Устройство для ионно-плазменного распыления материалов в вакууме
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Формула
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИОННО-ПЛАЗМЕННОГО РАСПЫЛЕНИЯ МАТЕРИАЛОВ В ВАКУУМЕ, содержащее рабочую камеру с окном, катодным узлом, содержащим электрод с закрепленной на нем диэлектрической мишенью, соединенный с ВЧ генератором и подложкодержатель, отличающееся тем, что, с целью упрощения конструкции и повышения надежности в работе, мишень закреплена герметично в окне, а электрод расположен вне рабочей камеры.
Описание
Цель изобретения упрощение конструкции и повышение надежности в работе путем устранения изоляции и экранировки ВЧ-электрода.
На чертеже изображено предлагаемое устройство, продольный разрез.
Оно содержит вакуумную камеру, состоящую из колпака 1 и основания 2, и расположенные соосно распыляемую диэлектрическую мишень 3 из горячепрессованной керамики, например Рb(ZrO 52, TiО 48) О3, и электрод 4. Вакуумное уплотнение между колпаком 1 и основанием вакуумной камеры 2 обеспечивается с помощью резиновой прокладки 5. Откачка вакуумного объема осуществляется через вакуумопровод 6, напуск рабочего газа через трубку 7. ВЧ-напряжение подается на электрод 4 от ВЧ-генератора 8. Подложка 9, на которой производится осаждение пленки, помещена над распыляемой мишенью в подложкодержателе 10. Мишень 3, имеющая форму диска приклеена эпоксидной смолой к охлаждаемому водой цилиндрическому электроду 4 для обеспечения механического и теплового контакта. Вакуумное уплотнение между мишенью 3 и основанием 2 вакуумной камеры обеспечивается с помощью кольцевой прокладки 11, изготовленной из силиконовой резины. Зажатие прокладки мишенью осуществляется с помощью внутренней гайки 12 через фторопластовую шайбу 13, служащую для центровки мишени 3 и изоляций ее от корпуса 2.
Устройство работает следующим образом.
После откачки вакуумного объема через вакуумопровод 6 производится напуск кислорода через трубку 7. Необходимое давление (

Такая конструкция позволяет исключить металлический экран как составную часть распылительного устройства и обеспечить устойчивость разряда при повышенных давлениях рабочего газа в камере (более 130 Па). При этом не требуется дополнительная изоляция электрода от корпуса вакуумной камеры, так как сама мишень является этим изолятором.
Вынос ВЧ-электрода за пределы вакуумной камеры позволило обеспечить надежный тепловой контакт между мишенью и ВЧ- электродом, что вело к значительному снижению температуры мишени и исключению возможности испарения из нее легколетучей РbО.
В устройстве были получены сегнетоэлектрические пленки свинецсодержащих соединений сложных окислов, не применяя специальных мер по компенсации дефицита свинца в пленках: использование распыляемых мишеней, обогащенных окислом свинца, или проведение осаждения пленок или последующего отжига в атмосфере РbО.
Были получены пленки Рb(Zr 0,52, Ti 0,48)O3 обладающие всей совокупностью сегнетоэлектрических свойств: диэлектрическая проницаемость


Рисунки
Заявка
3758328/21, 22.06.1984
Ростовский государственный университет
Свиридов Е. В, Мухортов В. М, Клевцов А. Н, Дудкевич В. П
МПК / Метки
МПК: C23C 14/36
Метки: вакууме, ионно-плазменного, распыления
Опубликовано: 20.07.1995
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1240076-ustrojjstvo-dlya-ionno-plazmennogo-raspyleniya-materialov-v-vakuume.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для ионно-плазменного распыления материалов в вакууме</a>
Предыдущий патент: Взрывомагнитный формирователь импульса тока
Следующий патент: Способ исследования свойств покрытия и основного материала
Случайный патент: Качающееся решето для очистки зерна