Устройство для ионного напыления пленок
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОЙИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ 297709 Союз Соеетских Социалистических РеслубликК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 24.1 Х.1969 ( 1362054/26-9)с присоединением заявкиПриоритетОпуоликовано 11 Л 1.1971. Бюллетень1 ОДата опубликования описания 18.7.1971.ЧПК С 32 с 15/00 Номитет по делам изобретений и открытий лри Сосете Министров СССРУДК 539.234.002.5(088,8) Авторыизобретения И. А. Корнеев, Ю. Н. Тюнькин и Э, А. Чернышев ЗаявитеБЛйС СТРОЙСТВО ДЛЯ ИОННОГО НАПЫЛЕНИЯ ПЛЕНОК Известно устройство для ионного распыления, выполненное в виде вакуумной камеры с распыляемым катодом, анодом и подложкодержателем.Цель изобретения - упрощение конструк ции, повышение качества напыляемых пленок и увеличение производительности устройства,Для этого анод, служащий одновременно и экраном, выполнен в виде полого тела вращения с криволинейной образующей, у кото рого со стороны торца меньшего диаметра расположен катод, частично входящий внутрь этого полого тела, а со стороны торца большего диаметра расположен подложкодержатель. 15На чертеже схематически изображено предлагаемое устройство для ионного напыления пленок, продольный разрез по оси системы,Катод (мишень) 1 устройства представляет собой стержень (монолитный или полый и ох лаждаемый водой), торцовая часть которого выполнена в виде элемента сферы радиуса гь Коаксиальцо катоду проходит труба 2, расстояние между боковыми поверхностями катода и трубы равно 4. В верхней части труба 25 расширяется, радиус образующей, от вращения которой вокруг оси системы может быть получена боковая поверхность трубы, равен га. В широкой части труба закрыта подложкодержателем 3, Вне трубы расположен магнит 30 4, создающий магнитное поле К параллельное оси системы. Газ в разрядный объем поступает через узкие зазоры б между краем трубы и подложкодержателем. Между катодом 1 и трубой 2, расстояние между которыми 4 возникает разряд.Устройство работает следующим образом.В вакуумную камеру впускают рабочий газ, который через зазоры б между подложкодержателем ц краями трубы поступает в разрядный обьем, При подаче на электроды системы (трубу и катод) высокого напряжения в пространстве, ограниченном катодом, стенками трубы и подлож кодер жателем, зажигается разряд, причем катод присоединен к отрицательному полюсу источника напряжения, а широкая часть трубы служит анодом и может быть либо заземлена, либо находиться под небольшим относительно земли смещением. Подложкодержатель электрически нейтрален и в поддержании разряда не участвует. Расстояние между трубой и боковой поверхностью катода 4 выбрано таким, что разряд здесь це возникает и возникает лишь тогда, когда до -- 4,. В этом случае труба перестает служить экраном ц становится анодом.Для интенсификации разряда служит магнит 4, который одновременно играет роль магнитного затвора для заряженных частиц, Магнитное поле не пропускает к поверхности297709 Предмет изобретения Составитель Н, Герасимова Редактор А, В. Корнеев Техрсд 3. Н, ТараненкоКорректоры; В. Петрова и Е. Ласточкина Заказ 13012 Изд.570 Тираж 473 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Ж, Рауновская паб д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 подложки частицы, вектор скорости которых составляет с направлением магнитного поля утол, отличный от нуля,Возникшие в разряде ионы подлетают к поверхности мишени по криволинейным траекториям и, бомбардируя катод 1, вызывают его распылспие, Распыленные частицы конденсируются на подложкодержателе 3. Радиус г, торца катода и радиус г, образующей верхней части трубы подбираются таким образом, чтобы обеспечить равномерность пленки на приемной поверхности подложкодержателя,Поскольку разрядный промежуток закрыт со всех сторон элементами устройства, непосредственно участвующими в поддержании разряда, элементы установки на разряд не влияют. Подбором радиусов г 1 и ъ а также режима разряда добиваются того, чтобы толщина пленки была равномерной. Поскольку сам подложкодержатель не участвует в поддержании разряда, а кроме того, отделен от разрядного пространства мап;итным затвором типа магнитной бутылки, неуправляемое влияние плазмы на подложку невелико.Е Еаконец, поскольку разряд локализован и устранено действие плазмы на окружающие детали.; вакуумного устройства, а доступ в разрядыь 1 й. аоъЕ 1 и легко конденсирующпмся примесям (например, парам масла или продуктам его разложения) затруднен, фон при.месей в разрядном объеме уменьшен.Устройство может быть использовано на 5 предприятиях, занимающихся изготовлениемтонких пленок и применением их в различных микроминиатюрных приборах. Предпочтительно его использовать для распыления драгоценных металлов (платины, золота, редких 10 металлов),Устройство для ионного напыления пленок 15 на подложку, выполненное в виде вакуумнойкамеры с распыляемым катодом, анодом, экраном и подложкодержателем, соединенным с источником высокого напряжения, отличаюиееся тем, что, с целью упрощения конструк ции, повышения качества напыляемых пленоки увеличения производительности, анод, служащий одновременно и эраном, выполнен в виде полого тела вращения с криволинейной образующей, у которого со стороны торца 25 меньшего диаметра расположен катод, частич о входящий внутрь этого полого тела, а со стороны торца большего диаметра расположен подложкодержатель,
СмотретьЗаявка
1362054
И. А. Корнеев, Ю. Н. Тюнькин, Э. А. Чернышев, ГСКНВГ НДЯ
МПК / Метки
МПК: C23C 14/36
Метки: ионного, напыления, пленок
Опубликовано: 01.01.1971
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-297709-ustrojjstvo-dlya-ionnogo-napyleniya-plenok.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для ионного напыления пленок</a>
Предыдущий патент: Способ защиты титана и его сплавов от окалинообразования
Следующий патент: Способ обработки хлопка-сырца
Случайный патент: Захватное устройство для штучных грузов