхностью в поперечном сечении детали;D - диаметр обрабатываемой детали;nд - частота вращения детали;E - целое число, выбираемое из ряда E = 1, 2, 3, ... n, в зависимости от требуемого угла пересечения рисок от зерен на поверхности детали;K -...

Номер патента: 663198

Опубликовано: 15.12.1994

Авторы: Арустамов, Кельберт, Чистяков, Эстерлис

МПК: C23C 14/24, C23C 14/34

Метки: испаритель, легкоплавких, металлов, электродуговой

ЭЛЕКТРОДУГОВОЙ ИСПАРИТЕЛЬ ЛЕГКОПЛАВКИХ МЕТАЛЛОВ, содержащий катод из тугоплавкого металла, анод и поджигающий электрод, отличающийся тем, что, с целью обеспечения непрерывности работы устройства, катод выполнен в виде двух разновысоких и соосно расположенных стаканов, в нижней части боковой поверхности внутреннего стакана находятся отверстия, служащие для подачи испаряемого материала.

Номер патента: 1468017

Опубликовано: 30.09.1994

Авторы: Исаков, Калмыков, Нестеренко, Падалко, Плотников, Погребняк, Ремнев, Рузимов, Русин, Симонов, Чистяков

МПК: C23C 14/48

Метки: изделия, металлов, нанесения, покрытий, сплавов

1. СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЙ НА ИЗДЕЛИЯ ИЗ МЕТАЛЛОВ И СПЛАВОВ, включающий ионную очистку поверхности с последующим нанесением износостойкого покрытия, отличающийся тем, что, с целью повышения микротвердости и износостойкости изделия, очистку проводят облучением изделия ионным пучком с плотностью мощности более 7 106 Вт/см2, а после нанесения покрытия изделие дополнительно облучают ионным пучком с плотностью мощности (0,3 - 6) 106 Вт/см2, причем длительность облучения до и после нанесения покрытия выбирают равной 60 - 100 нс.2. Способ по п.1, отличающийся тем,...

Номер патента: 1243342

Опубликовано: 15.04.1994

Авторы: Азев, Беденко, Гинзбург, Иванов, Круть, Лебедев, Лунева, Меркотун, Мохнаткин, Мурашов, Муталибов, Никитин, Ребриков, Родионов, Сартаев, Чистяков

МПК: C10L 1/32

Метки: композиция, топливная

ТОПЛИВНАЯ КОМПОЗИЦИЯ на основе дизельного топлива с добавлением воды и эмульгатора, содержащего диэтаноламид олеиновой кислоты, диэтаноламиновое мыло олеиновой кислоты и диэтаноламин, отличающаяся тем, что, с целью повышения стабильности композиции, она дополнительно содержит моноэфир олеиновой кислоты и диэтаноламина при массовом соотношении воды и эмульгатора 1 : 0,366 - 0,430 и следующем соотношении компонентов, мас. % :Диэтаноламид олеиновой кислоты 0,168 - 3,68Диэтаноламиновое мыло олеиновой кислоты 0,058 - 1,32Диэтаноламин 0,072 - 1,92Моноэфир олеиновой кислоты и диэтаноламина 0,068 - 1,68Вода 1,0 - 20,0Дизельное топливо До 100

Номер патента: 1080465

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Азев, Беденко, Бочкарев, Лебедев, Лунева, Чистяков

МПК: C10L 1/32

Метки: композиция, топливная

ТОПЛИВНАЯ КОМПОЗИЦИЯ на основе дизельного топлива с добавлением воды и эмульгатора, отличающаяся тем, что, с целью повышения стабильности и пожаробезопасности композиции, в качестве эмульгатора она содержит моноэтаноламиновые соли алкилбензолсульфокислот с мол. м. 400 - 480 при следующем соотношении компонентов, мас. % :Вода 5 - 20Моноэтаноламиновые соли алкилбензолсульфокислот с мол. м. 400 - 800 3 - 10Дизельное топливо До 100

Номер патента: 2004763

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Бердичевский, Говоруха, Кочергин, Писарницкий, Файн, Чистяков

МПК: E21B 17/00, E21B 7/10

Метки: бурильная, труба, утяжеленная

...и ось симметрии лежит в 45 плоскости, проходящей через большую ось эллипса.При вращении предлагаемой утяжеленной бурильной трубы за счет циклического изменения ее жесткости и наличия 50 эксцентричной массы обеспечивается значительноее динамическое. воздействие породоразрушающего инструмента на . "лежачую" стенку скважины, что позволяет эффективно стабилизировать и снижать ее 55 иСкривление. Ни одна из известных авторам утяжеленных бурильных труб не позволяет достигнуть такой эффективности в борьбе с самопроизвольным искривлением сертикальных скважин, как предлагаемая и, поэтому последняя соответствует критерию "существенные отличия".На фиг.1 предста алена п редлагаемая утяжеленная бурильная труба, разрез; на фиг.2 - поперечное...